复合非晶丝的巨磁阻抗效应分析

研究了外层为NiFe层，里层为Ag丝的复合结构材料的巨磁阻抗效应，发现复合丝在较低频率下就有较大的阻抗变化值。同时推导了外场小于各向异性场时具有网周各向异性的复合丝的阻抗表达式，并讨论了各结构参量对巨磁阻抗效应的影响。发现材料的巨磁阻抗效应强烈依赖于复合丝铁磁层的厚度；而导体层和铁磁层的电导率相差越多则材料的巨磁阻抗效应也越大。     

Co-Fe-Si-B非晶丝的巨磁阻抗效应研究

通过傅立叶分析模型研究了CoFeSiB非晶丝的GMI效应，将得出的阻抗计算结果与实验比较，发现该模型较符合实验规律。同时计算了非晶丝半径、饱和磁化强度以及电阻率对GMI效应的影响，结果表明增大非晶丝半径，增大饱和磁化强度以及降低电阻率都能使非晶丝的巨磁阻抗效应增大。     

NiFeSiMnMo／Cu／NiFeSiMnMo多层膜的磁导率和巨磁阻抗比的研究

用磁控溅射方法制备NiFeSiMnMo/Cu/NiFeSiMnMo多层膜;理论研究了多层膜巨磁阻抗效应与磁导率的关系;实验研究了NiFeSiMnMo/Cu/NiFeSiMnMo多层膜结构的磁导率和巨磁阻抗比.在驱动频率3MHz下△μ′/μ′(%)出现800%的最大值,巨磁阻抗比出现14.4%的最大值.     

Cu／FeNi系复合材料的热膨胀性能

在实验的基础上研究了低膨胀高导热Ｃｕ／ＦｅＮｉ粉末冶金复合材料膨胀性能的影响因素。实验表明，随着Ｃｕ含量增加、烧结温度升高、轧制率减小，材料的膨胀系数增加；而ＦｅＮｉ粒度对材料膨胀系数的影响较复杂。这是由ＦｅＮｉ和Ｃｕ之间的相互配比、相互扩散、ＦｅＮｉ合金的特别性质以及ＦｅＮｉ、Ｃｕ在复合材料中的分布状态共同决定的。     

FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应

用高频溅射法制备了ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ膜,经３５０℃退火２０ｍｉｎ后得到性能优良的巨大磁阻抗材料,磁畴结构观察表明,样品中心为均匀的细条畴靠近边缘,磁畴方向转向横向,这种畴结构有利于磁力线的闭合,是获得显著的巨阻抗效应的重要原因之一,磁阻抗测量表明,样品在１３ＭＨＺ的频率下,分别获得了６３％和７％的纵向和横向磁阻抗比     

Fe4.5Co67.5Nb0.5Mn0.5Si12B15丝材中的巨磁阻抗效应

报道了淬火态Fe4.5Co67.5Nb0.5Mn0.5Si12B15丝中GMI效应,发现淬火态非晶丝GMI(Z)＝|(Z(65Oe)-Z(0))/Z(0)|可高达73%.我们也对简单退火下对Fe4.5Co67.5Nb0.5Mn0.5Si12B15钴基材料中GMI效应的影响也进行了深入细致的研究,发现GMI峰值随退火温度从300℃增加到450℃而先上升,达到一个最大值,然后下降.350℃退火的效果较佳.同时发现低于1MHz时,淬火态对应的GMI效应优于退火态的值,而高于1MHz时,350℃退火材料的GMI(Z)值相应的要高.     

NiFeSiMnMo/Cu/NiFeSiMnMo多层膜中Cu层对巨磁阻抗效应的影响

在康宁玻璃上用真空蒸镀法沉积NiFeSiMnMo单层膜、NiFeSiMnMo/Cu双层膜和NiFeSiMnMo/Cu/Ni-FeSiMnMo多层膜.对单层膜和双层膜的软磁性能进行了分析,对多层膜的巨磁阻抗效应随Cu层宽度的变化进行了研究.实验研究表明,NiFeSiMoMn/Cu双层膜比NiFeSiMnMo单层膜矫顽力小、饱和磁化强度高;多层膜Ni-FeSiMnMo/Cu/NiFeSiMnMo随着Cu层宽度的增加巨磁阻抗比上升到一个最大值后下降,在磁性层宽度3mm的情况下,Cu层宽度在0.7mm时,巨磁阻抗比最大.     

