光刻技术与光刻机

一、简介 光刻技术(Lithgraphy)被广泛运用于当今半导体制程中.光刻技术可以用近紫外光(Near UltraViolet,NUV)、中紫外光(Mid UV,MUV)、深紫外光(Deep UV,DUV)、真空紫外光(Vacuum UV,VUV)、极短紫外光(Extreme UV,EUV)、X-光(X-Ray)等光源对光刻胶进行照射.相关波长范围如图1所示.     

193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术

2006年11月英特尔决定采用193nm ArF浸没式光刻技术研发32nm工艺。2007年2月IBM决定在22nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193nm ArF浸没式光刻技术。对于32nm/22nm工艺,193nm ArF浸没式光刻技术优于EUV光刻技术,并将成为主流光刻技术。     

英特尔推动EUV光刻技术研发

英特尔公司正投大量精力用于远紫外线(EUV)光刻技术(用于制造未来微处理器的技术)开发，现在已经在EUV技术上取得两项重要成果里程碑式的突破。该公司安装了全球第一套商用EUV光刻工具，并建立了一条EUV掩模试产线，表明该技术已从研发阶段进入试验阶段。英特尔预计此技术将于2009年开始应用到大批量生产中。     

无掩模光刻技术的最新进展

据VLSI的报道,尽管浸入式光刻技术似乎为全球半导体工艺路线图又打开一扇明亮的窗.     

光刻技术的现状和发展

着重从涂胶、曝光(包括光源和曝光方式等)、光刻胶和深度光刻等方面介绍了光刻技术的现状和未来的发展趋势.     

芯片制造三巨头的次世代光刻技术战略对比分析

台积电与Globalfoundries是一对芯片代工行业的死对头,不过他们对付彼此的战略手段则各有不同。举例而言,在提供的产品方面,Globalfoundries在28nm制程仅提供HKMG工艺的代工服务(至少从对外公布的路线图上看是这样),而相比之下,台积电的28 nm制程则有HKMG和传统的多晶硅栅+SION     

Cymer专注于DUV／EUV光刻光源

随着半导体设计规则的紧缩,在65nm及更高节点,浸没式光刻和EUV被认为是获得更小节距的可选择方案,出于技术极限和成本的考量,在实现量产上光刻技术面临极大挑战,其中之一来自于光刻光源。Cymer作为光源领域的领先供应商,目前提供DUV及EUV光源。     

光刻技术的发展动态

介绍了目前几种主流光刻技术（光学光刻，电子束光刻，ｘ射线光刻和离子束光刻）的发展动态     

进入转折点的光刻技术

进入转折点的光刻技术ＰａｕｌＣａｓｔｒｕｃｉ，ＷｏｒｔｈＨｅｎｌｅｙ，ＷｏｌｆｇａｎｇＬｉｅｂｍａｎｎ著，ＰａｕｌｃａｓｔｅｕｃｃｉａｎｄＡｓｏｃｉａｔｅｓＩｎｃ，Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ，ｍａｓａｃｈｕｓｅｔｓ立文译在更小图形尺寸和更大片子直径的不断驱动...     

EUV光刻技术的发展

介绍了半导体产业在制造极限的技术路线选择方面,下一代光刻技术—极紫外光刻设备面临的挑战及其开发和技术应用的进展现状,指出了在未来的22nm技术节点极紫外光刻进入量产的可能性。     

光刻专家评选浸没式和EUV光刻技术

根据5月份在温哥华举行的受邀光刻技术论坛披露的报告，最新发布的国际半导体技术蓝图（ITRS）中，半导体厂商和供应商就光刻的前景和未来达成了普遍的共识。对各项最新的光刻技术的研究表明，193纳米浸没式光刻技术将成为量产45纳米节点产品的首选，而EUV（极紫外）光刻技术将在32纳米节点上大展拳脚。     

193nm浸入式光刻技术独树一帜

介绍了193nm浸入式光刻机和193nm光刻胶的最新发展动态以及下一代193nm浸入式光刻机。     

光刻技术的发展动态

介绍了目前几种主流光刻技术发展动态。     

半导体光刻技术及设备的发展趋势

随着芯片集成度的不断提高、器件尺寸的不断缩小,光刻技术和光刻设备发生着显著变化。通过对目前国内外光刻设备生产厂商对下一代光刻技术的开发及目前已经应用到先进生产线上的光刻技术及设备进行了对比研究,对光刻技术和光刻设备的发展趋势进行了介绍,并对我国今后半导体光刻技术及设备的发展提出了合理化建议。     

投影光刻机镜头的装校关键工艺与技术

重点介绍投影光刻镜头的装配结构、材料和加工、定心、检测、调整、连接等关键工艺环节的基本要求、工艺方法和保证措施。在此基础上介绍了一种光刻镜头专用装校系统 ;最后结合我国的光刻镜头研制现状和存在问题对今后的发展方向提出几点个人见解。     

光刻技术在微电子设备的应用及发展

介绍了光刻技术在微电子领域的应用，具体分析多种短波长光刻技术的最新进展，并对在0．1μm之后用于替代光学光刻的下一代光刻技术的发展趋势作了展望．     

下一代光刻技术的EUV光源收集系统的发展

当前半导体器件加工水平正在向22 nm方向发展,而最有希望实现这一尺寸的光刻技术即为EUV光刻技术。EUV光源所发出的13.5 nm辐射因为波长极短,物质对其吸收十分强烈,所以使采用透射式光学系统对辐射进行收集的可能几乎为零。如何高效地收集EUV光源发出的辐射能成为了EUV光刻技术中的一大难题。本文主要介绍了国外在EUV光源收集系统方面的发展现状,描述了两大类EUV光源收集系统（垂直入射式和掠入射式）的一些设计形式和设计实例,并对各种设计形式的EUV收集系统进行了分析和比较。还重点介绍了目前被普遍看好的内嵌式掠入射WolterⅠ型收集系统的设计与加工等情况。     

光刻技术在微电子设备的应用及发展

介绍了光刻技术在微电子领域的应用,具体分析多种短波长光刻技术的最新进展,并对在0.1μm之后用于替代光学光刻的下一代光刻技术的发展趋势作了展望。