东芝公司研制两种1M位动态RAM

1M位DRAM的研制工作在日本国内外正以最高效率在进行着。今年(1985年)2月在美国纽约市召开的国际固体电路会议(ISSCC)上,实际发表了九篇论文。其中,在去年(1985年)的ISSCC上,世界上最早发表256k CMOS SRAM的东芝公司,这一次和日立公司、美国电报电话公司、莫斯蒂克公司同时集中发表了1M位CMOS DRAM(见照片1)。而且,去     

64K位NMOS动态RAM

MOS存储器的高集成度就产品的水平来讲仍然继续以4倍/3年的比例增长。从维持该局面的技术准备情况来看,预计目前这种发展趋势还将继续下去。众所周知,带动这种高集成化技术的牵引车是动态NMOS存储器。动态存储器产品研究重心已开始从16K转向64K。用户强烈希望64K能在IBM公司的新系列中得到应用。但长期以来,半导体厂家并没有满足用户们的这一愿望。其主要原因除了需要微细加工技术的制造工艺和软误差等问题外,还需要考虑所谓的电源电压问题。开始的     

C-H-MOS已进入动态RAM的制造领域

高性能的 CMOS集成电路即将取代非常复杂的 n-NOS随机存取存贮器     

大容量动态 RAM 的发展途径

<正> 进入七十年代之后,迎来了 LSI 的全盛时期,1970年出现了1K 位动态 RAM,而后在1974年和1976年又分别出现了4K 和16K 的产品,1979年研制成功了64K 位动态 RAM,从而进入了 VLSI 的领域。在1980年2月召开的国际固体电路会议上,日本发表了两篇关于256K 动态 RAM 的论文,引起了人们的极大关注和强烈反响。此外,日本还在会上提出了兆位存储器的设计方案和试制样品。随着半导体技术的发展,人们估计在八十年代末期,也许会使兆位存储器达到实用化的水平。     

存储器非易失存储器中PRAM的开发进入佳境易失性RAM追求超高速

大电容、低成本、高速、非易失,它们在ISSCC 2007的会议上成为了新型存储器技术的重要特点. 在非易失存储器方面,随着应用领域的扩大(从可靠性要求极高的汽车到要求超低功耗的无线标签),增大容量、提高速度、强化功能等各方面的技术不断问世.     

非易失磁性RAM的开发

Ｕｔａｈ大学的研究人员宣布在非易失性ＲＡＭ方面的研究有重大突破。研究人员根据同Ｐａｇｅａｎｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ公司的协议，发展了一种能在将来低成本、大批量地生产高密度存储器和电路的磁场传感器。Ｄｅｇｅａｎｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ　公司是国际Ａｖａｎｔｉｃｏｒｐ公司的子公司。命名为ＭＡＧＲＡＭ的存储单元（磁性ＲＡＭ）利用磁场存储数据。同普通ＲＡＭ相似．ＭＡＧＲＡＭ能快速、随机存取储存在它内部的信息。但同传统ＲＡＭ不一样的是，ＭＡＧＲＡＭ存储单元是非易失性的。该项技术可降低手持式设备的功…     

1985年国际固体电路会议上发表的1M位动态存储器概况

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高速图象应用的4结构和CMOS 256k位动态RAM的研制

在256k×1位结构的标准产品基础上,具有高速存取功能、作图象存贮器应用的64k×1位和32k×8结构等各种各样的第二代256k动态RAM正在研制成功。外围电路采用CMOS结构也很引人注目。不久,这些产品除×1结构之外,将占256k RAM总数的30％。最引人注目的是周期时间小于50ns的静态列式CMOS型,以及供图象应用的双通道64k×4位产品的新应用研究。     

松下电器开发超高速、低压16M位DRAM

论包器公司开发了世界最高速16MDRAM本产技术特点如下：（l）采仅输入信号使放大器活化的随意定时高速放大电路，采用充放电缩短延迟时间的电流感应使逻辑振癌变小的高速电路，其它新式高速电路等技术。（2）采用O．SHin设计规则的工艺技术，存储器单元来用堆栈式，品体管采用LATID（大倾角注入漏晶体分）。（3）采用LOC技术，将外围电路和缓冲器配置在中央，在电路配置上下功夫，尽量使布线缩短。用上述技术可获得如下性能：（l）可达到高速工作。在3．3V下存取时间为20us，1．SV下为36us。（2）可用30O密耳（7．sum）／。型管壳封…     

