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在最近召开的SPIE高级光刻技术会议上,Intel公司称EUV光刻技术应用到大批量生产的时间点将会迟于Intel推出14 nm制程产品的时间点,而且按现在的发展趋势来看,很可能连Intel的10 nm制程都会赶不上!不过对其它芯片代工厂以及内存芯片制造商而言,仍有可能赶在他们推出16/14 nm制程产品时 相似文献
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正近期看到FPGA大厂陆续推出3D系统晶片,令人想起几前年半导体产业开始积极推展的3D晶片,似乎经过几年的酝酿,目前开始看到该技术的开花结果。只不过,Altera台湾区总经理陈英仁指出,这些其实都是属于2.5D的制程,不是真正3D的技术范畴。3D制程的技术含量更深,目前仍是个很大的挑战。陈英仁说,目前FPGA大厂所标榜的3D晶片,其实都只是2.5D制程技术, 相似文献
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半导体产业长期以来均仰赖于高端聚焦离子束(FIB)工具来切割横截面,以了解纳米级先进芯片制程的细节。然而,要用这些工具来解剖微米和毫米级的MEMS芯片以及采用如硅通孔(TSV)技术的3D堆叠芯片时,可能需要花费长达12小时的时间。现在,工具供应商FEI Co.声称,已经彻底改良了用于3D IC和MEMS的聚焦离子束技术。 相似文献
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Deborah Patterson ;Mike Kelly ;Rick Reed ;Steve Eplett ;Zafer Kutlu ;Ramakanth Alapati 《中国集成电路》2014,(11):27-32
本项目由Open-Silicon,GLOBALFOUNDRI ES和Amkor三家公司合作完成。两颗28nm的ARM处理器芯片,通过2.5D硅转接板实现集成。芯片的高性能集成通常由晶体管制程提高来实现,应用2.5D技术的Si P正成为传统芯片系统集成的有效替代。Open-Silicon负责芯片和硅转接板的设计,重点在于性能优化和成本降低。GLOBALFOUNDRI ES采用28nm超低能耗芯片工艺制造处理器芯片,而用65nm技术制造2.5D硅转接板。包括功耗优化和功能界面有效管理等概念得到验证。硅基板的高密度布线提供大量平行I/O,以实现高性能存储,并保持较低功耗。所开发的EDA设计参考流程可以用于优化2.5D设计。本文展示了如何将大颗芯片重新设计成较小的几颗芯片,通过2.5D硅转接板实现Si P系统集成,以降低成本,提高良率,增加设计灵活性和重复使用性,并减少开发风险。 相似文献
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近几年高清视讯会议系统得到了较大的发展,增加了人们对视讯会议技术发展的认识。本文分别从高清视频、沉浸虚拟(immersive)会场、大屏幕电视墙、多视角视频、3D视频五个方面对视讯会议技术趋势进行了简单分析,可供参考。[编者按] 相似文献
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正英特尔CEO保罗·欧德宁(PaulOtellini)表示,英特尔已开始对7纳米和5纳米制程技术的研究。此外,英特尔目前计划在美国俄勒冈、亚利桑那和爱尔兰的工厂中部署14纳米制程生产线。英特尔还开展了7-5纳米的芯片研发,韩国三星也由20纳米向15纳米进军,成为芯片一霸,台湾的台积电也开始20纳米芯片量产。反观中国大陆中芯国际,芯片还停留在40纳米,还并没有量产。 相似文献
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创毅视讯在芯片领域日趋成熟基于2009年国家重大专项,创毅视讯承担了TD-LTE核心芯片开发的项目。从2006年公司创办至今,在业界做了两个"第一",2008年创毅视讯推出了国内首款CMMB手机电视芯片,服务于北京奥运会;2010年推出了首款支持20M带宽的TD-LTE基带芯片,并用其服务于上海世博会。目前, 相似文献
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半导体微细化制程从65纳米迈向45纳米、甚至芯片结构尺寸将朝向32或22纳米之际,我们将会面临什么未知的物理性质变化?为了追寻更微小体积、切割更多芯片的商业成本效益,我们的制程技术如何再进一步地去突破,会有什么样的材料正等待着我们去发掘? 相似文献
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《电子工业专用设备》2009,38(7):75-76
NetLogic Microsystems公司与台湾积体电路制造股份有限公司日前宣布,在领先业界的40nm泛用型制程技术领域合作,推出NetLogic Microsys-tems下一世代先进的knowledge-based网络处理器及10/40/100Gigabit实体层(PhysicalLayer)解决方案。NetLogicMicrosystems是knowledge—based网络处理器及整合高速芯片设计发展的领导者,也是最先在台积电公司先进40nm制程流片与验证多项产品的客户之一。 相似文献