半导体PN结器件瞬态行为一维模拟

用时域有限差分（ Ｆ Ｄ Ｔ Ｄ） 方法对 Ｐ Ｎ 结器件所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组进行了数值计算,得到了半导体 Ｐ Ｎ 结器件的瞬态行为的一维模拟．     

线性P—N结温度传感器

本文详细地论述了利用Ｐ－Ｎ结测温的基本原理，介绍了高线性度的单个Ｐ－Ｎ结测温电路和利用Ｐ－Ｎ结增量电阻测温的基本电路。     

n维立方体电路的电阻分析

在一个ｎ维立方体的每一务边上串上一个１Ω的电阻之后就得到了一个特殊的电路。计算此电路中任意两点之间的电阻值是一个有意义但难度较大的问题。国外学者Ｎａｒｒａｗａｙ分别于１９９３年和１９９４年求出当两点之间的距离为１,２和ｎ时的电阻值。     

实用化半导体激光器组件的电路模型分析

本文首次提出利用网络节点法对实用化半导体激光器(LD)组件的电路模型进行较为详细的分析,并建立了一套通用软件.利用该方法,可以很容易地得到LD 组件的频响能力,并找出影响频响的主要因素.     

利用半导体PN结模型分析石英玻璃的极化过程

利用半导体PN结偏置过程的理论模型,类比分析了玻璃的热及电场极化过程。理论分析表明,在热及电场极化条件下,正、负电极与玻璃分界面处的电场及电荷分布规律与其在反向、正向偏置的2个PN结处非常相似;利用PN结偏置模型,并考虑玻璃极化过程中电子的作用,修正了极化玻璃中电场分布和载流子运动方程及其边界条件,并解释了一些已有实验现象。     

应用零泛器计算偏置电路的参数

本文介绍了零泛器的端口特性关系，晶体管的零泛等效电路，给出了应用零泛器设计计算偏置电路参数的一种方法。     

基于Volterra级数的功率放大器偏置电路优化设计

以Volterra级数为理论基础,根据AB类功率放大器的特点,采用混合Π型等效电路对共射放大电路进行建模.对功放中的非线性元件进行具体描述与分析,从而获得放大器电路的系统行为模型.提出一种基于Volterra级数和基尔霍夫电流定律(KCL)的优化设计方法,快速找出最佳偏置参数.设计一个工作频率在850 MHz的射频放大器,并计算出工作在兼顾放大器效率和线性的最佳输入偏置大小为6Ω,此时输出的P1dB为23.4dBm(1 mW为基准功率).Multisim电路仿真证明了理论分析结果.     

DC—DC转换电路在光伏发电MPPT中的应用

采用CSOMF020单片机控制系统实现最大功率点跟踪,对最大功率跟踪控制中DC—DC转抉电路的原理和控制方法进行了研究和实验,采用了升降压式DC—DC转换电路来实现最大功率点跟踪,该方法电路简单、软硬件结合、控制方法灵活,明显提高了光伏发电系统的整机效率．     

双导程直线接触偏置蜗杆传动Ⅰ——原理分析

为了简化传统锥蜗杆传动的设计与制造,提出了一种新型偏置蜗杆传动方式.蜗轮蜗杆传动的啮入和啮出分别是基于具有渐开线齿形、齿面瞬时接触状态为直线接触的外啮合和内啮合空间相错轴螺旋齿轮传动的原理,论证了实现正确啮合传动的条件、原理及实现方法,进行了双导程直线接触偏置蜗杆的运动仿真.结果表明:除了具有其他蜗杆传动的优点之外,这种偏置蜗杆副构形及传动原理简单,因而具有设计、制造简单的显著特点;且由于齿面瞬时接触状态为直线接触,所以具有更大的承载能力.     

半导体异质结定向耦合器的设计

本文根据半导体材料的特点,分析比较了几种不同结构的条波导在构成定向耦合器时,对器件性能产生的影响.从而选定异质结加载条波导构成我们的器件.依据平面波传输可等效为传输线传输的原理,求解出具有多层结构的平面波导的特征方程,应用等效折射率法和耦合模理论,结合现有工艺条件,借助计算机对波导结构参数与器件参数之间的关系进行了数值模拟.经过优选之后,给出了几个实用InP-InGaAsP 单模定向耦合器的设计值.     

稳态条件下PN结器件一维模型的数值分析

在半导体器件理论的基础上,对一维PN结器件模型的方程组进行线性化,并求出其数值解,为分析稳态条件下PN结器件一维模型提供了一种新的数值解法.     

美国开发出不依赖半导体的微电子器件

正美国加州大学圣地亚哥分校的研究人员基于纳米结构开发出一款不依赖半导体传导的光控微电子器件,其在低电压和低功率激光激发条件下的电导率比现有半导体器件提高近10倍。据介绍,传统的半导体器件受材料本身的限制,在频率、功耗等方面存在极限,而利用自由电子替代半导体材料通常需要通过高电压、大功率激光或高温进行激发。研究人员在硅片上用金加工出一种类似于蘑菇形状的纳米结构,在     

半导体功率器件直流特性的自动脉冲测量

为了消除大功率场效应晶体管静态测量时的自加热效应对器件测量结果的影响,提出了一种基于Sagittarius实验测量操作平台设计的新型自动脉冲式电流一电压（I—V）测量系统．用短脉冲技术加低负载循环,通过补偿因子进行系统校准,分析对比直流I—V测量方法和脉;中式I—V测量方法．实验结果表明,所设计的脉冲式I—V测量方法正确有效,能够得到大功率半导体器件真实的输出电导和跨导,自动测量系统相比常规测量方法可以提高测量效率约12倍,为构建大功率场效应晶体管器件的精确模型和工业生产监控提供相关测量数据．     

静止无功发生器主电路器件的选择

首先叙述了静止无功发生器主电路的组成及其主要器件的用途,然后以额定容量15kVar、电压380V的静止无功发生器为例,阐述了其功率逆变器件、二极管整流器件、直流侧电容器件的选择方法．同时对15kVar的静止无功发生器进行数字仿真,结果表明,以该方法选择的主要器件组成的静止无功发生器,无功补偿效果好．     

基于CPLD器件的单稳态脉冲展宽电路

具体介绍了基于CPLD器件设计单稳态窄脉冲展宽的详细过程和这种单稳态窄脉冲展宽电路的特点,给出了相应的仿真波形,提出了提高展宽脉冲宽度精确的方法.     

基于异质结光伏组件的系统设计方案

结合光伏组件的发展现状,分析了市场各种主流技术路线组件的差异性。结合项目所在地的辐照情况,重点说明了采用异质结光伏组件的系统设计方案,正确选择光伏逆变器和容配比。将采用异质结光伏组件与常规高效单晶组件的初始投入系统成本和平准化度电成本进行对比,结果显示,采用异质结光伏组件的系统均占优势。     

纵向串级复合器件恒流源电路模型的分析与应用

本文提出了四种纵向串级复合器件恒流源电路模型,进行了分析与探讨。推导了各种模型动态电阻的计算公式。论述了各自的优点及不足之处。这些模型可以用在高精尖电子仪器设备需要用高级恒流源之处。特别适用于高压千伏及万伏级设备中。最后举例说明它在激光电源及万伏级高压大功率放大器的应用中能取得极佳效果。