La2O3基导电陶瓷高温电阻率的测试和研究

研究了不同组成的Ｌａ２Ｏ３基导电陶瓷的高温电阻率，结果表明：（Ｌａ２Ｏ３）１－ａ·（Ｘ２Ｏ５）ａ·ＣｕＯ及（Ｌａ２Ｏ３）１－２ａ·（Ｘ２Ｏ５）２ａ·ＣｕＯ具有较低的高温电阻率。由于兼有金属导电机制和半导体导电机制，且两种导电机制随温度变化的作用相反，Ｌａ２Ｏ３基导电陶瓷在室温到１０００℃的温度范围内电阻率变化不大     

Mo—La2O3烧结坯间隙杂质的研究

通过扫描电镜（ＳＥＭ）、电子探针（ＥＰＭＡ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）及俄歇电子能谱（ＡＥＳ）研究了Ｍｏ－Ｌａ２Ｏ３烧结坯中的间隙杂质。结果表明：Ｌａ２Ｏ３的加入提高了烧结睛坯的抗弯强度和韧性。间隙杂质不驻存在于Ｍｏ中,而且在Ｌａ２Ｏ３粒子表面吸附,使晶界杂质浓度降低。     

不等价掺杂对Pb（Mg，Nb）O_3－PbZrO_3－PbTiO_3三元系材料的介电、压电性能的影响

探讨了Ｎｂ２Ｏ３和ＭｎＯ２掺杂对３７．５ｐｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ３－２５ＰｂＺｒＯ３－３７．５ＰｂＴｉＯ３材料的介电、压电特性的影响。结果表明，添加１ｍｏｌ％Ｎｂ２Ｏ３能改善陶瓷的烧结性能，提高材料的体电阻率，从而进一步提高了样品的Ｋｐ及εｒ值；添加１．０ｍｏｌ％ＭｎＯ２能有效提高Ｑｍ，但同时降低了Ｋｐ及εｒ值。     

复合氧化物La_2O_3·4PbO的标准生成自由能

用ＺｒＯ＿２（Ｙ＿２Ｏ＿３）固体电解质构成电池：Ｐｂ，ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３·４ＰｂＯ｜ＺｒＯ＿２（Ｙ＿２Ｏ＿３）｜Ｐｂ，ＰｂＯ，以铁丝做电极引线，测定了复合氧化物Ｌａ＿２Ｏ＿３·４ＰｂＯ在８７３～１１５３Ｋ温度区间的标准生成自由能△Ｇ６￣０＝—２０２０００＋１１４Ｔ（Ｊ／ｍｏｌ）。     

银—稀土氧化物触头材料的性能

采用粉末冶金方法制备了新型银稀土氧化物触头材料 Ａｇ／Ｌａ２Ｏ３,它的密度为 ９．７１ｇ／ｃｍ３－９．９６ｇ／ｃｍ３,硬度为７６０ＭＰａ－９７０Ｍｐａ,电阻率为２．２５μΩ·ｃｍ－２．３８μΩ·ｃｍ。利用扫描电镜（ＳＥＭ）及能谱分析（ＥＤＳ）,对Ａｇ／Ｌａ２Ｏ触头材料的显微组织进行了分析,发现Ｌａ２Ｏ３在Ａｇ基体中呈极细小球状（直径＜０．５μｍ）及不规则形（直径＜３μｍ）２种形态均匀分布,经激光模拟电弧作用后,Ｌａ２Ｏ３呈细小球状（＜２．５μｍ）分布于Ａｇ熔化区中,有助于减少Ａｇ液的飞溅侵蚀。经与Ａｇ／ＳｎＯ２及Ａｇ／ＣｄＯ触头材料的主要物理、机械性能相对比,所研制的Ａｇ／ＬａＯ３触头材料与后两者性能相近,因此有可能成为一种可替代 Ａｇ／ＣｄＯ的新型触头材料。     

