Vishay N沟道MOSFET新增SiA446DJ

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70封装的150 V N沟道MOSFET——SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面积为2mm×2mm,在10 V下具有业内最低的导通电阻,可通过减少传导和开关损耗,在各种空间受限的应用中提高效率。SiA446DJ适用于隔离式DC/DC转换器里的初级侧开关、LED背光里的升压转换器,以及以太网供电(PoE)的供电设备开关、电信DC/DC砖式电源和便携式电子设备里电源管理应用的同步整流和负载切换。对于这些应用,Power-PAK SC-70的占位比3mm×2.8mmTSOP-6封装小55%,同时热阻低40%。,、     

60V一步降到2.5V,ROHM单芯片助力48V车载电源

厉害了,ROHM DC/DC转换器 近日,ROHM面向轻度混合动力汽车等48V电源驱动的车载系统,开发出汽车要求的2MHz工作(开关)条件下业界高降压比的内置MOSFET降压型DC/DC转换器举实现应用的小型化与系统的简化.     

研诺推出同类中阻抗最低的半桥MOSFET驱动器

研诺逻辑科技有限公司宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V其半桥双金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）驱动器可提供业界同类多相DC—DC转换器中的最低阻抗。AAT4910双MOSFET驱动器采用一个逻辑输入同时驱动高／低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时,高侧外部MOSFET开启;当逻辑输入为低时,低侧MOSFET开启。当采用5V电源轨供电时,该器件的电路可通过高达28V的电源输入驱动高侧N沟道MOSFET。     

150V/200V MOSFET

据《世界电子元器件》2009年9月月刊报道,IR推出一系列150 V和200 VHEXFET功率MOSFET,为开关模式电源(SMPS)、不断电系统(UPS)、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷(Qg)。随着DC/DC功率转换应用技术的日益进步,开关频率也有所提高,输入电     

TPCA80xx-H系列MOSFET

TPCA8045／46／47／48／49／50和51-H系列MOSFET提供了电压为40V、60V和80V的一系列器件,它们适用于移动通信应用中的隔离式DC／DC总线转换器所用到的初级侧开关。这些N沟道器件也可以用于非隔离DC／DC转换器。     

电源

凌特LTC3444为3G WCDMA应用提供0．5V至5V输出；国际整流器HEXFET MOSFET芯片组提高转换器效率；研诺逻辑最新DC—DC转换器面向移动应用；Artesyn公司发布AC—DC产品TLP150系列；德州仪器3A SWIFT转换器面向数字电视与工业负载点系统；[编者按]     

IR完成DC/DC转换器用MOSFET发展计划的第二阶段

IR针对DC/DC转换器发展功率半导体器件和集成电路,已推出了五十多种新的功率MOSFET器件,这些器件可以提高多种电路的低电压隔离式DC/DC转换器及降压DC/DC转换器的效率。用于功率转换的新型专用MOSFET和集成电路可以用于输出电压为1.6V、输出电流高达40A以上的多相降压转换器。新的IRF7901D1包含两个MOSFET,用于输出1V的高效率降压转换器,利用它可以把1V的     

凌力尔特推出突破性2A太阳能电池充电器

IR推出一系列150V和200VHEXFET功率MOSFET，为开关模式电源（SMPS）、不断电系统（UPS）、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷（Qg）。     

IR推出用于2MHz降压转换器的MOSFET

国际整流器公司(IR)最近推出的IRF6607是30V的MOSFET,在降压DC/DC转换器中用作同步整流开关,开关频率高达2MHz.     

飞兆推出最小尺寸的互补对称MOSFET器件

飞兆半导体公司推出最小尺寸的互补对称MOSFET解决方案，为微型“点”功率应用和负载点(POL)DC／DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。FDC6020C将两个MOSFET集成于一个超小型的SuperSOT-6FLMP封装(倒装导模封装)中，适用于机顶盒、数码相机和硬盘驱动器等产品。该器件的低压门限(VGS=2．5V)可简化采用3．3V总线转换器或单节锂离子电池供电的设计。     

电源和电源管理

用于移动电脑的电源芯片国际整流器公司(IR)的IRF7811及IRF7809是低压HEXFET功率MOSFET芯片组符合英特尔移动电源2000年规范(Intel Mobile Power Guideline 200),用于中央处理器内及外围设备的DC/DC转换器。利用该芯片组可以把DC/DC转换器的整体效率提高到90％。将来移动电脑的中央处理器要求电源电压低至1.3V,电流超过     

