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以钨硅酸(H4SiW12O40)为掺杂剂,过硫酸铵(APS)为氧化剂,制得PANI/H4SiW12O40复合物。该复合物是以H4SiW12O40为核,以PANI为表层的新型聚合物,检测表明在室温下对氨气有较好的灵敏度。通过控制变量法,考察了不同制备因素对PANI/H4SiW12O40乳液稳定性及其复合材料气敏性能的影响,初步确定试验中各反应物的用量范围和实验条件:n(DBSA)/n(An)=2.0,n(APS)/n(An)=1.0,m(H4SiW12O40)/m(An)=3.0,聚合时间为16 h。 相似文献
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以水-乙二胺二元溶剂热法及热处理合成了四方晶系稀土掺杂花状钨酸钙纳米晶。考察了混合溶剂比例、煅烧温度及掺杂稀土离子等条件对钨酸钙发光性能的影响,并分析了其形成机理。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和光致发光(PL)光谱等对钨酸钙结构、形貌及其性能进行了表征。结果表明:在水与乙二胺体积比为1∶2、反应温度为160 ℃、反应时间为24 h条件下合成前驱物,前驱物经800 ℃煅烧得到四方晶系稀土掺杂花状钨酸钙纳米晶;掺杂不同稀土离子得到在紫外光激发下发出不同颜色光的钨酸钙基荧光粉。 相似文献
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为改善常规工艺制备二氧化锡材料存在杂质离子以及制备的气敏元件选择性较差等缺点,提出了以锡粉为原料,利用锡溶解于热草酸的特性,通过溶解-热解法制备锡氧化物的方法。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对产物的物相、形貌进行表征。结果表明制得的二氧化锡属四方相,700℃煅烧所得粉体材料呈一层一层大片状,800℃煅烧所得粉体材料呈半卷曲片状,而900℃煅烧所得粉体材料基本为菜花状。测试制备的二氧化锡气敏元件的气敏性能表明:在煅烧温度为800℃及工作温度为225℃时,对体积分数为1×10-4的氯气的灵敏度为127,对体积分数为1×10-5的氯气的灵敏度仍可达到7,并且具有选择性好、响应-恢复时间短等特性。 相似文献
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为了研究氧化锌纳米线传感器的气敏性能,通过磁控溅射法和水热合成法制备了贵金属Pd掺杂的氧化锌纳米阵列,对制备所得的样品结构和样貌进行了分析,着重研究了掺杂对氧化锌纳米阵列气体传感器的气敏性能的影响,得到贵金属的掺杂能够提高对气体的响应度,并在一定程度上提高气体的灵敏性能。最后,分析了样品的气体传感机理。研究结果表明:在最佳温度下,金属Pd掺杂能够对原件的气敏性能进行改善。 相似文献
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以乙酸锌为锌源、戊醇为溶剂的简单溶剂热法合成了ZnO结构前驱体,前驱体于350℃下煅烧2h得到ZnO纳米颗粒结构。探讨了戊醇和水的比例对产物形貌以及光电性能的影响。用X-射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微电镜(SEM)对其结构和形貌进行表征,并以ZnO纳米颗粒作为光电池阳极材料,经N719光敏化剂敏化,与自制的Pt对电极组装成电池器件,在模拟太阳光(100m W/cm2)的照射下,所组装的DSSC太阳能电池的开路电压为737m V;短路电流密度为2.309m A/cm2;填充因子为54.3%;光电转化效率为0.924%。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法结合静电纺丝技术制备了直径20~60 nm的超细氧化铟(In2O3)纳米陶瓷纤维及纳米陶瓷纤维无纺布。采用XRD,IR,SEM,HR-TEM,TGA等分析方法对纳米纤维的形貌和显微结构进行了表征,并研究了其气敏特性。由700℃下煅烧的该超细In2O3纳米纤维所制备的气敏元件具有较好的反应和选择性,对甲醛气体表现出较快的响应和恢复速度。 相似文献
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以醋酸钴为钴源,乙二醇为溶剂,氢氧化钠为添加剂,三嵌段共聚物P123为表面活性剂,采用溶剂热法一步制备了有机物包裹的Co微米颗粒。通过表征测试发现,有机物包裹的Co微米颗粒为球状,粒径均匀,尺寸约5 μm左右。通过热重以及磁性能测试发现,所制备的有机物包裹Co微米颗粒在450 ℃以内热稳定性良好;饱和磁感应强度高达169 emu/g,矫顽力低至50 Oe,剩磁在10 emu/g以内,软磁性能良好。本研究中以常用溶剂水、乙醇为参照组进行了对比实验,并对样品进行了表征和性能测试。此外,本研究进一步探讨了表面活性剂P123对样品结构及性能的影响。 相似文献
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Jong-Chan Lim Changhyun Jin Myung Sik Choi Min Young Kim Sang-il Kim Soon-Mok Choi Seung-Hyub Baek Kyu Hyoung Lee Hyun-Sik Kim 《Ceramics International》2021,47(15):20956-20964
Three-dimensional flower-like tungsten oxide nanoplates sequentially doped with Co at different concentrations were fabricated using a single solvothermal process. The response of the nanostructure of the n-type tungsten oxide used for sensing ethanol gas, which is a reducing gas, changed sequentially according to the process temperature and doping concentration of Co. This response cannot be attributed to a single reason, but it can be regarded as a result of the combination of several complicated direct and indirect phenomena such as (1) point, line, and cross-section defects on the surface, (2) change in initial resistance corresponding to doping concentration, (3) catalytic effect of dopant, and (4) difference in energy level at heterojunctions. Therefore, unlike in the case of other gas sensing methods that depend on a main cause or mechanism, it might be meaningful in the case of ethanol gas sensing to analyse each cause and predict the results of different combinations. 相似文献