TOD宽间隔混沌调制跳变图案设计

为增强调制跳变技术的抗截获性能, 提出一种基于时间信息(TOD)的宽间隔混沌调制跳变图案设计方法. 针对周期抽取法构造的混沌跳变序列在均衡性方面的缺陷, 提出采用改进的周期抽取与多比特抽取结合的方法产生迭代式TOD混沌跳变序列,并分析验证了该方法良好的均衡性. 为进一步完善抗截获性能, 采用对偶法和随机平移替代法对跳变图案进行宽间隔处理. 仿真结果表明, 对偶法在长周期条件下的性能优于随机平移法, 适用于产生正常通信使用的调制跳变图案; 随机平移法在最大有效周期长度范围内具有很好的均衡性, 适用于短周期突发通信.     

基于转移概率的跳频图案分析与干扰方法

通过分析频率跳变中的转移概率特性,对比了常规跳频、差分跳频的几种典型实现方式中跳频图案变化的状态转移特性,分析结果表明,转移概率对跳频系统抗截获和干扰性能有重要影响,差分跳频虽能提供基于信息数据的更随机化跳频图案,但就转移概率特性而言与常规跳频差别不大,且差分转移阶数较低时其抗干扰性能不如常规跳频. 所提基于跳频转移概率分析的跳频图案分析和干扰方法更简单实用,且可根据性能指标和实际转移概率分布进行干扰策略的动态调整.     

乒乓环在跳频频踪中的应用

快速跳频锁相环技术已经广泛应用于短波、超短波、卫星通信以及雷达等军用领域。从频域上来看,跳频信号的频谱是一个在很宽频带上以不等间隔随机跳变的。与定频通信相比,跳频通信比较隐蔽也难以被截获。同时,跳频通信也具有良好的抗干扰能力,即使有部分频点被干扰,仍能在其他未被干扰的频点上进行正常的通信。文中主要介绍了下列四种跳频方式：1、直接混频法;2、高速单锁相环;3、DDS＋PLL快速跳频法;4、乒乓环交替输出法。     

一种矿井下跳频器的研究与设计

考虑当前的矿井下定位通信系统的发展现状,提出一种可供矿井下定位系统使用的快速跳频器设计方法.阐述了快速跳频器设计原理、AD9954的电路设计、RS跳频器的设计流程和位同步的实现流程,该设计能为矿井下定位通信系统提供可靠、快速信息采集,提高其抗干扰能力和信道利用率.     

单腿跳跃机器人的被动动力学仿真

利用庞加莱映射将机器人周期轨道的分析转化为庞加莱截面上不动点的分析,通过修正的牛顿-拉夫森法,并结合模拟退火算法提供的初始值来进行数值求解,得出了给定初始状态条件下的基于SLIP模型的单腿跳跃机器人的被动动力学周期轨道.所得结果可为相应控制器设计提供参考.     

跳频信号的欠定盲源分离

针对跳频信号的欠定盲源分离,为了解决现有的时频域方法中算法计算量大、信号存在畸变、恢复精度不高的问题,提出了一种基于滤波的跳频信号欠定盲分离算法. 该算法首先根据估计到的源信号载频设计带通滤波器,利用这些滤波器对观察信号进行滤波,得到只包含某一个源信号的观测信号分量,使原分离问题分为数个时域上稀疏的欠定盲分离问题,然后对各个分量在时域上分别应用欠定盲源分离算法估计每跳数据. 通过仿真对比发现,所提的滤波法得到的跳频信号更精确,信干比比时频域方法大4dB;同时所提算法处理的数据量小,计算复杂度低.     

短波跳频通信快速扫描式自同步方法

在研究了等待搜索式同步方法的基础上,提出了适用于短波跳频通信的快速扫描式自同步方法,设计了实现该同步方法的系统原理框图。本系统的关键是接收端频率合成器有两种工作状态：跳频工作状态和快速扫描工作状态,在同步捕获过程中,它工作于扫描状态,能较快地捕获到同步信息。本文还对这种同步方法在缩短同步捕获时间和增强抗干扰性能方面进行了分析,分析结果表明其性能明显优于位移等待式自同步方法。     

跳频通信干扰装备干扰效能分析

针对单纯利用数学方法很难评估跳频通信干扰装备的干扰效果而一般跳频系统的仿真没有考虑跳频同步的问题,利用Matlab/Simulink仿真工具建立了具有同步的完整跳频系统模型,仿真了跳频系统同步的过程.在此基础上模拟了跳频通信干扰装备中3种典型的干扰样式对跳频通信系统的干扰,得到不同干扰样式对跳频通信系统的干扰性能,为准确评估通信对抗装备的干扰效果提供了一种更行之有效的方法.     

自适应技术在跳频通信中的应用及计算机仿真

为了提高跳频通信的保密性和抗干扰能力,文章提出了将自适应技术应用到跳频通信系统,并通过计算机进行系统仿真论证了其优越性能。     

有机铁磁体中的非最近邻电子跳跃相互作用

基于链间耦合的准一维有机铁磁体的理论模型，对存在于系统中的非最近邻电子跳跃相互作用和电-声耦合所给予系统铁磁性的影响进行了研究。结果显示，次近邻电子跳跃相互作用会减弱系统铁磁性基态的稳定性，而第3近邻电子跳跃相互作用则会使系统的铁磁性基态更加稳定；系统内的电-声耦合相互作用与次近邻电子跳跃相互作用在稳定系统的高自旋铁磁基态方面所起的作用相反，彼此间存在着竞争。此外，对系统中的电荷密度和自旋密度分布受非最近邻电子跳跃相互作用和电-声耦合的影响情况亦进行了讨论。