邻香草醛缩环己二胺类希夫碱及其锌配合物的合成与性能

合成了邻香草醛缩环己二胺类希夫碱(1)及其锌配合物(2),通过红外和元素分析测试手段来确定它们的结构.配合物(2)的紫外-可见吸收光谱和光致发光光谱表明,在紫外激发下,有效的能量从配体转移到金属离子.电化学带隙与紫外-可见光谱吸收边估计的带隙基本一致.结果分析表明,在365nm波长的紫外激发下,化合物(2)能产生强烈的蓝光发射,最高发光波峰在460nm处,谱线带宽72.2nm.化合物(2)明亮的光致蓝光发射有望用在有机电致发光器件(OLED)中.     

Al掺杂硅烯材料吸附气体分子的第一性原理研究

通过Al原子吸附和取代的方法对硅烯材料进行掺杂,基于第一性原理计算方法研究了Al掺杂硅烯材料的吸附特性,分析H₂、SO₂和NH₃气体分子在其表面的吸附过程。研究发现,Al吸附硅烯体系由于强的物理吸附对H₂敏感,吸附能为-0.51 eV;SO₂和NH₃以成键的方式吸附在两种掺杂材料上,其中Al取代硅烯体系吸附SO₂后打开了0.3 eV的带隙,吸附能为-1.19 eV;Al吸附硅烯体系吸附SO₂后带隙缩小,吸附NH₃后带隙增大,吸附能分别为-1.01和-0.96 eV。结果表明,Al原子的吸附和取代提高了硅烯材料的吸附性能,为研究Al掺杂硅烯材料的储氢和气敏性能提供理论参考。     

邻香草醛缩环己二胺类希夫碱及其锌配合物的合成与性能

合成了邻香草醛缩环己二胺类希夫碱(1)及其锌配合物(2),通过红外和元素分析测试手段来确定它们的结构.配合物(2)的紫外-可见吸收光谱和光致发光光谱表明,在紫外激发下,有效的能量从配体转移到金属离子.电化学带隙与紫外-可见光谱吸收边估计的带隙基本一致.结果分析表明,在365nm波长的紫外激发下,化合物(2)能产生强烈的蓝光发射,最高发光波峰在460nm处,谱线带宽72.2nm.化合物(2)明亮的光致蓝光发射有望用在有机电致发光器件(OLED)中.     

薄膜厚度对ZnO：Zr透明导电薄膜光电性能的影响

利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO:Zr透明导电薄膜.讨论了厚度对ZnO:Zr透明导电薄膜光学、电学性能的影响.当薄膜厚度为213 nm时,薄膜电阻率达到最小值1.81×10-3 Ω·cm.所制备的薄膜样品都具有高透光率,其可见光区平均透过率超过了93.0%.当薄膜厚度从125 nm增加到350 nm时,薄膜的光学带隙从3.58 eV减小到3.50 eV.     

基于微带传输线的由特异材料构成的一维光子晶体

通过左右手复合传输线(CRLH TLs)实现了一维的特异材料(Metamaterials),基于Metamaterials单元构成了光子晶体,并分析、测试了其传输特性.实验结果表明,由特异材料构成的一维光子晶体具有Bragg 带隙和等效的单负带隙.当晶格尺度同比例改变时,等效的单负带隙基本上不发生移动,并且带边分别由零平均介电常数ε-=0和零平均磁导率μ-=0决定.零平均折射率 (zero-n-)带隙和零有效相位(zero-Φeff)带隙可以理解为一种等效的单负带隙.对由Metamaterials构成的一维光子晶体传输特性的研究,有助于Metamaterials在射频/微波电路和仪器中的应用.     

基于SOI的光子晶体波导的研究

给出了基于SOI晶片、带隙中心位于1550nm的光子带隙材料及光子晶体波导器件的设计方法。采用基于超原胞的平面波展开法和基于完美匹配层边界条件的三维时域有限差分法,对二维光子晶体平板的带隙结构及光波传输进行仿真。在大量计算和优化的基础上,设计了适于248nm深紫外曝光和0.18μm离子束刻蚀工艺的光子晶体带隙材料及波导器件,得到了初步的工艺实验结果和样品SEM测试结果。     

溅射气压对氧化镓薄膜光学特性的影响

采用射频磁控溅射法在石英衬底上制备了氧化镓(Ga2O3)薄膜.利用X射线衍射仪和紫外-可见-红外分光光度计分别对Ga2O3薄膜的晶体结构和光学带隙进行了表征,并在室温下测量了 Ga2O3薄膜的光致发光(PL)谱.结果表明:制备的Ga2O3薄膜呈非晶态.吸收边随着溅射气压的增加先蓝移后红移,光学带隙值范围为5.06～5.37 eV,溅射气压为1 Pa时,制备的Ga2O3薄膜具有最大的光学带隙.在325 nm激光激发下,400 nm附近和525 nm附近处出现与缺陷能级相关的发光峰.     

