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文章对高温超导薄膜红外探测器进行了基本理论分析,给出了器件设计思想,并报导了用高TcGdBa2Cu3O7-x薄膜制备的单元红外探测器,2×2阵列红外探测器的实验结果。在液氮温度下得到的最好结果是噪声等效功率NEP(500,10,1)=3.8×10-12WHz-1/2,探测率D*=1.7×1010cmHz1/2W-1,响应度Rv=3312VW-1。器件经过十多次的冷热循环,并在室温下保存一年以上。所得测量结果基本不变。 相似文献
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为了提高超导薄膜红外探测器的工作带宽、响应速度和灵敏度,并便于进行集成平面工艺,我们设计了微桥型红外敏感元及与其耦合的领结型平面天线,其检测波长范围可从中红外到毫米波段,理论估算其NEP值可达1.2×10-12WHz,响应时间τ≤10—6S。 相似文献
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选用高Tc超导薄膜YBa2Cu3O7-8,引用半导体集成工艺,制出2×8元列阵红外探测器,其探测率D均达到10^8 ̄10^9cm·Hz^1/2·W^-1,工作温度为89K。 相似文献
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高温超导红外探测器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
采用高温超导薄膜YBaCuO和GdBaCuO研制超导红外探测器。将超导膜通过光刻湿法腐蚀成形后,用剥离技术制备金电极并合金化,热压焊接4根引线,超导芯片安装在抽空窗口为KRS-5的红外探测器杜瓦瓶中。77K超导红外探测器的测试性能为:NEP_(min)=1.6×1~(-9)W/Hz~(1/2),D_(bbmax)~*=4.15×10~7cmHz~(1/2)/W,R_(max)(500K)=136V/W,τ_(min)=8.8ms,λ_p=13.6μm。对超导器件的稳定性考察得出:微桥寿命最短,长桥次之,蛇形较长。一支蛇形器件经过数十次的冷热循环和电测试,寿命已超过5个月。 相似文献
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GaAs/AlGaAs多量了阱结构的红外探测器是近几年出现的一种新型红外探测器。本文对基基本原理作了介绍。并报导了最新研制成果;Dλ=1.42×10^11cmHz1/2W^-1=Rλ=2.32×10^6V/W,峰值响应为8.5μm的高性能GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器。 相似文献
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本文介绍了非本征硅红外探测器工作机理,叙述了4×4面阵探测器的设计和研制中的要点,给出了4×4掺铟硅CID阵列的部分性能参数。在79K温度下,探测元的D值为(1~4)×108cm~(1/2)W~(-1)。 相似文献
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基于超导探测器具有量子响应的实验论据,用量子理论导出高温超导薄膜探测器的,表明超导探测器的正比于超导薄膜长厚比的平方根,而与宽度无关。因此,采用超导薄膜(减小厚度),同时将薄膜光刻成弯曲线条或蛇形,增加其长度,将获得高D*值的超导探测器。这是具有量子响应的超导探测器的重要结论。它为超导红外探测器的研制、设计提供了重要的理论依据。 相似文献
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分析了超导-半导场效应晶体管的工作原理,利用电阻分流模型对其性能进行了讨论,并给出了详细的计算结果。其中认为沟道中载流子分布符合费米-狄拉克分布函数,并考虑了沟道载流子迁移率的变化。 相似文献
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分析了超导-半导场效应晶体管的工作原理,利用电阻分流模型对其性能进行了讨论,并给出了详细的计算结果。其中认为沟道中载流子分布符合费米-狄拉克分布函数,并考虑了沟道载流子迁移率的变化。 相似文献
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超导场效应器件的统一小信号传输线模型 总被引:2,自引:2,他引:0
本文提出了超导场效应器件的统一小信号模模型。建立这个模型的出发点是其于用有源分布的超导传输线对超导场效应器件的超导沟道区动态导纳进行模拟,经逐次沟道拟似,得到了既适用于超导表面场效器件又适用于超导PN结型或肖特基结型场效应器件(JSuFETs)或(MESuFETs)的统一小信号模型。 相似文献
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RCJL(电阻耦合约瑟夫孙逻辑)是电流注入控制型的典型超导逻辑门电路。本文用四阶龙格-库塔法分析了RCJL的传输特性,并分别对门的边沿激励、阻尼作用及门间隔离电阻对传输性能的影响作了详细的分析讨论。 相似文献
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翁建平 《固体电子学研究与进展》1993,13(4):351-355
本文回顾了非常规超导体的实验研究。虽然氧化物陶瓷超导体的研究已成为高温超导体研究的主流,但将冀望固定于某种特定材料的想法是不全面的。 相似文献
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本文在直线法分析共面波导传输线的基础上,针对直线法的特点,利用麦克斯韦方程组中的欧姆定律以及超导体复电导率的概念,将二流体模型引入到分析中。从而计算出具有一定厚度超导薄膜的共面波导传输线的色散特性和衰减特性。由于直线法是一种半解析半数值的方法,和其他复杂的场分析相比节省了大量的计算时间,同时保证了计算精度,避免了常用的利用表面阻抗引入超导体复电导率的准静态分析方法。并且对于导带是理想导体、有耗普通 相似文献