钨酸镉单晶的坩埚下降法生长

以高纯CdO,WO3为初始原料,应用高温固相反应合成CdWO4多晶料.采用垂直坩埚下降法生长CdWO4单晶,生长单晶时炉体温度为1 350～1400℃,固液界面温度梯度为30～40℃/cm,坩埚下降速率为0.5～1.5mm/h.生长的透明的CdWO4单晶尺寸达φ40mm×70mm.用X射线衍射、透射光谱和X射线激发发射光谱等进行了单晶性能的表征.结果表明:CdWO4单晶具有良好的晶格完整性:单晶的吸收边位于325nm左右,在380～900nm区域的光透过率达70%左右.CdWO4单晶X射线激发发射光的峰值波长位于470nm.     

坩埚下降法生长铌酸锂晶体

采用坩埚下降法,生长了直径为5 cm的铌酸锂晶体.探讨了晶体生长工艺条件,测试了晶体的透过光谱.所得晶体呈浅茶色,分析认为主要是氧空位缺陷所致.铌酸锂晶体通常用作声表面波(surface acoustic wave,SAW)器件的基片,氧空位缺陷可增加基片的电导率,减少器件制造过程中晶片开裂,有利于提高SAW器件成品率.     

硅酸铋（BSO）闪烁晶体的研究综述

硅酸铋（BSO）晶体是一种性能良好的新型闪烁晶体,在高能物理、空间科学、核医学等方面有着广泛的应用。综述了BSO晶体的发展历史、晶体结构、晶体性能及生长,从晶体掺杂、纤维晶体、闪烁陶瓷等方面讨论了近年来BSO晶体的研究进展。     

硅酸铋晶体的结晶习性与形貌

从结晶化学角度出发，研究了熔体提拉法生长硅酸铋（ＢＳＯ）晶体的结构与形貌，提出晶体的生长基元为［ＢｉＯ６］ｎ＾９－和［Ｂｉ１２ＳｉＯ３６］ｎ＾３２－负离子配位多面体的论点。研究了晶体中各族晶面的显露程度与［ＳｉＯ４］ｎ＾４－四面体结晶方位的对应关系，晶体中的正极面与硅氧四面体面平等；四面体的顶角正在对负极面。     

近化学计量比LiNbO3晶体的坩埚下降法生长

报道了化学计量比LiNbO3(stoichiometric lithium niobate, SLN)晶体的坩埚下降法生长.采用一致融熔成分铌酸锂籽晶,以K2O为助熔剂,在自制的坩埚下降炉内生长SLN晶体.最高炉温控制在1 300 ℃附近,固液界面处的纵向温度梯度为40～60 ℃/cm,坩埚下降速率小于5 mm/d,在密闭的铂坩埚中,成功地生长出尺寸为25 mm×40 mm的近化学计量比铌酸锂单晶.测得晶体的Curie温度为190 ℃,利用有关公式计算出所得晶体的n(Li)/n(Li+Nb)为0.495 6,研究了熔体的析晶行为及晶体的宏观缺陷.     

Zn:Fe:LiNbO3单晶的坩埚下降法生长及其成分研究

通过优选合适的化学原料，用坩埚下降法生长出了无宏观缺陷的Zn：Fe：LiNbO3(Zn：Fe：LN)单晶。生长的工艺参数是：用微凸生长界面生长，生长速度为1～3mm／h，温度梯度为20～30℃／cm。用X射线衍射及DTA对晶体进行了分析；测定了晶体的吸收光谱。结果表明：所有Zn：Fe：LN晶体中的Fe^2 浓度沿生长方向增加；掺杂3％ZnO(摩尔分数)的Zn：Fe：LN单晶中的Fe^2 浓度沿生长方向的变化量比掺杂6％ZnO的大。从坩埚下降法的温场特点、晶体的热处理过程、环境气氛，以及ZnO组分对Fe离子的排斥作用解释了产生Fe^2 离子浓度变化的原因。     

对硅酸铋晶体实时自动记录信息的研究

从原理与实验两方面论述了硅酸铋晶体实时自动记录，显影光学信息的特性。其灵敏度比铌酸锂晶体高１００倍。实验表明，在晶体上施加约为６ＫＶ．ｃｍ＾－１的横向电场和１５×１０＾５Ｐａ的横向气压，可进一步提高灵敏度，作为实例，用硅酸铋晶体和微机控制的全息装置，实时自动地测试了薄板受力后的变形。     

Co~(2+),Zn~(2+)双掺杂铌酸锂晶体的坩埚下降法生长及其光谱特性(英文)

在LiNbO3中掺入0.1%(摩尔分数,下同)的CoO与3%,6%的ZnO,采用坩埚下降法技术生长了双掺杂的Co2+∶Zn2+∶LiNbO3晶体。用X射线衍射与差热分析表征了获得的晶体。测定了晶体不同部位在350~2 500 nm波段的吸收光谱。研究表明:Co离子位于LiNbO3晶体的崎变的氧八面体中,呈现+2价,沿着生长方向Co2+在晶体中的浓度逐渐减少。ZnO的掺杂有效地抑制了Co2+离子在晶体中的掺入,使得Co2+在晶体中浓度的分布变得均匀。同时发现:ZnO的掺入使得上部晶体的熔点升高。从化学组分的角度解释了产生熔点变化的原因。观测到了750 nm波长的荧光发射带。     

