TriQuint推出卓越新产品和代工服务

射频解决方案厂商TriQuint半导体日前发布了15款新型氮化镓（GaN）放大器和晶体管以及两套全新的氮化镓工艺,这些产品为通讯系统提供了性能、尺寸和耐用性的优势。     

氮化镓HEMT器件辐射效应综述

在高频、大功率、高温、高压等领域,氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)器件因其优异的耐辐射性能而被广泛地应用于卫星、太空探测、核反应堆等领域。尽管从理论和一些试验研究中可以得知,氮化镓材料具有良好的耐辐射特性,但在实际应用中,因其制作工艺及结构等因素的影响,氮化镓HEMT器件的耐辐射特性受到了很大的影响和挑战。本文介绍了氮化镓HEMT器件几种辐射效应,并对氮化镓HEMT器件辐射的研究进行了综述。     

氮化镓薄膜的研究进展

主要讨论了Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料氮化镓(GaN)薄膜的制备工艺、掺杂、衬底和缓冲层等相关问题，并提出了目前GaN研究中所面临的主要问题以及氮化镓材料的应用前景。     

氮化镓微波电子学的进展

简要介绍宽禁带半导体氮化镓材料的生长、微波电子器件的物理特性、制造工艺和微波性能。     

氮化镓微波电子学的进展

简要介绍宽禁带半导体氮化镓材料的生长，微波电子器件的物理特性、制造工艺和微波性能。     

氮化镓基雪崩光电二极管的研制

文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状,从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发,详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程,特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理.由于雪崩器件对于材料的质量具有较苛刻的要求,因此特别对材料进行了必要的筛选.通过一系列工艺上的改进,成功地制作出国内第一只氮化镓基雪崩光电二极管,器件的光敏面直径是40μm;并对其进行了光电性能测试.测试结果表明,当反向偏压是58V时,漏电流大约是1.18×10-7 A,雪崩增益是3.     

氮化镓基雪崩光电二极管的研制

文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状，从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发，详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程，特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理。由于雪崩器件对于材料的质量具有较苛刻的要求，因此特别对材料进行了必要的筛选。通过一系列工艺上的改进，成功地制作出国内第一只氮化镓基雪崩光电二极管，器件的光敏面直径是40μm；并对其进行了光电性能测试。测试结果表明，当反向偏压是58V时，漏电流大约是1．18×10-7A，雪崩增益是3。     

Kyma公司推高掺杂的n~+型氮化镓体单晶衬底

美国Kyma公司新推出高掺杂n~+型氮化镓体单晶衬底,尺寸为10´10mm~(-2)和18´18 mm~(-2),同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n型氮化镓衬底的电阻率小     

氮化镓基雪崩光电二极管的研制

文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状，从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发，详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程，特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理。由于雪崩器件对于材料的质量具有较苛刻的要求，因此特别对材料进行了必要的筛选。通过一系列工艺上的改进，成功地制作出国内第一只氮化镓基雪崩光电二极管，器件的光敏面直径是40μm；并对其进行了光电性能测试。测试结果表明，当反向偏压是58V时，漏电流大约是1．18×10^-7A，雪崩增益是3。     

可见光无线传能通信一体化芯片

为了解决水下环境中物联网感知终端的能源供给难题，利用氮化镓量子阱二极管的多功能光电特性，采用兼容的制造工艺，在同一块氮化镓芯片上集成能源、照明、通信和感知等器件，在器件之间实现互联，制备出氮化镓能源通信感知一体化芯片，并对该芯片进行了可见光无线传能和通信实验。实验结果表明：该芯片能够吸收外界的光脉冲信号并产生稳定的信号输出，且信号发射速率能够达到1 Mb/s，具有中继通信的潜力；在水下环境中该芯片也能实现能源的采集与信号通信。     

SiC基GaN激光划片工艺研究

介绍了一种SiC基GaN激光划片工艺。通过对划痕形貌、裂片效果、热效应和装配适应性四方面的分析,在几种氮化镓激光划片试验中优化得出高质量划切工艺,并通过小批量生产证明新工艺在良率、效率方面有一定的优势。     

我国首次实现室温连续发光的氮化镓半导体蓝光激光器

2007年4月30日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破，标志着我国氮化镓（GaS）基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。     