沉积态(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03软磁合金薄膜的磁性和巨磁阻抗效应

采用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了(Fe88Zr7B5）0．97Cu0．03非晶软磁合金薄膜样品，对沉积态样品的软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应进行了实验研究与机理分析．结果表明，未掺Cu元素的Fe88Zr7B5沉积态合金薄膜几乎无GMI效应，而掺了适量Cu元素的(Fe88Zr7B5)0．97Cu0．03合金薄膜在沉积态下即具有显著的GMI效应．在13MHz频率下，最大纵向磁阻抗比达17％，最大横向磁阻抗比为11％，这表明(Fe88Zr7B5)0．97Cu0.03非晶合金薄膜在沉积态已具备优异的软磁性能和巨磁阻抗效应．同时讨论了该薄膜样品的巨磁阻抗效应随频率的变化特性．     

复合焦耳处理对Co68.15Fe4.35Si12.5B15非晶薄带巨磁阻抗效应的影响

本文研究了复合焦耳处理对Co68.15Fe4.35Si12.5B15非晶薄带巨磁阻抗效应的影响。实验结果表明：经前段电流密度10A／mm^2,后段电流密度30A／mm^2的复合焦耳处理后样品获得了最大的GMI效应。在8MHz的交变电流频率下,最大磁阻抗比为217％,灵敏度为114％／Oe,比淬态下的最大磁阻抗比和灵敏度均有明显提高。复合焦耳处理是提高材料GMI效应的一种新型的而且十分有效的方法。     

Co71.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15玻璃包覆非晶丝巨磁阻抗效应研究

本文研究了直流焦耳处理对Co71.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15玻璃包覆非晶丝巨磁阻抗效应的影响.随着处理电流的增大,阻抗最大变化率随之增加,直到最佳处理条件为70mA,阻抗最大变化率为282%.处理电流值进一步提高,阻抗最大变化率下降.本文还研究了偏置电流对经过70mA直流焦耳处理的C021.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15玻璃包覆非晶丝巨磁阻抗效应的影响.随着偏置电流的增加,非对称性逐渐增强,直到偏置电流为2mA;当偏置电流继续增大时,非对称性逐渐减弱.     

模具对Nb Ti/Cu超导线集束拉拔芯丝畸变的影响

使用有限元软件平台ABAQUS对NbTi/Cu多芯复合超导线集束拉拔过程进行数值模拟,研究了拉拔模具参数对芯丝畸变程度的影响。通过引入畸变因子进行量化分析,获得了集束拉拔过程中芯丝畸变极小值所对应的参数区间。结果表明:工作锥半角为6°～8°,定径带长度4.5～5.5 mm,道次加工率为20%～25%时,NbTi/Cu多芯复合超导线芯丝畸变存在极小值。     

电子封装用Cu/Mo/Cu复合材料的工艺研究

研究了浸涂助复剂（铝基合金）和室温轧制工艺对Cu／Mo／Cu复合界面结合强度的影响，简述了Cu／Mo／Cu复合板室温轧制成形工艺过程，详细分析了表面和界面清理、初道次轧制临界变形率及热处理工艺等因素对复合板结合强度的影响。实验结果得出，钼板浸涂Al—Mn—Zn—Sn合金助复剂后的热处理温度为800～850℃；初道次轧制变形率为45％最佳；复合轧制后合适的退火工艺为450℃，保温60min。     

额外纯Cu对Cu-Nb复合线材力学及导电性能的影响

通过拉伸试验和四点测电阻法,对中心含额外纯Cu的Cu-Nb复合线材的力学及导电性能进行测试,并利用SEM观察其微观结构和断口形貌。结果表明:从断口中心到边沿,断裂方式从正断逐渐转向剪切断裂。中间纯Cu有利于导电性和强度的优化。线材的强度随着Nb芯丝间距的减小呈指数上升趋势。当间距小于100 nm时,尺寸效应对强度有显著影响,且77 K下强度随间距减小而增大的速度大于室温下强度随间距减小的速度。而当间距大于300 nm时,尺寸效应对强度的贡献很小。     