Ni－La_2O_3复合镀层中的质点弥散与组态研究

用金相、电子探针（ＥＰＭＡ）、透射电镜（ＴＥＭ）及高分辨电子显微镜（ＨＲＥＭ）对Ｎｉ－Ｌａ２Ｏ３复合电镀层的表面形貌及ＬａＯ３质点在镀层中的存在情况进行了研究．发现随着镀液中Ｌａ２Ｏ３颗粒含量增加，复合镀层中Ｌａ２Ｏ３的弥散量增多，镀层晶粒细化．Ｌａ２Ｏ３质点以两种组织状态均匀分布于镍层中：其一为纳米级晶体（绝大多数＜５０ｎｍ）的弥散状态；另一种为微米级（～１μｍ）的“聚合体”状态，是由更微小的纳米晶体（～１０ｎｍ）所组成，由于Ｎｉ－Ｌａ２Ｏ３复合镀层用作扩散渗铝制备Ｌａ２Ｏ３氧化物改性的铝化物涂层的基底层，文中还就复合涂层的Ｌａ２Ｏ３质点弥散与组态对改性的铝化物涂层的显微结构及其氧化行为的影响作了进一步探讨．     

高纯钛作为电子材料的应用

探讨了Ｎｂ２Ｏ５和ＭｎＯ２掺杂对３７．５Ｐｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ３－２５ＰｂＺｒＯ３－３７．５ＰｂＴｉＯ３材料的介电、压电特性的影响。结果表明，添加１ｍｏｌ％Ｎｂ２Ｏ５能改善陶瓷的烧结性能，提高材料的体电阻率，从而进一步提高了样品的Ｋｐ及εｒ值；添加１．０ｍｏｌ％ＭｎＯ２能有效提高Ｑｍ，但同时降低了Ｋｐ及εｒ值。     

MgO─CeO2烧结助剂对常压烧结氮化硅陶瓷致密化和性能的影响

系统研究了ＭｇＯＣｅＯ２烧结助剂对常压烧结氮化硅陶瓷致密化过程及其性能的影响，发现ＭｇＯＣｅＯ２是一种非常有效的烧结助剂，其致密化效果比单独用ＭｇＯ或ＣｅＯ２要好得多，常压烧结的Ｓｉ３Ｎ４ＭｇＯＣｅＯ２陶瓷，相对密度为９８．５％，室温强度可达９４８ＭＰａ。     

二元复合稀土钨电极材料的性能

通过粉末冶金和压力加工制备了系列二元复合稀土钨电极材料（Ｗ－Ｌａ２Ｏ３－Ｙ２Ｏ３,Ｗ－Ｌａ２Ｏ３－ＣｅＯ２,Ｗ－Ｙ２Ｏ３－ＣｅＯ２）,采用直流正接（ＤＣＳＰ）的钨极氩弧焊（ＴＩＧ）方法,系统研究了它们的焊接电弧特性,包括引弧性能、电弧静特性和电极抗烧损性能。并对它们的这些性能与单元稀土钨电极材料（Ｗ－Ｌａ２Ｏ３,Ｗ－ＣｅＯ２,Ｗ－Ｙ２Ｏ３）和钍钨电极材料进行了比较。结果表明二元复合稀土钨电极性能优     

MgO-B_2O_3-SiO_2渣晶化动力学

应用差热分析（ＤＴＡ）技术研究了Ｃｒ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｖ２Ｏ５、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、ＣａＦ２、ＭＯｘ对ＭｇＯＢ２Ｏ３ＳｉＯ２渣中含硼组分析晶活化能的影响。结果表明,Ｃｒ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＣａＦ２、ＳｉＣ、ＭＯｘ作为晶核剂加入后,可降低析晶活化能,有利于含硼组分以结晶相析出,是有效的晶核剂;Ｌａ２Ｏ３和Ｖ２Ｏ５对析晶活化能没有影响;Ｓｉ３Ｎ４则增强玻璃网络稳定性,提高析晶活化能。所以Ｌａ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５和Ｓｉ３Ｎ４作为晶核剂是无效的。