航弹测时系统机载设备实施可靠性设计的一次实践

本文描述了在航弹测时系统中,对机载设备进行可靠性的设计及其实践。在研制设备的各个环节实施可靠性技术和管理,取得了令人满意的效果,同时给出了设备在移交用户五年中的平均无故障时间(MTBF)及其成功率等可靠性数据。     

基于Bellcore标准的电子产品可靠性预计方法及案例研究

介绍了Bellcore标准进行可靠性预计的理论基础,包括元器件失效率与单元失效率模型等。利用Bellcore现行的TelcordiaSR-332标准手册,对某用于商用环境中的单板计算机进行了可靠性预计。给出了该单板计算机MTBF预计的过程和方法,以及失效率和MTBF的预计结果,并与军用标准的预计结果进行了对比,说明了Bellcore标准目前存在的一些问题。     

一种提升雷达脉冲参数测量单元可靠性的方法

在雷达对抗系统工作过程中,对表征敌方雷达信号特征的参数进行测量是后续信号处理的前提条件。通过分析某参数测量单元主要的故障模式和薄弱环节,提出了一种提高参数测量单元可靠性的方法。通过优化参数测量单元内的AD芯片的封装结构,新封装结构可兼容原参数测量单元的PCB板设计,降低了AD芯片的失效率,从而提高了参数测量单元的可靠性和环境适应性。通过可靠性试验验证了该方法可行,效果显著。     

内建可靠性

为进一步提高与保证微电路的可靠性，国外新近提出了内建可靠性问题。本文就内建可靠性提出的背景，意义，主要特征，实施要点，以及如何贯彻推广等问题，并结合几个实例作了综合介绍，供国内有关同周参考。     

通信产品可靠性验证试验（RDT）方法研究

靠性验证试验（RDT）具有时间周期长、样本量多和试验成本高等特点,试验方法的优劣对产品寿命评估的影响较大,本文详细介绍了通信产品可靠性验证试验方案的制定步骤和各关键因素选择策略,供产品可靠性水平评估提供参考。     

系统类产品可靠性信息管理系统设计

在简要分析了国内外可靠性软件的现状之后,文章阐述了一种可靠性信息管理系统的设计思路,详细介绍了各子系统的功能。该系统可提供面向工程的多项质量与可靠性专项技术的综合解决方案,使系统及其衍生产品适应产品高可靠性的需要。     

一种电子测量仪器常用的可靠性试验方法

文章简述了产品质量与可靠性的关系及环境对可靠性的影响,重点介绍了可靠性试验原理和方法,通过可靠性试验使产品质量得以持续改进和提高。     

关于可靠性指标的几个问题

描述舰载雷达等电子产品的系统可靠性参数是很多的,但是MTBF和MTTR是常用的两项可靠性参数,其中MTBF预计值又是产品设计和质量管理中的基本可靠性指标。本文就我所的几个产品的可靠性指标具体地提出了一些看法,如可靠性设计指标和试验假设值的确定、合同中可靠性指标的确定以及对含义不清的指标如何正确处理等。     

2101AS的可靠性设计

本文就新一代Ｉ＾２Ｃ总线控制的机型２１０１ＡＳ的可靠性设计做了全面的、细致的阐述，希望对提高电视机厂家的可靠性设计水平有所促进。     

可靠性预计中的热电应力分析是电路可靠性设计的关键环节

阐述了应力分析可靠性预计的作用与意义。说明这一方法对元器件的正确选择,电路设计中热电应力的控制和降额等可靠性设计起主导的作用。     

微型计算机可靠性验收试验探讨

可靠性试验是对产品的可靠性进行分析评价的一种手段。以微型计算机为研究对象,对其进行可靠性试验。试验采用定时截尾方法,分别采用点估计和区间估计的方法对平均无故障时间(MTBF)进行处理。通过对试验数据的分析,对微型计算机做出了较为客观的可靠性评估。     

不间断电源系统可靠性浅析

根据交流不间断电源(AC-UPS)和高压直流设备(HVDC)设备的电路功能结构,结合相关电子设备可靠性预计的理论,对不间断电源设备及系统的可靠性进行了分析和探讨。     

星载EPC的可靠性分析

气象卫星星载EPC工作环境恶劣且要求在轨有效期长于3年,因此对EPC的可靠性提出了较高的要求。该文对气象卫星行波管放大器用EPC的可靠性进行了分析,给出了其可靠性参数,MTBF的评估方法。     

CATV系统可靠性的探讨

运用维修工程学的若干重要概念,对ＣＡＴＶ系统的可靠性进行探讨,就如何提高ＣＡＴＶ系统可靠性提出了若干建议。     

重入式轻小型双路旋转交连的可靠性设计

从可靠性设计出发，选择一种非接触型扼流耦合方案，既实现了交连的宽带和正确设计，又获得高的可靠性。本文较详细地介绍了影响重入式交连可靠性的主要因素，并对其进行分析，计算出它以每分钟60转旋转时的平均无故障工作时间(MTBF)高达1．38×105小时。     

The common thread for operational reliability and failure physics

Operational reliability and failure physics constitute the two extreme ends of the reliability engineering spectrum. One critical common thread that ties these two extremes together is stress. Studies that relate failures and failure mechanisms to operational reliability through this common thread have been near non-existent. This paper is an attempt to stimulate interest to fill the gap for electronic systems. Flaws exist in a piece of electronic equipment at the time of manufacture, and stresses exacerbate these flaws to the point of equipment failure. There are no random failures. Every failure is relatable to certain stresses. Estimated flaw population distributions and stress versus time-to-failure characteristics show that electronic equipment failure rates should decrease with respect to time of stress application, such as operating time. Failure rate expressions have been developed for selected stresses (i.e., high temperature, thermal cycling, electrical stresses and vibration) and are discussed in detail in the text. Much more work is still required in equating the quantitative measures of stress to failure rates and operational reliability. This paper will help in paving the way towards that end.     

Flash memory reliability

With reference to the mainstream technology, the most relevant failure mechanisms which affect yield and reliability of Flash memory are reviewed, showing the primary role played by tunnel oxide defects. The effectiveness of a good test methodology combined with a proper product design for screening at wafer sort latent defects of tunnel oxide is highlighted as a key factor for improving Flash memory reliability. The degradation of device performance induced by program/erase cycling is discussed, covering both the behaviour of a typical cell and the evolution of memory array distribution. The erratic erasure phenomenon is illustrated as the most relevant mechanism reported so far to cause single bit failures in endurance tests. Finally, reliability implications of multilevel cell concepts are briefly analysed.     

温度梯度对VLSI金属化布线电徙动特性的影响

设计了一种新型TiW膜自加热结构,产生沿金属化条长方向的温度梯度。文中采用独立的实验和测温金属条结构,利用电阻与温度间的线性关系精确测定金属条上的温度分布,用电阻测温法直接确定电迁徙失效在金属化条上的分布,SEM分析与测试结果一致。不同温度梯度和无温度梯度条件下的实验结果表明,逆向温度梯度能显著提高金属化电徙动失效时间,这可以从温度梯度驱动的热扩散离子流作用得到解释。理论分析和实验结果表明,逆向温度梯度能将金属化电徙动空洞失效位置“推向”阳极,在逆向温度梯度作用下,首次发现了电徙动电阻变化的“新平衡现象”。