Thermal Oxidation of GaAs and InP in the Presence of Al2(SO4)3

The thermal oxidation of GaAs and InP is investigated when Al₂(SO₄)₃ is introduced into the oxidizing atmosphere. It is found that the stimulator accelerates the reaction in both cases. The process and films are examined by laser ellipsometry, IR spectroscopy, and XRF. On this basis the role is identified of the stimulator anionic component, which causes the oxidation to branch and increases its rate.     

铁电液晶SmC*相介电特性的研究

建立了铁电液晶ＳｍＣ＾＊相介电特性的分子理论,求出在外加交变电场上流晶系统的自由能密度,得到极化强度〈＾→Ｐ〉和复介电常数ε＾＊的近似表达式。结果表明ε＾＊是外加交变电场的角频率、幅值、温度以及液晶的分子结构参数的函数。     

(1-x)ZnWO4-xTiO2陶瓷的微波介电性能研究

用固相反应法在1150℃烧结2h得到了致密的(1-x)ZnWO4-xTiO2 (0.1≤x≤0.8)系列微波介质陶瓷,对陶瓷的相组成、显微结构及微波介电性能进行了研究.结果表明:在(1-x)ZnWO4-xTiO2 (0.3≤x≤0.5)陶瓷样品中存在ZnWO4、TiO2及Zn2TiO4三相,当Zn2TiO4相的量较多时,样品的微波介电性能较好.随着TiO2的含量增加,(1-x) ZnWO4-xTiO2陶瓷的εr及τf值单调递增,而Q·f值则先上升后下降.当x=0.4时,(1-x)ZnWO4-xTiO2陶瓷样品的微波介电性能为:εr=26.56、Q·f=42 278 GHz及τf =61.37× 10-6/℃.它是一种具有中等介电常数,中低烧结温度且性能优良的微波介质陶瓷新体系.     

Ni（pz）_4Cl_2型化合物的光磁性质理论研究

本文利用ｄ８（Ｄ＊４ｈ）全组态混合统一晶场理论对Ｎｉ（ｐｚ）４Ｃｌ２型化合物的吸收光谱、基态ＺＦＳ、ＥＰＲ参量及顺磁磁化率进行了统一的计算和理论分析．理论结果与实验观测值符合甚好，从而对Ｎｉ（ｐｚ）４Ｃｌ２的光、磁性质作出了完整的、合理的理论解释。     

MnO2对Pb(Ni1/3 Nb2/3)O3基复相陶瓷介电性能的影响

研究了少量MnO2添加对Pb(Ni1/3Nb2/3)O3基复相陶瓷的介电常数温度特性和频率特性、介质损耗及电阻率的影响。结果表明,少量MnO2的加入,改善了复相陶瓷的介温特性和频率特性,降低了介电常数;同时降低了介质损耗,特别是低频高温下的介质损耗,提高了电阻率。对MnO2在复相陶瓷中所起的作用进行了分析。     

铌酸钾钠陶瓷的低温制备及其介电性能分析

以柠檬酸为配位剂与金属离子配合,水作为溶剂,乙二醇为酯化剂,通过聚合物前驱体法制备(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷.采用XRD和失重-差热(TG-DSC)研究了(K0.5Na0.5)NbO3晶相的形成过程,用SEM对所制得粉体和陶瓷的表面形貌进行了分析.结果表明,凝胶前驱体在加热过程中先反应生成NaNbO3和K2Nb8O21,然后二者固相反应形成K0.5Na0.5NbO3.所得粉体的粒径约为φ400 nm,呈柱状.1 100℃所得陶瓷较致密,在0.1 MHz时的介电常数和介电损耗分别为405和0.036.所制备陶瓷在183℃和375℃时发生相变,其中375℃对应的相变为铁电相变.     

（Zn1-xMgx）2SiO4基微波陶瓷的介电性能研究

对(Zn1-xMgx)2SiO4系统的微观结构和微波介电性能进行了研究。通过Mg取代硅锌矿Zn2SiO4中的Zn,用溶胶-凝胶法制得单一晶相的(Zn1-xMgx)2SiO4固溶体微波陶瓷。当Mg取代量超过其在硅锌矿Zn2SiO4中的最大溶解度时,分解为Zn2SiO4相和Mg2SiO4晶相;同时,通过调整x值(x=0.1~0.4,摩尔分数)可获得介电性能优良的微波瓷料。当x=0.2时,在1 170℃烧结,其微波介电性能为:介电常数rε=6.34,品质因数与频率之积Q×f=189 800 GHz(在f=15 GHz下测试的数据),谐振频率温度系数τf≈-62×10-6/℃。     

Ni(pz)_4Br_2型络合物的光、热、磁性质的理论研究

本文利用d8（D*（4h））对称性与d8（D*（2h））对称性线性叠加d8［（1－C2）D*（4h）＋C2D*（2h）］作为Ni2+离子的环境品场，借助于强场能量矩阵和全组态混合EPR理论对Ni（pz）_4Br_2型络合物的吸收光谱、肖特基（Schottky）热容量和顺碰碰化车进行了统一计算和理论分析．理论结果与实验观测值符合甚好．从而对Ni（pz）_4Br_2的光、热、磁性质作出了完整、合理的理论解释．     

