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相似文献
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1.
以无机盐SnCl2·2H2O,Y(NO3)3·6H2O为原料,无水乙醇为溶剂,采用溶胶-凝胶工艺制备了Y2O3掺杂的SnO2薄膜.采用差热-失重分析研究了Y2O3掺杂的SnO2干凝胶粉末的热分解、晶化过程.研究了Y2O3-SnO2薄膜的电学和气敏性能.从实验中得到了Y2O3掺杂份量对SnO2薄膜电学及气敏性能的影响.实验表明Y2O3掺杂的SnO2薄膜在常温下对NOx具有较好的灵敏度和选择性,并具有较好的响应恢复性能;在常温下对H2S气体也具有一定的灵敏度.  相似文献   

2.
ZrO2掺杂对SnO2薄膜电性及气敏性的影响   总被引:2,自引:2,他引:0  
本研究不用金属醇盐而以无机盐SnCl2.2H2O为主体原料,以Zr(OC3H7)4为掺杂剂,无水乙醇为溶剂,采用溶胶-疑胶Sol-Gel)工艺制备了不同ZrO2掺杂份量的SnO2薄膜,发现ZrO2薄膜在常温下对H2S气体具有较好的气敏性能,同时本文研究了ZrO2掺杂份量对SnO2薄膜导电率及气敏性能的影响。  相似文献   

3.
掺杂SnO2透明导电薄膜电学及光学性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过实验测量 sol-gel工艺制备的 Sb掺杂 SnO2薄膜载流子浓度、迁移率、电阻率、膜厚,紫外-可见光区透射率、反射率等性质,详细研究了Sb掺杂SnO薄膜电学与光学性能.实验发现,薄膜具有良好的透光性和较高导电性,膜内载流子浓度高达1020cm-3,电阻率~10-2Ω·cm,透光率高达 90%,SnO膜禁带宽度 E≈37~3.80eV.  相似文献   

4.
采用Yb2O3、Y2O3复合稳定剂,制得了高强度、高韧性的四方相氧化锆陶瓷材料,用XRD研究了材料的相组成及断裂相变量;用SEM观察了材料的显微结构,分析了力学性能与断裂相变量及显微结构的关系,发现在Y-TZP材料中掺入-3mol%Yb2O3,可使在保持原有抗弯强度的同时,一定程度地改善断裂韧性,实验结果表明,如果用Yb2O3来提高Y-TZP的时效性能及耐热冲击性,不会影响Y-TZP原有的优良力学  相似文献   

5.
Sol—Gel法制备ZrO2—SnO2薄膜的常温气敏机理   总被引:4,自引:0,他引:4  
根据Sol-Gel工艺制备的ZrO2-SnO2薄膜的气敏性能数据,提出了常温下SnO2(ZrO2)薄膜对H2S的气敏机理模型。根据此模型所得定量分析结果与实验结果一致。  相似文献   

6.
掺锡对α—Fe2O3薄膜微结构和气敏特性的影响研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
柴常春  彭军 《功能材料》1997,28(1):71-74
本文用常压化学气相淀积法(APCVD)制备了α-Fe2O3薄膜,对所制备的薄膜进行了X射线衍射分析和表面形貌(SEM)分析。对薄膜的气敏特性进行了测量。结果表明,用APCVD工艺制备的α-Fe2O3薄膜对烟者极为敏感并且具有良好的选择性;本研究还对所制备的α-Fe2O3薄膜进行了有效的掺杂,对掺杂样品的气敏特性测试表明四价金属元素Sn的掺入对α-Fe2O3薄膜的气敏特性有显著的影响。实验表明用AP  相似文献   

7.
潘铭  辛厚文 《功能材料》1999,30(5):486-488,491
以金属β-二酮螯合物为原物质,采用新颖的一单一固态混合源MOCVD技术,较低温度下在不同衬底上成功地制备了Y2O3掺杂的CeO2(CYO)薄膜和Y2O3掺杂的SrCeO3(SCY-O)为主相的薄膜。CYO薄膜为萤石结构的多晶体,厚度约为2μm。  相似文献   

