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文章讨论了中红外波段激光器使用的一系列光学薄膜的设计方法和制备工艺。膜系类型涉及截止滤光膜、增透膜与高反膜,根据对称匹配膜层的理论,利用计算机膜系设计优化软件对膜系进行优化后,得到了损耗小、利于制备、重复性好的膜系结构,并且在完成多次实际制备过程后,分析了离子束预处理和离子源辅助蒸发对膜层的影响,确定最优参数的设定值后取得了较好的效果。 相似文献
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红外墙透保护膜系软件设计及应用 总被引:4,自引:0,他引:4
根据制备红外增透保护膜系需要,编制了一个红外增透保护膜系软件。该软件可以设计、计算多层红外均匀增透保护膜系和非均匀增透保护膜系,更有强大多层膜系结构分析功能,不仅可以对设计的膜系进行综合评价,而且能对制备的膜系结构进行分析。实验结果表明,该软件对膜系设计和为制备工艺的改进能提供良好的指导。 相似文献
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MCM—D中薄膜介质层主要是用于多层布线的层间绝缘及埋置电容器介质层。介质膜的制备及刻蚀工艺是(MCM—D)薄膜多层布线工艺的基础和关键技术。聚酰亚胺具有高热稳定性、低介电系数、良好的平坦性及可加工性,是用的最多的薄膜介质材料。本文通过对聚酰亚胺的选择、旋涂、固化工艺控制解决了聚酰亚胺介质膜的制备及稳定性难题。通过精确控制腐蚀时间来实现通孔的湿法刻蚀。 相似文献
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对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本。采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同,可以实现低的电阻值和高的透过率。无退火工艺下PI膜表面平整均匀,氧化铟锡膜与PI膜界面结合良好,无鼓包、麻点等,也没有反应产物生成;经过TFT特性测试发现,无退火工艺比高温退火工艺条件下,无论暗态还是光照状态,开电流没有明显区别,漏电流可降低44%;通过无退火工艺和传统高温退火工艺制备的液晶显示屏的V-T特性相同。 相似文献
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随着现代科学技术的不断发展,光学介质薄膜已被广泛地应用于各个部门。它的种类很多,而其特性及用途亦各不相同,即使同一种材料的介质薄膜,由于制备工艺的不同,会引起其特性的变化。例如;牢固性、机械强度、表面及内部结构形态的差异等等。采用电子显微镜有可能为广大科技人员了解到介质薄膜微观结构的变化。对于介质薄膜断面的研究,能较全面地剖析膜层与基片、膜层与膜层之间的结合情况和内部晶粒变化,以及不同烘烤温度和时间对膜层的结合、牢固性和机械强度等影响,从而改进工艺,制备出较为适用和可靠的薄膜。 相似文献
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利用超高真空多靶磁控溅射设备制备a-Si/Ni多层膜,经XPS和Raman谱的分析研究表明;在所取工艺条件下制备的a-Si/Ni我层膜为周期性的成份调制结构,以特殊的表面电极结构,讨论了a-Si/Ni多层膜的横向光电效应与周期结构参数的关系。 相似文献
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为了获得用于高功率激光放大器的单层宽带增透膜,采用有机聚合物聚乙烯吡咯烷酮掺杂调控二氧化硅胶体生长制备了粒度分布更宽广的稳定胶体体系,通过提拉镀膜工艺,制备了单层增透膜。采用粒度仪和粘度仪监测胶体的性质,用分光光度计测量了膜层透过率,并用X射线能谱分析了膜层结构。结果表明,聚乙烯吡咯烷酮引入胶体中使得胶体粒度分布更宽,所得膜层具有折射率渐变特性,因而膜层具有宽带增透的效果;膜层在550nm~950nm连续波段内透射率不低于99%。单层宽谱增透膜层不需后处理就可投入使用,膜层性能稳定,满足了激光装置片状放大器的运行要求。 相似文献
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以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直TSV的制造工艺复杂,容易造成填充缺陷。锥形TSV的侧壁倾斜,开口较大,有利于膜层沉积和铜电镀填充,可降低工艺难度和提高填充质量。在相对易于实现的刻蚀条件下制备了锥形TSV,并通过增加第二步刻蚀来改善锥形TSV形貌。成功制备了直径为10~40μm、孔口为喇叭形的锥形TSV。通过溅射膜层和铜电镀填充,成功实现了直径为15μm、深度为60μm的锥形TSV的连续膜层沉积和完全填充,验证了两步刻蚀工艺的可行性和锥形TSV在提高膜层质量和填充效果方面的优势。为未来高密度封装领域提供了一种新的TSV制备工艺,在降低成本的同时提高了2.5D/3D封装技术的性能。 相似文献
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论述了扫描电镜技术在VLSI多层布线技术中的应用。扫描电镜技术为层间介质膜的制备、介质膜表面平坦化及介质通孔的干法腐蚀结果,提供了清晰的照片,有效地指导了多层布线的工艺并获得了用于VLSI的最佳化多层布线工艺条件。 相似文献
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反应磁控溅射制备SiOx渐变折射率红外梳状滤光片 总被引:1,自引:0,他引:1
梳状滤光片是一种特殊的非均匀光学薄膜器件,其膜层折射率渐变分布结构使它与常规均匀光学薄膜相比具有更好的光学和机械性能.利用反应磁控溅射工艺,改变沉积SiOx(0≤x≤2)膜氧化程度,获得折射率从2.74逐渐变化到1.58(λ=1550 nm)的SiOx渐变折射率薄膜材料.通过调制膜层折射率振幅和引入膜层-外部介质折射率匹配层,成功地设计并制备了具有较好光学性能的SiOx渐变折射率红外梳状滤光片光学薄膜器件.使用单一的硅溅射靶材,通过改变氧化程度获得可变折射率材料的方法,为特殊光学薄膜器件的制备提供了一种经济实用的工艺路线. 相似文献
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多层介质膜MIM薄膜二极管的I-V特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
制备了一种用于有源矩阵液晶显示的具有对称结构、较好 I-V特性对称性和较高电流通断比的 MIM薄膜二极管。采用了基于反应溅射的多层膜工艺制备其 Ta2 O5绝缘层。采用原子力显微镜 (AFM)对 Ta2 O5膜进行了表面分析 ,并对 MIM薄膜二极管的 I-V特性进行了测试。AFM分析结果表明 ,电子束蒸发 /反应溅射 /电子束蒸发法工艺制备的绝缘膜表面平整 ,膜层较致密 ;I-V特性测试结果显示 ,MIM-TFD的电流通断比约为 1 0 5,I-V特性曲线的非线性系数为 1 0 ,左右阈值电压分别为 6.3 V和 5 .8V,具有良好的对称性。该 MIM薄膜二极管的性能可以满足有源矩阵液晶显示的要求 相似文献