纳米β-Ni(OH)2与球型Ni(OH)2的热性能比较研究

用配位沉淀法合成出纳米级Ni（OH）2，并对其进行XRD，TEM，DSC分析，分析结果表明，所得纳米β-Ni（OH）2为可用作电极材料的β-Ni（OH）2，粒径为30－40nm，且热分解温度比普通球镍低10℃左右，摩尔分解热比普通球镍低4－7kJ，从理论上分析了产生此现象的原因。     

(1-x)BiFeO3-xCoFe2O4复合陶瓷介电性能的研究

采用传统的固相烧结工艺制备3种不同摩尔比的(1-x)BiFeO3-xCoFe2O4(简称(1-x)BFO-xCFO,x为摩尔分数,且x=0.1,0.3,0.5)复合陶瓷样品,并分析了其在室温和变温下的介电性能。研究结果表明,室温下陶瓷样品的介电常数和介电损耗均随CFO含量的增加而降低;当频率大于100kHz时,样品的介电常数随CFO含量的增加而变化不大;当x(CFO)=0.1时,样品在高频时介电损耗变小,而当x(CFO)=0.3或0.5时,陶瓷样品的介电损耗明显大于纯BFO陶瓷的介电损耗。在高温情况下,由于CFO的添加使陶瓷样品存在更多的缺陷活化及CFO所造成的漏电流,使样品在低频时的介电常数与介电损耗都变得很大。在100kHz频率下的交流导电率均随着温度的增加而减少;且相同温度下样品中包含的CFO含量越大其交流导电率也越大。当x(CFO)=0.3和0.5时,复合陶瓷样品的交流导电率随温度的变化规律几乎相同,且它们在相同温度下的交流导电率比纯BFO的大5～6个数量级。     

Piezoelectric and Dielectric Properties of Nonstoichiometric (Na0.5K0.5)0.97(Nb0.90Ta0.1)O3 Ceramics Doped with MnO2

MnO₂-added nonstoichiometric (K_0.5Na_0.5)_0.97(Nb_0.90Ta_0.1)O₃ lead-free piezoelectric ceramics were prepared by conventional sintering processes. X-ray diffraction data show that MnO₂ diffuses into the lattice of (K_0.5Na_0.5)_0.97 (Nb_0.90Ta_0.1)O₃ ceramics and forms a pure perovskite structure with orthorhombic symmetry. The microstructure of the samples showed that a certain amount of MnO₂ addition could improve the crystalline grain growth. The addition of a small amount of MnO₂ increased the mechanical quality factor (Q _m), piezoelectric constant (d ₃₃), and electromechanical coupling factor (k _p). At room temperature, (K_0.5Na_0.5)_0.97(Nb_0.90Ta_0.1)O₃ ceramics doped with 0.4?mol% MnO₂ showed piezoelectric properties suitable for low-loss piezoelectric actuator applications: k _p?=?0.43, Q _m?=?1212, d ₃₃?=?112?pC/N, and tan?δ?=?0.023.     

Dielectric Properties and Conductivity of Ag-Doped TlGaS<Subscript>2</Subscript> Single Crystals

The effect of silver ions (2 mol %) on the dielectric properties and electrical conductivity of TlGaS₂ single crystals grown by the Bridgman–Stockbarger method is investigated. The experimental results of studying the frequency dispersion of the dielectric coefficients of TlGaS₂ single crystals (2 mol % Ag) makes it possible to establish the nature of dielectric losses and the charge-transfer mechanism, to evaluate the density of states near the Fermi level, the spread of states, the average hopping time and length, and the concentration of deep traps responsible for ac conductivity. The Ag doping of the TlGaS₂ single crystals results in an increase in the density of states near the Fermi level and in a decrease in the average hopping time and length.     

CaWO_4-Li_2WO_4陶瓷低温烧结特性及微波性能研究

采用固相反应法制备了(1-x)CaWO4-xLi2WO4(0≤x≤0.14)微波陶瓷,研究了Li2WO4作为第二相对CaWO4微波陶瓷的低温烧结特性和微波性能的影响。结果表明,Li2WO4相的存在能明显降低CaWO4的烧结温度,并且随着x的增加,(1-x)CaWO4-xLi2WO4(0≤x≤0.14)陶瓷体系的最佳烧结温度降低。当x=0.1,在900℃下烧结2h,该陶瓷材料的介电常数εr=9.002,品质因数与频率之积Q×f=11.76×104 GHz,谐振频率温度系数τf=-55×10-6/℃。在此基础上采用w(CaTiO3)=5.0%调节其谐振频率温度系数到0,调节后的微波介电性能为εr=10.312,Q×f=5.36×104 GHz,τf约为0     