Influence of Nb Diffusion Layer on Superconductivity of MgB2/Nb/Cu Wires

采用原位法粉末装管工艺(in-situ PIT),以Nb/Cu复合管作为包套材料制备了MgB2超导线材并且在氩气保护气氛中,不同温度条件下保温2h进行成相热处理。分别采用电阻-温度测试、磁矩转变测试、临界传输电流测试以及Nb-MgB2界面磁光研究等分析手段进行研究。结果表明:当热处理温度高于750℃时,在MgB2超导芯丝和Nb阻隔层之间形成一个扩散层,该扩散层的存在阻碍了电流的传输,从而导致在磁测法测试中可以检测到超导相存在,而在传输法测试中无法看到超导传输现象。说明采用Nb作为MgB2超导线带材的扩散阻隔层时其热处理温度不能高于750℃。     

B_(10)C掺杂MgB_2/NbZr/Cu线材的超导性能研究

通过原位法粉末装管工艺制备了B10C掺杂的MgB2/NbZr/Cu超导线材。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)、PPMS测试仪等测试手段检测了样品的成相情况、微观结构以及超导电性。结果显示该掺杂对MgB2/NbZr/Cu超导线材的磁通钉扎性能及临界电流密度有一定的影响:750℃/2h的热处理制度能够使C元素成为有效磁通钉扎中心,线材的磁通钉扎性能和超导电性均有所提高。20K时,MgB2/NbZr/Cu超导线材的不可逆磁场Hirr达到5.2T;在20K、2T外磁场条件下,其临界电流密度达到2×104A/cm2。     

Effects of Growth Parameters on the Morphology of CNTs/Cu Composite Powder Prepared Using Cr/Cu Catalyst by Chemical Vapor Deposition

采用化学共沉淀法制备了Cr/Cu复合粉体催化剂,并用化学气象沉淀法（CVD）原位合成CNTs/Cu复合粉末。利用SEM, TEM和Raman光谱分别对其微观形貌和结构进行表征。结果表明：采用化学气相沉淀法,使用10 wt%Cr/Cu 的催化剂,在混合气体(Ar/H2/C2H4) 流量2450/300 mL/min下,于1073 K 温度生长30 min,可以得到优质、结晶良好的 CNTs/Cu 复合粉末     

冷轧及退火对WC弥散强化铜组织和性能的影响

研究了不同冷轧变形量和不同退火工艺对以机械合金化法制备的Cu-4%WC复合材料的组织与性能的影响,探讨了该材料的硬度、强度以及组织在高温退火过程中出现异常现象的原因.结果表明,冷轧变形可提高原始粉末烧结材料的致密度,材料的强度和导电率随轧制变形量的增大而增大;WC弥散强化铜材料不宜通过冷轧变形来提高其软化温度;该复合材料的退火行为在500℃下以再结晶晶粒长大为主,在600℃及其以上温度以再结晶晶粒形核为主.     

Cu/Ag/石墨复合涂层电滑动摩擦磨损行为研究

运用等离子喷涂技术在C45E4基材上制备了Cu/Ag/石墨复合材料涂层。利用HST-100销-盘式摩擦磨损试验机,研究了不同电流强度对Cu/Ag/石墨复合材料涂层摩擦磨损行为的影响。利用场发射扫描电镜、能谱仪和X射线衍射技术对涂层结构、相组成、磨损形貌和磨屑进行了表征。涂层结构分析表明：Cu/Ag 合金形成了连续的导电通道而沉积的石墨颗粒具有明显的平行于基材的取向。随着电流从0增加到50A,复合材料涂层的磨损率随之增大,而且磨损率与施加的接触压力和滑动速度有紧密的联系。在本实验中,观察到在相同接触压力和滑动速度条件下,摩擦系数与电流强度几乎无关的现象。石墨转移膜和氧化物层是形成稳定滑动的主要因素。没有电流时,磨损机理主要是磨粒磨损,但随着电流的增强,电磨损变为滑动过程中复合材料的主要磨损机理。     

Cu/Mo/Cu复合板界面变形及厚度配比

采用热轧+温轧方法制备Cu/Mo/Cu复合板,研究轧制工艺对复合板结合界面及组元厚度配比的影响。结果表明：经过轧制变形后,铜钼界面实现紧密结合且结合机制为齿状啮合,铜层外表面和靠近界面层的晶粒比中部细小;随着变形量的增加,铜层等轴状晶粒沿轧制方向被拉伸,界面结合效果明显改善,且由齿状变得较为平直。分析组元厚度配比,铜层变形量较钼层的大,随着总压下量的增加,组元压下率的差值减小,变形量逐渐趋于一致;首次提出了Cu/Mo/Cu三层复合板厚度配比的关系,为实际选择原料提供依据