8.
燃烧合成AlN/ Y2O3陶瓷及致密化机理分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用SHS工艺,在100MPa的高压氮气下,制备了具有较高致密度的AlN/Y2O3陶瓷,结果显示,Al-N2-Y2O3体系的SHS过程中,当反应温度升至1760C时,Y2O3与Al2O3形成共晶液相Y3AI3O12,发生液相烧结。随着Y2O3含量的增加,上烧结作用增强2,产物致密度显著提高,抗弯强度及断裂韧性。Al-N2-Y2O3主要发生在燃烧波蔓延方向,具有明显的方向性。  相似文献   

9.
应皆荣  万春荣 《功能材料》1999,30(5):503-506
采用淀粉产法制备了TiO2-K2O-Y2O3-SiO2(Ti:K:Y:Si=1:0.1+0.04+0.05,摩尔比)陶瓷薄膜结露元件,研究了陶瓷粉末和薄膜的结构以及元件的感湿性能。600℃热处理后,陶瓷粉末和薄膜主要由锐钛矿型Tdisplay status  相似文献   

10.
CaO-Y2O3添加剂对AlN陶瓷显微结构及性能的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了掺杂CaO-Y2O3热压烧结和常压烧结AlN陶瓷的性能和显微结构.结果表明:热压烧结AlN陶瓷的第二相为Y3Al5O12,常压烧结AlN陶瓷的第二相为Y3Al5O12和Ca3Y2O6;热压烧结AlN的第二相体积百分数和晶格氧含量均低于常压烧结;热压烧结AlN陶瓷的微观结构良好,其热导率达到200W/m·K.  相似文献   

11.
室温固相反应制备纳米Co3O4粉体   总被引:23,自引:0,他引:23  
以硝酸钴和碳酸氢铵为原料,采用室温固相反应首先制备出前驱物碱式碳酸钴,然后将前驱物在250℃分解3h,得到纳米四氧化三钴,用X射线粉末衍射、透射电镜、热分析仪、扫描电镜对产物的组成、大小、形貌及有关性质进行了表征。结果表明获得了平均粒径在13nm,分布均匀、无团聚的纳米粉体。  相似文献   

12.
采用低温湿化学还原法,以Bi(NO3)3·5H2O和TeO2为原料,通过乙二胺四乙酸(EDTA)参与调节使反应体系为中性,以NaBH4为还原剂,以表面活性剂Brij56(HO(CH2CH2O)10C16H33)为晶体生长调控剂,制备了Bi2Te3纳米棒.通过X射线衍射(XRD)、X射线荧光探针(XRF),扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品的组成和结构进行了分析,同时初步探讨了Bi2Te3纳米棒的生长机理.结果表明,制备的Bi2We3纳米棒直径在30nm左右,长度在400nm左右,具有单晶结构;反应温度和Brij56的浓度对晶体形貌有较大的影响.  相似文献   

13.
超亲水TiO2/SiO2复合薄膜的制备与表征   总被引:21,自引:0,他引:21  
通过sol-gel工艺在普通钠钙玻璃表面制备了均匀透明的TiO2/SiO2复合薄膜,实验结果表明:在TiO2薄膜中添加SiO2,可以抑制薄膜中TiO2晶粒的长大,同时薄膜表面的羟基含量增加,水在复合薄膜表面的润湿角下降,亲水能力增强,当SiO2含量为10-20mol%时获得了润湿角为0度的超亲水性薄膜。  相似文献   