(Sr_(1-x)Ba_x)La_4Ti_4O_(15)微波介质陶瓷的显微结构及介电性能

采用传统的固相反应法制备(Sr1-xBax)La4Ti4O15(x=0~1,BSLT)微波介质陶瓷,并对其物相组成、晶体结构及微波介电性能进行分析。研究结果表明,Ba2+含量的增加降低了BSLT陶瓷的烧结温度,陶瓷的主晶相为(Sr,Ba)La4Ti4O15,并伴随有第二相La2TiO5的生成。在微波频率下,随Ba2+含量的增加,BSLT陶瓷的微波介电常数εr及品质因数与频率之积Q×f值先增大后减小,谐振频率温度系数τf为(-4~-11)×10-6/℃,优化出(Sr0.9Ba0.1)La4Ti4O15陶瓷具有最佳微波介电性能:εr=47.5,Q×f=31 582GHz,τf=-7.5×10-6/℃。     

(1-x)CaWO4+xZnWO4陶瓷微波介电性能的研究

用X-射线衍射法(XRD)和HP网络分析仪研究了(1-x)CaWO4 xZn WO4(x=0~1.0)系列陶瓷材料的相组成和微波介电性能。结果表明,因CaWO4和ZnWO4结构的不同以及Ca2 和Zn2 离子半径差异较大使得CaWO4、ZnWO4两相不能固溶或形成新的中间化合物,因而成为CaWO4和ZnWO4的混合相。材料的介电常数rε随着x(ZnWO4)的增加而增大,复合相的介电常数基本符合对数混和法则。品质因数与频率之积Q×f值随ZnWO4增加从x=0时的50 842 GHz快速降低到x=0.4时的23 366 GHz,然后,随之缓慢降低到x=1.0时的20 557 GHz;而谐振频率温度系数fτ随之从x=0时的-50×10-6℃-1线性变化到x=1.0时的-70×10-6℃-1。     

Thermal Properties of Ultrathin Hafnium Oxide Gate Dielectric Films

Thin-film $hbox{HfO}_{2}$ is a promising gate dielectric material that will influence thermal conduction in modern transistors. This letter reports the temperature dependence of the intrinsic thermal conductivity and interface resistances of 56–200- $hbox{rm{AA}}$-thick $ hbox{HfO}_{2}$ films. A picosecond pump–probe thermoreflectance technique yields room-temperature intrinsic thermal conductivity values between 0.49 and 0.95 $ hbox{W}/(hbox{m}cdot hbox{K})$. The intrinsic thermal conductivity and interface resistance depend strongly on the film-thickness-dependent microstructure.      

(Bi2-xZnx)(Ti2-xNbx)O7陶瓷的结构与介电性能

研究了(Bi2-xZnx)(Ti2-xNbx)O7(0.4≤x≤1.0)陶瓷材料的结构与介电性能.X-射线衍射结果表明,该组分体系在950～1 100 ℃烧结,可得到单相立方焦绿石结构陶瓷.扫描电子显微镜观察样品形貌发现,x越大,晶粒尺寸越大.室温介电性能的测试表明,在1 MHz条件下,随x值的增大,介电常数从218下降到122,损耗为(1～4)×10-4.介电温谱测试发现,该组分体系在低温下出现明显的介电弛豫峰,峰形随x增大逐渐宽化.微波特性的测试表明,在谐振频率2～3 GHz,样品的品质因数与谐振频率之积Q×f为112～158 GHz.     

（Bi2O3、ZnO）对（Zr0．8Sn0．2）TiO4介电性能的影响

采用常规固相合成工艺研究了添加剂Bi2O3、ZnO等对(Zr0.8Sn0.2)TiO4的烧结性能、微观结构和微波介电性能的影响.结果表明,陶瓷的烧结温度随着Bi2O3含量的增大而降低,而陶瓷的最大烧结密度随着Bi2O3的增大而增大;当w(Bi2O3)>3%时,其烧结可降低至1175℃;各种材料配方均能烧结出致密的陶瓷.陶瓷的介电常数随着Bi2O3含量的增大而略有增大,但增加幅度较小;而材料的介电损耗则随Bi2O3含量的增大而增加,且增大幅度较大.当w(ZnO)=1%、w(Bi2O3)=3%时,可在1190℃获得致密的陶瓷,在测试频率1 MHz下,介电常数约41,介电损耗为1.5×10-4,其综合微波介电性能最佳.     

CuO、V_2O_5掺杂(1-x)BiNbO_(4-x)ZnTaO_6的介电性能

对CuO、V2O5掺杂的(1–x)BiNbO4-xZnTaO6(x=0.05～0.15)陶瓷体系结构和介电性能进行了研究。试验结果表明,940℃以下,体系为斜方BiNbO4和斜方ZnTaO6的复相结构;掺杂CuO、V2O5使得体系在较低温度下即可烧结成瓷,随着(1–x)BiNbO4-xZnTaO6体系中x的增加,陶瓷表观密度上升,εr下降,温度系数、损耗则呈增加趋势。x=0.05,910℃烧结保温2h有较好的微波性能,εr约为40,Q·f值达25000GHz。