退火对GD a-SiN_x∶H材料光电导的影响

本文研究了退火对辉光放电制备的非晶氮化硅(GD a-SiN_x∶H)材料光电导的影响、用光电导的方法给出材料的吸收系数、带尾态宽度等参数,指出退火是消除无规堆垛引起的局域态的有效方法。     

a—SiNx：H薄膜退火前后微结构的Raman谱研究

采用微区Ｒａｍａｎ谱，并结合红外透射测量研究了等离子体增强化学气相沉积方法制备的不同氮含量的ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ样品退火前后ＴＯ模及ＴＡ模与样品微结构的关系。结果表明，氮的引入主要影响了第二近邻以外的中等程序的有序度，因而随Ｎ含量增加，ＴＡ模相对于ＴＯ模的强度增加且频率有较大的蓝移，ＴＯ模的频率及半高宽则变化较小。Ｎ的引入使得样品在７５０℃退火时不能结晶。退火引起大量Ｈ的逸出，使得样品的缺陷态度大大增     

a－Si：H表面键合光敏染料及其光电导

本文报导了用低温等离子体法使ａ－Ｓｉ：Ｈ表面活化，经多步化学反应，将３种菁键合于其表面，并经激光拉曼光谱和Ｘ－光电子能谱表征。测定了键合染料的ａ－Ｓｉ：Ｈ的吸收光谱和光电导。结果表明，光敏染料可使ａ－Ｓｉ：Ｈ敏化，改善其光吸收和光电导。     

H在a-SiN_x:H光电导衰减中的作用

在真空蒸发硅的同时，分别用N离子和NH3离子轰击生长表面，获得具有不同H和N含量的a－SiNx和a－SiNx：H薄膜。对于这些薄膜，只要它们具有光电导特性，就可以观察到光电导衰减现象。实验分析表明，H在光电导衰减中不起直接作用，而是通过增大a－SiNx：H的光学能隙，使陷阱更为有效；以及减少Si≡Si－复合中心，从而有可能提高非平衡自由或流子密度和增强电荷被陷的速率，而间接地增强光电导衰减。     

a—SiNx∶H薄膜的室温光致发光

研究了ａ－ＳｉＮｘ∶Ｈ薄膜中不同氮含量样品的室温光致发光。当ｘ≥０．５时，在室温下观察到了较强的室温荧光，而且随氮含量增加，发光峰能量与强度不断增加。首次发现在富硅（ｘ≤１．３）样品中存在两种荧光机制，其临界值位于ｘ＝０．８。当ｘ≤０．８时，样品表现为与ａ－Ｓｉ∶Ｈ类似的荧光特性及温度特性；当ｘ〉０．８时，荧光强度和峰位均有大的增加，归一化后的低温和室温的荧光谱几乎完全重合。最后，采用量子限制模型并结合渗流理论解释了实验现象。     

a—SiNx：H薄膜的导电机制

研究了a-SiNx:H薄膜的电导激活能与氮含量的关系。结果表明，随氮含量增加，样品表现出两种并行的电导机制：欧姆机制与Poole-Frenkel机制。采用两种电导机制拟合电流随温度变化曲线后得到了不同氮含量样品的电导激活能。由于氮在非晶硅中为施主类杂质，且具有特殊的结构组态，因而提出了一种调制掺杂模型解释了实验现象。     

高温退火对反应溅射制备的a-SiC:H薄膜结构的影响

通过红外透射谱、拉曼散射谱和X射线衍射谱的测量,研究了反应溅射制备的氢化非晶硅碳膜（SP-a-SiC：H）高温退人处理后的结构变化。发现在等时退火的情况下,退火温度对薄膜结构影响明显,H原子的逸出温度与键合有关,H从CH_n中逸出要比从SiH_n键中追出需要更高的温度,样品经800℃退火后,a－SiC：H膜转化为μc－SiC膜     

a—Si：H表面键合光敏染料及其光电导

本文报导了用低温等离子体法使ａ－Ｓｉ：Ｈ表面活化，经多步化学反应，将３种菁键合于其表面，并经激光拉曼光谱和Ｘ－光电子能谱表征。测定了键合染料的ａ－Ｓｉ：Ｈ的吸收光谱和光电导。结果表明，光敏染料可使ａ－Ｓｉ：Ｈ敏化，改善其光吸收和光电导。     

nc—Si／a—SiOx：H复合薄膜的结构及光吸收特性

采用PECVD技术制备的a－SiO     

偶氮类光电导材料研究进展

简述偶氮类光电导材料的发展历史，分类及其机理的研究。讨论了以分子内、分子间电荷转移的概念来确定有机光电导材料中光电子运动的本质，对于光导体的发展趋势也作了分析和展望。     