德州仪器电源转换器延长便携式医疗与工业系统的电池使用寿命

集成二极管、输入/输出隔离与大电流开关的27V DC/DC转换器简化电源设计日前,德州仪器(TI)宣布推出一款高集成度升压转换器--TPS61081。该器件支持27V的输出电压,并进一步延长了便携式工业与医学应用(如便携式诊断系统)的电池使用寿命。     

利用屏蔽栅极功率MOSFET技术降低传导和开关损耗

监管机构与终端客户对DC/DC电源效率的要求越来越高。新的设计要求更低的导通阻抗,同时不能影响非钳位电感性开关（UIS）能力或者不增加开关损耗。屏蔽栅极MOSFET可为30～200V范围的DC/DC电源设计人员提供相关解决方案。现在,通过提高开关性能,导通阻抗Rds（on）已能降低50%及以上,从而提高效率,为更高频率工作创造条件。本文讨论了屏蔽栅极MOSFET在中等电压MOSFET（40～300V）应用中的优势。     

减少了组件数量的隔离式正向DC/DC转换器

1引言过去25年,高密度隔离式DC/DC电源转换器已经发生了显著变化。全砖和半砖DC/DC转换器最初推出时,用户和电源公司都非常振奋。这类砖式DC/DC转换器纳入了数百个组件,非常容易使用,因而用户不必再自行设计。这类器件适用于电信应用,电信应用中的-48V输入需要隔离输入和输出,因为总线电压提供很大的功率。此外,这类转换器可在数据通信和工业系统中作为分布式电源架构的起     

安森美半导体推出完全电源解决方案

安森美半导体宣布推出新的高压MOSFET产品线。推出这些新的600伏(V)MOSFET，扩展了该公司的简化电源设计方案，适用于开关模式电源、PWM马达控制、转换器和桥电路应用中。增加高压MOSFET后，现在安森美半导体可单独提供所有的电源设计重要有源元件。     

RQ3G130MN等：功率MOSFET

罗姆推出耐压40V的功率MOSFET，适合用于以工业设备和车载领域为中心的、输入电压24V的DC／DC转换器。新系列产品根据用途采用6种封装，共13种产品。从9A到100A（可用于需要大电流的大功率设备），所适用的电流值范围更宽。另外，采用罗姆独家的新构造，与以往的一般产品相比，功率转换性能改善约30％，尤其对需要大电流的大功率设备的DC／DC电源电路实现更低功耗贡献巨大。     

IR推出150V和200V MOSFET为工业应用提供极低的闸电荷

国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）推出一系列150V和200VHEXFET功率MOSFET,为开关模式电源（SMPS）、不断电系统（UPS）、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷（Qg）。     

加快eGaN发展 EPC称硅FET已走到尽头

经过近两年的发展,EPC公司的eGaN产品已经发展到第二代,在性能上有了更好的表现,例如体积更小、开关效率比相同导通电阻的MOSFET高出更多等。eGaN FET的高性能正在使之更快地被高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路等采用,而TI在去年推出的业界首款100V半桥GaN FET驱动器LM5113,则进一步推动了eGaN FET在高性能电信、网络以及数据中心中的应用。     

降压式DC/DC转换器的MOSFET选择

同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给出参数齐全的应用电路,但用户的使用条件经常与典型应用电路不同,要根据实际情况改变功率MOSFET的参数。对功率MOSFET的要求同步整流降压式DC/DC转换器的输入及输出部分电路如图1所示,它是由带驱动MOSFET的控制器及外接开关管(Q1)及同步整流管(Q2)等组成。目前,Q1和Q2都采用N沟道功率MOSFET,因为它们能满足DC/DC转换器在输入电压、开关频率、输出电流及减少损耗上的要求。开关管与同步整流管的工作条件不同,其损耗也不一样。…     

电源

集成了LDO的高电流降压转换器,提供高限流精度的负载开关,超低功耗电压监控器,适用于光网络的纤巧双路热插拔控制器,3A半桥MOSFET驱动器,USB／AC负载均衡锂离子／锂聚合物电池充电器,具有80V抛负载保护的双路输出DC／DC转换器……