高纯铜溅射靶材的发展及现状

溅射靶材主要应用于电子及信息产业，如集成电路、信息存储、液晶显示屏、激光存储器、电子控制器件等，也应用于玻璃镀膜领域和耐磨材料、高温耐蚀、高档装饰用品等行业.由于集成电路、信息存储及平面显示器等产业规模越来越大，这些高技术产业对各种超高纯金属及合金溅射靶材的需求也愈来愈多。本文简要介绍了高纯铜溅射靶材目前的市场情况、现状、应用领域和未来高纯铜溅射靶材发展趋势；并对高纯铜溅射靶材的特性要求以及微观组织控制做了简单的阐述。     

钼及钼合金溅射靶材的研究现状与发展趋势

钼及钼合金具有熔点高、导电导热性好、热膨胀系数低、耐腐蚀性能好及环境友好等优点,利用钼及钼合金加工制备的溅射靶材已广泛应用于电子电器、太阳能电池及玻璃镀膜等领域。本文介绍了对钼及钼合金溅射靶材的基本要求及制备方法,系统综述了目前国内外对钼、钼钛、钼钠、钼铌合金靶材的研究现状,并对钼及钼合金溅射靶材未来的发展趋势进行了展望。     

溅射靶材综述

本文主要对各领域的应用溅射靶材及其制备方法，并对薄膜镀膜方法和其应用领域作了介绍。     

溅射靶材的应用及制备初探

随着电子及信息产业突飞猛进的发展，世界溅射靶材的需求越来越多，本文介绍了靶材的发展概况、分类和应用情况，以及靶材的特性要求．探讨Ni-Cr合金靶材的制备工艺，结果表明，产品能满足靶材特性要求。     

溅射靶材的种类、应用、制备及发展趋势

随着电子及信息产业突飞猛进的发展，世界溅射靶材的需求量越来越大。文章介绍了溅射靶材的种类、应用及制备情况。并对靶材的发展趋势作了探讨。     

集成电路制造用溅射靶材

溅射靶材常用于半导体产业、记录媒体产业和先进显示器产业。在不同产业中,半导体集成电路制造业对溅射靶材的质量要求最高。对用于集成电路制造的溅射靶材的材质类型、纯度要求、外形发展进行了阐述,并讨论了溅射靶材微观组织对溅射薄膜性质的影响,以及靶材中夹杂物、晶粒尺寸、晶粒取向的控制方法。     

钼溅射靶材的应用、制备及发展

随着平面显示器行业和光伏行业的迅速发展,钼溅射靶材的需求量越来越大。本文就钼溅射靶材的特点,从其应用、市场、制备工艺以及发展趋势等方面进行了总结和讨论。     

粉末冶金法制高纯溅射铬靶材的方法

通过试验重点对粉末冶金法制备高纯溅射铬靶材的传统烧结工艺进行了分析和优化研究。试验结果表明,采用"模压+烧结"或者"冷等静压+烧结"的方式加工靶材,并合理控制烧结温度,能够有效保证靶材的密度。     

溅射法镀二氧化钛薄膜靶材及工艺研究进展

介绍了溅射法镀膜的基本原理，阐述了溅射法镀二氧化钛薄膜用靶材及相应溅射镀膜工艺的研究现状。溅射镀Tio2薄膜用靶材主要有金属钛、二氧化钛和“非化学计量”二氧化钛靶材3大类。由于钛的氧化态及靶材导电性不同，它们对溅射工艺（如溅射气氛等）有一定具体的要求，通过对靶材和相应工艺进行分析比较，指出应用“非化学计量”靶材是溅射法制备二氧化钛薄膜技术发展的重要方向。     

高纯石墨制备现状及进展

高纯石墨由于良好的耐高温和导电等性能得到广泛的应用,文章介绍了石墨矿物原料资源及特点,综述了石墨提纯的湿法和火法原理及优缺点。介绍了高纯石墨制备的国外技术及我国发展状况。     

高电流密度铜电积试验

利用模拟生产现场的萃取—电积中试设备研究高电流密度下电积阴极铜板的形貌与质量。结果显示,在温度45℃、电积液铜离子浓度45g/L、溶液酸度180g/L左右时,控制添加剂(钴离子、古尔胶、硫脲)一定的初始浓度后,调节溶液循环时加入的古尔胶与硫脲用量,系统能在高电流密度(280A/m2)下运行稳定,生产的成品铜外观质量和化学成分均达到1#阴极铜标准。     

含铜高纯钢中的有序畴

 用高分辨电子显微镜研究了含铜高纯低碳钢固溶态的组织结构特征。结果表明,该钢经固溶处理后其组织为铜分布不均匀的过饱和铁素体。这种过饱和铁素体基体上分布着大量纳米级的有序畴结构。     

高电流密度生产阴极铜的实践

本文介绍中条山有色金属公司采取提高电流密度的措施强化阴极铜生产的实践及其效果.     

铜电解车间提高电流密度下的生产与实践

铜电解车间大板阴极铜生产系统从2010年6月全面实现了275～280A/m2高电流密度规模化生产,车间通过采取加强工艺技术条件控制,加强精细化管理,合理调整添加剂和阳极板重量,改变电解槽进液方式等一系列有效措施,使产出的高纯阴极铜合格率保持在95%以上,符合GB/T467-1997(CATH-1)国家标准。该技术不仅提高了公司铜电解技术水平,在不增加基建投资、不增加设备的情况下,阴极铜的产能得到提高,同时进一步提高了劳动生产率,达到了增产的目的,创造了良好的社会效益。     

惰性气体热压法制备W/Ti合金靶材研究

用W粉和Ti粉作原料, 采用惰性气体热压法制备W/Ti合金靶材. 研究了靶材致密性、富Ti的β相含量、微观结构均匀性与工艺条件的关系. 结果表明, 控制温度在1250～1450 ℃之间, 压力在20 Mpa左右, 保温时间在30 min左右可制备高性能的W/Ti合金靶材.     

2005年铜价走势分析

回顾2004年的铜市行情,对2005年的走势进行分析、预测,提出了具体的操作方案。     

高纯BaTiO3的生产现状

介绍了国内外已产业化的、三种生产高纯BaTiO3的方法，即：固相法，草酸共沉淀法及水热合成法。重点介绍了它们的工艺流程，反应机理，研究进展，优缺点，主要厂家及其年产量。还介绍了高纯BaTiO3的主要应用领域，市场容量，价格等市场现状。随着MLCC产量的迅猛增长，水热合成法的地位，将日显重要。     

铜电解系统一体化设计及高电流密度生产实践

描述了基于一体化设计的铜电解生产系统的成功案例,重点阐述了传统不锈钢阴极电解技术在高电流密度下的生产实践。实践表明,采用传统永久不锈钢阴极电解技术及一体化的集成设计,具有投资、运行成本、能源消耗低的优势,且产品质量稳定。     

高纯铝与铜爆炸焊接性能分析

使用爆炸焊接对高纯铝与铜坯料进行连接,将超声C-scan应用于爆炸焊接复合板坯的无损探伤,并从坯料微观组织和力学性能等方面分析了焊接性能。结果表明,C-scan能够在不破坏板坯的情况下,全面快速检测爆炸焊合率;焊接完成后,铝板坯晶粒间有条状应力带,热处理后应力带消失且晶粒未异常长大。爆炸焊接能实现高纯铝与铜的高强度焊接,焊接强度约43MPa。