被写进“十四五”的氮化镓(GaN),各场景应用齐头并进

氮化镓作为一种第三代半导体材料,近两年时间里在消费类电源市场中得到了广泛应用。尤其是随着各大手机、笔电品牌纷纷入局氮化镓快充,氮化镓功率器件的性能得到进一步验证,同时也加速了氮化镓技术在快充市场中的普及。目前快充电源市面.上的应用的氮化镓主要以三种形式,分别是GaN单管功率器件,内置驱动器的GaN功率芯片,以及内置控制器、驱动器、GaN功率器件的合封芯片。其中以GaN单管功率器件发展最为迅速,尤其是十四五规划出台以来,国家加大了对第三代半导体扶持力度,基于不同品牌GaN器件开发的快充产品也相继量产。     

显示领域GaN发光二极管概述与专利分析

介绍了氮化镓材料的发光二极管的工作原理,并以氮化镓发光二极管在国内外专利申请的数据为分析样本,从氮化镓发光二极管专利申请的时间、国家、技术概况等角度进行研究,分析了氮化镓发光二极管的技术发展现状,介绍了最早的相关专利,给出了申请量分布图、当前重要申请人介绍以及中国在该领域内的发展状况以及未来的发展趋势.     

低温生长n型氮化镓插入层提高LED抗静电能力

在这篇论文里,我们通过在InGaN/GaN 多量子阱和n型氮化镓层中间插入一层低温生长的n型氮化镓显著提高了LED的抗静电能力。通过引入低温生长的氮化镓插入层使得LED抗击穿电压超过4000V的良品率从9.9%提升到74.7%。低温生长的氮化镓插入层作为后续生长的多量子阱的缓冲层,释放了量子阱中的应力并且改善了量子阱的界面质量。另外,我们证明了在氮气气氛下生长低温氮化镓插入层对于LED抗静电能力的改善要强于氢气气氛,同时也进一步证明低温插入层对量子阱中应力的释放有利于提高LED的抗静电能力。光电测试结果表明,在引入低温nGaN缓冲层后,LED的电学特性并没有衰退,并且LED的光输出功率提高了13.9%。     

基于浮动源的氮化镓器件导通电阻测试技术研究

首先,介绍了氮化镓器件的基本特征,以一款氮化镓功率器件为例,介绍了其基本结构、应用场景和关键参数,并研究了其导通电阻的测试;其次,介绍了浮动源的特点,研究了使用浮动源测试氮化镓器件导通电阻的方法,在测试方案的软件、硬件设计上提出了一些建议;然后,将所提出的测试方案运用于实际测试,结果表明,得到的测试数据与理论值吻合地较好,证明了测试方案的有效性;最后,对测试过程中常见的问题进行了分析,对于提高氮化镓器件导通电阻测试精度具有一定的参考价值。     

RFMD推出最新氮化镓工艺技术

正高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RFMicro Devices日前宣布,扩展其RFMD业界领先的氮化镓工艺技术,包括功率转换应用中专为高电压功率器件而优化的新技术。RFMD推出的最新氮化镓工艺技术一rGaN-HV~(TM)-可在功率转换应用(1至50KW)中大幅度降低系统成本和能量消耗。RFMD推出的rGaN-HV~(TM)技术可为器件实现高达900伏特的击穿电压,具有高峰值电流功能并可在氮化镓电     

氮化镓和砷化镓固态功放性能对比与分析

当前固态功放的功率放大技术主要采用氮化镓和砷化镓器件,基于氮化镓的固态功放是近年来出现的一种性能优越的高功率放大器,由于其高效率、高热导率、高可靠性,是固态功放的主流发展方向.特别是在高功率应用领域,将显示出卓越性能.氮化镓和砷化镓固态功放在我站均有使用,本文将联系实际,对两者的性能进行分析,研究并总结出各自的工作特性,与大家共同分享,为今后的使用提供良好的借鉴.     

氮化镓半导体蓝光激光器在我国研制成功

由中科院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器已取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破,     

X波段GaN收发前端芯片设计

本文设计了一款基于0.25 um氮化镓PHEMT工艺的8.5-10.5GHz MMIC收发前端芯片,该收发前端由一个功率放大器和一个单刀双掷开关组成.经仿真优化后,在工艺线上进行了流片,并载片测试了其性能参数.测试结果显示,发射路的功率放大器饱和输出功率大于33dBm,功率附加效率39%.接收路开关插入损耗0.6dB,开关隔离度大于37dB.