蓝光材料9,10-二(β-萘基)蒽的合成与光谱分析

采用还原β-萘基锂与蒽醌的加成物制备了有机电致蓝光材料9,10-二(β-萘基)蒽(ADN)。通过红外、核磁共振对其结构进行了表征。利用紫外可见吸收光谱、循环伏安法和荧光光谱等研究了其HOMO、LUMO能级及发光性能。紫外可见吸收光谱有2个吸收带,其中E带有2个吸收峰,波长分别为232nm、260nm;B带有3个吸收峰,其波长分别为359nm、377nm、398nm,ADN的吸收带边为420nm,计算其能级差为2.95eV。采用398nm的激发光激发,荧光发射峰值波长为426nm,半峰宽为56nm,有很好的蓝光色纯度。通过循环伏安法测得其氧化峰电位为1.28 V,推算出ADN的HOMO能级为5.60 eV,LUMO能级为2.65 eV。     

黑硅无掩模反应离子刻蚀法制备及光学性能研究

采用无掩模反应离子刻蚀法制备了黑硅.利用扫描电子显微镜及紫外-可见-近红外分光光度计研究了黑硅的微结构和光学特性.结果表明,黑硅微结构高度为2.0～3.5 μm,径向尺寸90～400 nm,间距200～610 nm.在400～1 000 nm光谱范围内黑硅吸收率为94％,是单晶硅的1.5倍;在1 200～1 700 nm光谱范围吸收率为55％～60％,是B掺杂单晶硅的20倍.制备的黑硅的光学带隙为0.600 6 eV,吸收光谱明显向红外方向偏移.     

近红外波段二维环形光子晶体

提出了带隙在近红外波段的环形光子晶体,主要有一系列环形的孔在背景材料为GaAs上构成.发现带隙不依赖于入射方向,很少的几排即可在透过谱上产生带隙.六角形构成的环形光子晶体的S波和P波的透过谱显示有一个完全带隙存在,带宽-带隙中心比率高达11%.     

熔锥光纤的特性研究

从理论和实验两方面研究了熔锥光纤锥区的传输、耦合、偏振和调制特性。用耦合模 理论分析了光纤锥形区的传输和耦合性质,给出了锥形光纤传输和耦合效率与锥形区结构的关系。实验上测定了实际锥形光纤在不同锥角、不同长度下的偏振特性,得出偏振光经实际锥形光纤传输或耦合后,再传输其终端,得到均是椭圆偏振光的结论。测定了载波光脉冲经过锥形光纤耦合后其脉冲的变化特性,实验表明,光脉冲在经过锥形光纤耦合传输后其形状保持不变。     

纳米材料的电学、光学和光电性能及应用前景

简要介绍了纳米材料的电学性能以及单电子器件的基本原理和应用；纳米材料的光学性能和光电性能，高的光吸收系数和光致荧光现象可使其应用于敏感元件，由于其光电特性具有超快响应速度，可望在超快光电子器件中得到应用。     

溅射功率对氮化锌薄膜特性的影响

在玻璃衬底上通过磁控反应溅射法,利用纯金属Zn靶,在N2-Ar等离子体氛围中制备出氮化锌薄膜。X射线衍射谱表明氮化锌具有(4 0 0)择优取向,反方铁锰矿结构。研究了溅射功率对氮化锌薄膜结构、电学及光学性质的影响。     

相变材料Ge2Sb2Te5的性质及其面向新型数据存储的应用

信息时代产生的海量数据驱动着计算机存储架构的革新,高性能的非易失性存储器和存算一体的神经形态计算成为存储体系的发展方向。首先,介绍了相变材料Ge2Sb2Te5的阻变性质的机理与应用,详细阐述了相变存储器的发展以及神经形态计算的实现。然后,讨论了基于Ge2Sb2Te5铁电性质的存储器、基于Ge2Sb2Te5介电性质的光子存储单元和基于Ge2Sb2Te5应变作用的高迁移率晶体管。最后,讨论了Ge2Sb2Te5和n型硅等材料的异质结结构在器件中的应用。基于Ge2Sb2Te5材料多种特性的新型存储器件必将在未来存算一体的数据处理中扮演重要的角色。     