14.
采用溶胶—凝胶法在玻璃上制备了锐钛矿型TiO2和过渡金属铁、锌离子掺杂的TiO2薄膜,并通过XRD、XPS、AFM表征了合成的薄膜.结果表明铁和锌离子掺入后,TiO2薄膜变的更加致密.铁离子和锌离子分别以Fe2O3和ZnO的形式存在.在紫外光照射下,TiO2薄膜表现明显的亲水性.金属离子掺杂的TiO2薄膜,亲水性能明显增强.铁离子掺入对光催化降解甲基橙有一定的抑制作用;少量的锌离子掺入对光催化降解甲基橙有促进作用,锌离子掺入量增大后,效果并不明显.  相似文献   

15.
RuO2·xH2O/AC复合电极及混合型超级电容器的性能研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
用Sol-Gel法制备RuO2·xH2O,并进一步制备了RuO2·xH2O/活性碳复合电极.针对超级电容器单元工作电压低的问题,研制了一种混合型超级电容器.该电容器是由金属钽阳极、Ta2O5阳极电介质、38wt%的硫酸电解质溶液和RuO2·xH2O/AC阴极组成.组装的超级电容器样品的参数为50V、2.1mF,储能密度为1.48J/cm3.实验结果表明,该电容器具有较高的储能密度和良好的阻抗特性,可以满足脉冲功率技术的要求.  相似文献   

16.
Ti/SnO2+Sb2O3+MnO2/PbO2阳极的性能研究   总被引:10,自引:0,他引:10  
制备了一种非贵金属阳极-Ti/SnO2 Sb2O3 MnO2/PbO2,并用XRD、SEM进行了表征,计算出了电极的分形维数,测定了该电极在硫酸中的使用寿命和动力学参数,把该电极用于处理含酚废水和Pb电极进行对,结果表明,节电33%,转化率达95%,是一种优良的电化学催化剂。  相似文献   

17.
研究了以纳米Fe3O4和活性炭(AC)为电极材料的超级电容器. 以FeSO4·7H2O和氨水为原料, 采用微波法制备出平均粒径为36nm的Fe3O4纳米粒子. 组装了以6mol/L KOH溶液为电解液的Fe3O4/KOH/Fe3O4、AC/KOH/AC、Fe3O4/KOH/AC三种类型的模拟电容器. 用循环伏安、恒流充放电和交流阻抗法对电容器进行了电化学性能测试. 结果发现, 混合电容器的工作电压可达到1.2V. 电流密度为0.5mA/cm2时, 正/负极质量比为1.5的Fe3O4/KOH/AC电容器的能量密度达到9.25Wh/kg, 与AC/KOH/AC电容器相比, 能量密度提高了53.4%.  相似文献   

18.
Nb2O5对ZTM-Al2O3性能及ZrO2增韧机制的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
探讨了Nb2O5对ZTM-Al2O3的性能和ZrO2在瓷体中增韧机制的影响。发现Nb2O5的引入可明显提高瓷体中m-ZrO2含量而降低t-ZrO2含量,材料的机械性能也随Nb2O5添加量的增大出现了显著的改善,并且有韧性的平方正比于m-ZrO2含量的关系,m-ZrO2含量的增加强化了微裂纹增韧是材料性能改善的原因。  相似文献   

19.
直流磁控反应溅射制备IrO2薄膜   总被引:3,自引:0,他引:3  
为研究氧化铱(IrO2)对PZT铁电薄膜疲性能的影响。利用直流(DC)磁控反应溅射(sputtering)工艺成功地在SiO2/Si(100)衬底上制得了高度取向的IrO2薄膜,并在其上制成PZT铁电薄膜,讨论了溅射参数(溅射功率、Ar/O2比、衬底温度)以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶,取向和形态的影响。  相似文献   

20.
Y-TZP/MoS2自润滑材料的制备与研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过醇-水溶液加热方法,制备出Y-TZP包裹MoS2复合粉末,通过热压烧结,制备具有特殊显微结构、力学性能优良的Y-TZP/MoS2复合材料,考察了室温下复合材料与ZrO2配副时的摩擦学性能.结果表明当材料中含有44wt%MoS2时,其摩擦系数为0.25、磨损率为1 05×10-6mm3/m·N.  相似文献   

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