100ns单5V 64K×1MOS动态RAM

本文介绍了一种彩双层多晶哇工艺的高性能64K位5伏MOS动态RAM。典型存取时间100ns，工作功耗小于120mW。采用等平面-II的制作工艺，改革电路设     

M200户外宽带"一体化"接入系统开发完成

随着国内ADSL的大规模布署，许多用户由于接入距离过长或线路质量问题等原因，业务质量不能得到满意的保障，用户投诉率较高；同时，宽带业务的发展也要求运营商不断提升ADSL接入速率，从而对ADSL的接入距离和用户铜缆质量提出了更高的要求。为了避免更换低品质用户电缆给运营商带来的巨大工作量，就近布放     

东芝公司应用新的器件隔离技术试制1M位动态RAM 东芝公司由于采用了1.2μm的微细加工技术和该公司特有的器件隔离技术(BOX法)等新工艺,因此在单片上研制了集成度为225万个元件的1M位动态随机存取存贮器。 为了在与原来相同大小的总片上集成1M位的动态RAM,则要求:(1)最小设计

东芝公司由于采用了1.2/zm的微细加工技术和该公司特有的器件隔离技术(BOX法)等新工艺,因此在单片上研制了集成度为225万个元件的lM位动态随机存取存贮器。 为了在与原来拥吲大小的总片上集成1M位的动态RAM,则要求: (1)最小设计线宽为1～1.5#m的微细加工技术, (2)相邻元件之间能良好绝缘、隔离的器件隔离技术, (3)能够存贮仅能抗软误差电荷的电容器结构等新的器件、电路设计和制造技术。 公司为了满足上述要求,首先就采用了高性能的反应离子腐蚀工艺等,以形成线宽1.2/zm的微细加工技术,采用在硅基片上形成隔离槽的技术,此隔离槽用于元件…     

一种制作动态RAM的先进技术

得克萨斯仪器公司采用的按比例MOS(SMOS)工艺是一种先进的双层多晶硅技术,几何尺寸小达2.5微米。到目前为止,许多加工步骤的简化使该工艺成为半导体工业中最简单的制造方法之一。制作TMS4416才需要9次掩蔽,其中包括预防划伤的保护性涂层和二步接触加工方法的掩蔽。 其它的存贮器制造厂商或用存贮单元下的注入技术或提高单元面积来谋取足够的信号-噪声比,但是,SMOS工艺却     

高密度和高性能的单管动态RAM单元

本文叙述常规双层多晶硅单管动态RAM单元的结构和工艺,该单元中进行了特殊的器件改进,获得了最佳密度、速度和软误差率(SER)的256K和低成本64K动态RAM产品。通过采用相当于150埃氧化层厚度的薄介质和双场氧化(DFO)工艺减少存贮电容的鸟嘴(<0.2μm),使得单元存贮容量提高。P~-衬底上的P阱对于由入射α粒子所产生电荷提供了反射势垒。低金属字线电容和短的深掺杂扩散位线加快了单元存取时间。研制出了面积为53μm~2到77μm~2的单元,并进行了试验。此工艺应用平行极板等离子体对各层进行腐蚀,在关键掩膜层上采用圆片步进机光刻。此单元结构已被用于芯片面积为154密耳见方,70ns的存取时间和<0.001％/1KHr的软误差率的64K存贮器的设计之中。     

各代动态RAM的发展变化情况

各代动态RAM的发展变化情况Ⅲ l Ⅳ各代动态RAM的发展变化情况@安德烈     

超低功耗的16位1M SPS模拟数字转换器

德州仪器的两款模拟数字转换器（ADC）ADS8329及ADS8330，独特地结合了低功耗、高速及高效能的特性。此一组合使得这两款模拟数字转换器成为许多应用的理想选择，例如通信、医疗仪器、自动测试设备、数据撷取系统（data acquisition system）或工业过程控制（industira Iprocesscontrol）。在本文中，德州仪器ADC马达控制设计经理Frank Ohnhuser概略解说这两款转换器的效能．并且说明其中有助于发挥这些效能的关键要素。