实际网络的复杂特征分析

随着对复杂网络的深入研究,现实生活中越来越多的网络被证明具有复杂网络的特性,如小世界特性,无标度特性和高聚类系数等.本文介绍了九种现实网络所具有的复杂网络特性,并介绍了权重网络和空间网络的基本概念,它们更多的考虑了现实网络的特性,并能更好的模拟实际网络.     

La和Sr的掺杂对PZT薄膜电学性质的影响

该文采用溶胶-凝胶法在LaNiO_3/Pt/Ti/SiO_2/Si基片上制备了掺杂La元素的Pb_(1-0.05)La_(0.05)ZrTiO_3(PLZT)、掺杂Sr元素的Pb_(1-0.05)Sr_(0.05)ZrTiO_3(PSZT)、掺杂La和Sr元素的Pb_(1-0.1)La_(0.05)Sr_(0.05)ZrTiO_3(PLSZT)及未掺杂的锆钛酸铅(PZT)薄膜样品。对不同掺杂情况的样品分别进行了压电系数、电滞回线、介电特性的测试。结果表明,双掺杂样品PLSZT薄膜具有比其他样品更好的铁电性能,其剩余极化强度(P_r)为13.2μC/cm~2,饱和极化强度(P_s)为28.4μC/cm~2,矫顽场(E_c)为54.8 kV/cm;双掺杂样品PLSZT薄膜的压电系数(d_(33))比其他3种样品高,达到153 pC/N。掺杂后的样品与未掺杂的样品相比,其介电常数有略微提高;单掺杂La的样品的介电特性在高频环境下更稳定。     

Effects of reaction time on the morphological,structural, and gas sensing properties of ZnO nanostructures

Morphological transformation was achieved from ZnO hexagonal needle-like rods to hexagonal flower-like rods by varying the reaction growth time using the hydrothermal method. Optical bandgap energies were calculated from the absorption spectra using UV‐vis spectroscopy. Gas sensing properties of flower-like hexagonal ZnO structures at 50 ppm for ethanol (C₂H₅OH) and nitrogen dioxide (NO₂) at different temperatures were analyzed. The sensor showed a higher response toward C₂H₅OH than NO₂ gas at 350 °C.     

La1-xSmxFeO3纳米粉体的制备及气敏性能研究

采用sol-gel法制备了La1-xSmxFeO3(x=0,0.1,0.2,0.3,0.5和0.7)系列纳米粉体,并对其微结构、电性能和酒敏性能进行了测试研究.结果表明:所有粉体为斜方钙钛矿结构,粉体的晶胞体积和晶粒尺寸均随Sm含量的增大而减小.除La0.2Sm0.7FeO3外,各元件的电阻随Sm含量的增加而增大.另外...     

硅微波功率晶体管内匹配设计技术研究

着重论述了硅微波功率晶体管内匹配网络的设计方法，对内匹配网络的功率均分特性、带宽特性，增益性能做了分析研究。在上述基础上，通过优化设计，对Ｐ波段百瓦级硅微波功率晶体管的内匹配网络进行了分析和计算并通过了样品试验     

Y和Cr共掺杂BiFeO_3陶瓷的多铁性能研究

采用固相反应法制备了Y_2O_3和Cr_2O_3共掺杂BiFeO3陶瓷,研究了Bi_(0.9)Y_(0.1)Fe_(1–x)Cr_xO_3(BYFC_x,x=0,0.002,0.004,0.006,0.008)陶瓷的多铁性能。XRD分析表明,经850℃烧结的BYFC_x陶瓷形成了三方钙钛矿结构固溶体。随着Cr掺杂量增加,BYFC_x陶瓷在室温下的铁磁性能和铁电性能提高明显。当x为0.004时,所制陶瓷的铁磁性能最好,剩余磁化强度Mr为0.23A·m~2/kg,饱和磁化强度Ms为3.15A·m~2/kg,矫顽力Hc为2.3kA/m。Mr、Ms和Hc随着Cr掺杂量的增加先增大后减小。