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正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70封装的150 V N沟道MOSFET——SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面积为2mm×2mm,在10 V下具有业内最低的导通电阻,可通过减少传导和开关损耗,在各种空间受限的应用中提高效率。SiA446DJ适用于隔离式DC/DC转换器里的初级侧开关、LED背光里的升压转换器,以及以太网供电(PoE)的供电设备开关、电信DC/DC砖式电源和便携式电子设备里电源管理应用的同步整流和负载切换。对于这些应用,Power-PAK SC-70的占位比3mm×2.8mmTSOP-6封装小55%,同时热阻低40%。,、 相似文献
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厉害了,ROHM DC/DC转换器
近日,ROHM面向轻度混合动力汽车等48V电源驱动的车载系统,开发出汽车要求的2MHz工作(开关)条件下业界高降压比的内置MOSFET降压型DC/DC转换器举实现应用的小型化与系统的简化. 相似文献
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据《世界电子元器件》2009年9月月刊报道,IR推出一系列150 V和200 VHEXFET功率MOSFET,为开关模式电源(SMPS)、不断电系统(UPS)、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷(Qg)。随着DC/DC功率转换应用技术的日益进步,开关频率也有所提高,输入电 相似文献
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监管机构与终端客户对DC/DC电源效率的要求越来越高。新的设计要求更低的导通阻抗,同时不能影响非钳位电感性开关(UIS)能力或者不增加开关损耗。屏蔽栅极MOSFET可为30~200V范围的DC/DC电源设计人员提供相关解决方案。现在,通过提高开关性能,导通阻抗Rds(on)已能降低50%及以上,从而提高效率,为更高频率工作创造条件。本文讨论了屏蔽栅极MOSFET在中等电压MOSFET(40~300V)应用中的优势。 相似文献
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Bruce Haug 《中国集成电路》2015,(Z1):84-87
1引言过去25年,高密度隔离式DC/DC电源转换器已经发生了显著变化。全砖和半砖DC/DC转换器最初推出时,用户和电源公司都非常振奋。这类砖式DC/DC转换器纳入了数百个组件,非常容易使用,因而用户不必再自行设计。这类器件适用于电信应用,电信应用中的-48V输入需要隔离输入和输出,因为总线电压提供很大的功率。此外,这类转换器可在数据通信和工业系统中作为分布式电源架构的起 相似文献
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经过近两年的发展,EPC公司的eGaN产品已经发展到第二代,在性能上有了更好的表现,例如体积更小、开关效率比相同导通电阻的MOSFET高出更多等。eGaN FET的高性能正在使之更快地被高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路等采用,而TI在去年推出的业界首款100V半桥GaN FET驱动器LM5113,则进一步推动了eGaN FET在高性能电信、网络以及数据中心中的应用。 相似文献
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同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给出参数齐全的应用电路,但用户的使用条件经常与典型应用电路不同,要根据实际情况改变功率MOSFET的参数。对功率MOSFET的要求同步整流降压式DC/DC转换器的输入及输出部分电路如图1所示,它是由带驱动MOSFET的控制器及外接开关管(Q1)及同步整流管(Q2)等组成。目前,Q1和Q2都采用N沟道功率MOSFET,因为它们能满足DC/DC转换器在输入电压、开关频率、输出电流及减少损耗上的要求。开关管与同步整流管的工作条件不同,其损耗也不一样。… 相似文献