PbWO4:(Mo,Y)晶体的闪烁性能研究

用改进的坩埚下降法生长PbWO4(Mo,Y)和纯PbWO4闪烁晶体.对切自毛坯晶体籽晶端的23 mm×23 mm×20 mm六面抛光样品进行了吸收光谱、超短脉冲X射线激发荧光寿命、光产额和辐照损伤性能的测试.结果表明Mo,Y双掺杂能显著增强PbWO4晶体的辐照硬度,在35 Gy/h的剂量率下辐照24 h后,纯PbWO4晶体的光产额变化率为52.4%,而PbWO4(Mo,Y)晶体的光产额变化率仅为17.5%.Mo,Y双掺杂也改善了PbWO4晶体在350～420 nm范围内的光学透过性能,并且PbWO4(Mo,Y)晶体的平均发光衰减时间缩短为8.5 ns,较之纯PbWO4晶体(15.2 ns)更快.     

Bi12SiO20晶体的生长习性

分别沿[001],[110]及[111]3种方向用提拉法生长Bi_(12)SiO_(20)晶体,研究了生长条件对晶体形态的影响。应用PBC理论,分析了各晶面的特性:{100}和{110}为F面,{211}为S面,{111}属于K面。并依据连接能的计算,得到晶面的重要性顺序。PBC解析形态与在特定条件下生长的晶体形态相当一致。     

Bi4Ge3O12（BGO）微晶粒的水热法制备

以Ｂｉ２Ｏ３和ＧｅＯ２粉为起始物料，经水热反应制得Ｂｉ４Ｇｅ３ｏ１２（ＢＧＯ）微晶粒。晶粒粒度为５－２０μｍ；结晶完好的晶粒呈多面体状。文中对所用前驱物的形式、水热反应的物理－化学条件与产物物相，晶粒形貌关系作了总结。     

新型弛豫铁电单晶(1-x)Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_(3-x)PbTiO_3生长的技术创新

(1-x)Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_(3-x)PbTiO_3(PZNT)晶体是弛豫铁电体Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3)O_3与普通铁电体PbTiO_3组成的具有钙钛矿结构的固溶体,其准同型相界成分(x=0.09)附近表现出极其优异的压电性能,在医用超声成像、声纳、微位移器等方面具有广阔的应用前景,分析了PZNT-PbO赝二元系的析晶行为和相关系,总结了PZNT晶体的压电性能,讨论了生长工艺和成分对晶体性能的影响。针对PZNT晶体生长中存在的问题,发展了助熔剂-坩埚下降法、通气诱导成核技术、两步法生长工艺、区熔凝固技术、底部籽晶高温溶液法等多种生长技术,生长出大尺寸的PZNT晶体,并比较了这些生长技术的特点。     

Bi12SiO20晶体核芯的形成和消除

对于沿＜００１＞、＜１１０＞、＜１１１＞和＜１１２＞４种取向提拉法生长的直径为３５ｍｍ的ＢＳＯ晶体进行了剖析。用阴影法和光学显微镜观察等方法揭示了ＢＳＯ晶体中深色核芯与生长取向、界面形状及小面生长之间的关系。讨论了核芯形成机制和消除方法。指出通过选择适当的转速，使晶体以平的或凹的界面生长，可消除＜００１＞和＜１１０＞取向生长的ＢＳＯ晶体中的核芯；选择＜１１１＞和＜１１２＞取向生长则能有效地避免深色     

垂直Bridgman法生长Cr^3^＋：LiCaAlF6的研究

用垂直Ｂｒｉｄｇｍａｎ法从化学计量比组份的熔体中长出Ｃｒ＾３＾＋：ＬｉＣａＡｌＦ６单晶。采用封闭式坩埚和液封技术有效地抑制了熔体的挥发和环境中微量氧的污染。生长参数为：生长速度０．７ｍｍ／ｈ，生长温度８７０℃，气氛Ａｒ。同时借助于光学湿微镜，扫描电镜，Ｘ射线能谱及波谱对晶体中的显微缺陷进行了观察和分析。对Ｃｒ＾３＾＋：ＬｉＣａＡｌＦ６晶体的吸收光谱和发射光谱进行了测试。此外，通过红外吸收光谱发...     

Bi4Si3O12纳米粉体的制备与表征

以正硅酸乙酯和Bi2O3为原料,采用溶胶-凝胶法制备了硅酸铋(Bi4Si3O12)纳米粉体.通过X射线衍射和电子显微镜分析了合成粉体的相结构和形貌,测定了粉体的粒度分布曲线,研究了正硅酸乙酯用量对产物相组成的影响.结果表明:干凝胶粉末在750℃热处理2 h,得到了粒径为40～100nm的粉体.正硅酸乙酯的实际用量为理论用量的6倍时,可以制备出相组成为Bi4Si3O1 2的纳米粉体.纳米尺度的Bi4Si3O12材料的激发光谱和发射光谱相对于晶体材料发生了蓝移.