PECVD生长nc—Si：H膜的沉积机理分析

ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜具有显著不同α－Ｓｉ：Ｈ与μｃ－Ｓｉ：Ｈ膜的新颖结构与物性。从热力学反应的基元过程出发，定性地分析了本征ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ与掺磷ｎｃ－Ｓｉ（Ｐ）：Ｈ膜的沉积机理，并提出了进一步改善膜层质量的新途径。     

碘掺杂对反式聚乙炔光电导的影响

用改进的Ｎａａｒｍａｎｎ方法合成聚乙炔，用碘液相掺杂，及功率连续可调的氩离子激光器作光源，研究了掺杂对反式聚乙炔稳态光电导的影响。发现掺杂可使其光电导率比未掺杂的增大３～４个数量级；并且在较高的入射光强下，掺杂样品都出现饱和现象。用光子能量大于聚乙炔能隙的光照射时，聚乙炔中产生的光生正负带电孤子对，经复合衰放出声子，帮助掺杂生成的束缚带电孤子跃出势阱，成为自由带电载流子的模型，分析和讨论了掺杂引起     

退火处理对Zno/Si异质结光电转换特性的影响

采用直流反应溅射方法在p型Si(100)衬底上生长掺Al的ZnO薄膜,并研究退火处理对ZnO薄膜性质的影响。XRD测量结果表明,ZnO薄膜为六方纤锌矿结构,退火后薄膜的晶粒长大,晶界减少;暗态I-V特性曲线表明,ZnO/Si异质结具有明显的整流特性,退火后由于晶粒间界减少和空位浓度降低使反向漏电流降低1个量级;此外,退火处理能在一定程度上改善异质结的光伏效应,使其转换效率提高。     

酞菁类化合物有机光电导材料的成膜方式

为制备较高光电导性的酞菁有机复合膜，本文简要分析了影响其光电导性的主要因素，针对酞菁类化合物难溶性和成膜困难，对这类有机光电导材料的成膜方式进行了概述，着重探讨了分散于聚合物成膜材料中涂覆成膜、LB膜，蒸发镀膜及悬挂酞菁环衍生物的可溶性聚合物成膜等工艺过程中遇到的某些关键性技术问题，并提出了对这类光电导材料进一步研究的部分建议。     

高温退火前后低碳含量a—SiCx：H薄膜结构和荧光特性的研究

采用Raman光谱，结合光致发光和X射线衍射测量对富硅a-SiCx:H薄膜的结构及荧光特性进行了详细研究。结果表明，刚制备的样品中由于硅和碳原子的电负性和原子尺寸的差异，出现了化学集团效应，即样品基本保持了a-Si:H中的网络结构，只有少量的Si——C键存在，碳主要以CHn的形式与SiHn和Si——C键一起作为硅团簇的边界。样品表现出较强的室温荧光，发光主要来自CHn,SiHn和Si——C键边界区域对硅团簇中载流子的限制作用。样品在1250℃氮气中退火1h后，不但有平均尺寸为24.8mm的硅晶粒析出，还有少量的SiC晶粒析出，退火后样品的荧光峰较退火前有大的蓝移，且半高宽变窄，这与析出的SiC晶粒有关。     

退火温度对H70-Y2力学性能影响研究分析

本文通过试验对比分析研究H70-Y2在不同的退火温度后力学性能的变化规律,探寻出最佳的退火温度以满足实际生产需。     

低维度光电导有机高分子功能材料的进展

本文详细综述了低维度光电导有机高分子功能材料的分子设计、材料制备、研究手段和发展概况。