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铝热还原-电磁铸造法制备铜铬合金触头材料／公开号：CN1743477／公开日：2006．03．08／申请人：东北大学铝热还原-电磁铸造法制备铜铬合金触头材料。以CuO、Cr2O3为原料。Al粉为还原剂，配料时加入适量CaF2等物质，还可加入Ni、Co元素。将反应混合物混合均匀。放入自蔓延反应     

CuCr真空触头材料电特性的改善

对深冷处理引起的铜铬真空触头材料的组织变化进行了研究。深冷处理使铜铬触头材料组织细化,尤其是合金材料中铬相细化明显,结晶的合金组织有助于改善铜铬触头材料的电性能。     

非晶-晶化法制备微晶铜铬真空触头材料

本文提出了一种非晶－晶化法制备微晶铜铬触头材料的新工艺。该工艺制备的铜铬触头材料，其组织中散着几个微米大小的铬细晶颗粒。由于经过电弧熔炼过程，消除了熔渗法和烧结法制造的触头中存在的大颗粒夹杂现象。可提高触头质量及在真空开关中运行的可靠性。另外，该工艺对原料铜和铬的要求可以降低，工艺相对简单，适用于各种铬含量铜铬头触头的材料的制造，是一种高质量，低成本，便于大规模生产铜铬触头材料的新的制造工艺。     

真空电弧熔炼的铜铬触头材料组织性能分析

论述了铜铬触头的金相组织与形成机理、金相组织对电气性能的影响及影响结晶组织的工艺因素,阐明了电弧熔炼法铜铬触头材料具有铬在铜基体中呈均匀细小弥散分布的铜铬组织;在开断能力、抗熔焊性、介质恢复强度等电气性能方面均明显优于传统粉末冶金法铜铬触头材料。     

Cu20Cr5Ta真空开关触头材料特性的对比研究

铜铬广泛用于真空开关，作为真空断路器的触头材料。为了提高铜铬触头材料的分断能力，在其中添加了高熔点金属钽。研究了Cu20Cr5Ta触头材料的截流水平及分断能力，并与常用的Cu50Cr,Cu25Cr进行了对比，发现在触头尺寸相同，采取同样触头结构的情况下，Cu20Cr5Ta的电流极限分断能力比Cu50Cr,Cu25Cr强，而且Cu20Cr5Ta具有更低的截液水平，因此Cu20Cr5Ta是一种适用于真空开关的优良的触头材料。     

真空断路器铜铬触头材料中铬含量对开断能力的影响

我们研究了铜铬触头材料中铬含量从１２．５％￣７５％（重量比）的范围内变化对电流开断能力以及电弧形态，阳极熔化时间和电流开断后的触头侵蚀的影响。结果表明，在上述的铬含量变化范围内，铬含量越低，电流开断能力越高。当铬含量减少后，电弧聚集时间和电流开断后的阳极熔化时间都缩短，但是铜铬触头的侵蚀量变化，根据这一结果，可以看出真空断路器中铜铬触头材料中存在一个铬的最优含量。     

真空断路器铜铬触头材料中铬含量对开断能力的影响

我们研究了铜铬触头材料中铬含量从12．5％～75％（重量比）的范围内变化对电流开断能力以及电弧形态、阳极熔化时间和电流开断后的触头侵蚀的影响。结果表明，在上述的铬含量变化范围内，铬含量越低，电流开盼能力越高。当铬含量减少后，电弧聚集时间和电流开断后的阳极熔化时间都缩短，但是铜铬触头的侵蚀量变大。根据这一结果，可以看出真空断路器中铜铬触头材料中存在一个钻的最优含量。     

真空熔铸的铜铬碲触头材料及其性能研究

介绍了采用真空熔铸方法制造的铜铬碲触头材料及其性能,测试结果表明,它是一种性能优良的新型真空灭弧室触头材料。     

关于电弧熔炼法制造铜铬系真空触头材料的几个问题

本文从铜铬二元相图着手,对电弧熔炼法制造铜铬系真空触头材料的可操作性、应满足的设备条件及相关工艺参数的确定做了简要概述。旨在推动该技术在国内的早日应用。     

关于电弧熔炼法制造铜铬系真空触头材料的几个问题

本文从铜铬二元相图着手,对电弧熔炼法制造铜铬系真空触头的材料的可操作性,应满足的设备条件及相关工艺参数的确定做了简要概述,旨在推动技术在国内的早日应用。     

抑制操作过电压的方法

提高灭弧室技术要求：触头是真空灭弧室的关键部件，触头材料的构成成分，纯度，表面光洁度，装配工艺都直接影响真空开关的截流水平。触头材料主要用铜铬合金，铜铋合金和铜钨合金，国外有使用高纯度铜和高纯度钢材料的。     

铜铬触头材料再结晶过程的研究

一引言铜铬触头材料具有开断能力大，耐压高，抗电蚀和抗熔焊性好等优点，已被广泛应用于真空灭弧室中，铜铬触头作为真空灭弧室的关键部件，除了其它理化性能指标之外，还要求它具有高的电导率和适当的硬度；此外，在真空灭弧室的长期运行中，铜铬触头的显微组织结构及电导率和硬度会有一些变化，这与它在不同的温度条件下的再结晶有关。因此．有必要研究铜铬触头材料的再结晶过程，以便在生产中控制其电导率和硬度，以及更深刻地认识其在真空灭弧室里的运行机制。研究金属和合金的再结晶过程有多种方法，直接的方法有金相和电子显微术，X…     

Cu Cr Ta触头材料的开断性能分析

文章介绍了真空灭弧室触头材料的发展方向和正在开发的Cu Cr Ta触头材料的金相结构和性能分析。对Cu Cr Ta触头材料与Cu W Al Fe、Cu Cr50触头材料进行了对比开断试验。从对比开断试验结果说明Cu Cr Ta触头材料能提高现有Cu W Al Fe和Cu Cr50触头材料的1.28-1.51倍。     

铜铬真空触头的烧结法制造工艺

本文较详细地介绍了真空断路器用CuCr50触头材料的混粉烧结法制备工艺，包括原料Cu粉和Cr粉的选取，原材料的预处理及与含氧量的关系，压制压力对相对密度的影响等。     

两种CuCr(75/25)触头材料的力学性能和断裂特性对触头电接触性能的影响

使用标准的拉伸试验与冲击试验测量了两种真空开关管用CuCr(75/25)触头材料的力学性能,并用光学显微镜和配有X射线能谱仪的扫描电子显微镜分析了两种触头材料的断裂特性。结果表明,真空熔铸Cu_25Cr合金触头材料的抗拉强度、塑性、冲击强度都明显高于混粉压制烧结的CuCr25粉末冶金触头材料。两种触头材料的断口金相显示了不同的断裂机理,即Cu_25Cr合金材料是以典型的韧窝状断裂为主,而CuCr25粉末冶金触头材料则以Cr颗粒本身的解理断裂和Cr颗粒与Cu基体间的界面断裂为主。同时,讨论了强度、塑性以及Cu/Cr两相的界面结合强度对触头材料接触性能的影响,这些结果将有助于进一步理解为什么Cu_Cr合金触头材料在中国已经成为广泛接受和采用的并将成为全世界范围内中压真空断路器的真空开关管首选的触头材料。     

高起点创新新型基地——荆门与中科院联烟

2005年1月12日．湖北金力源电工材料有限公司在中科院金属研究所王亚平研究员的亲自指导下生产出了第一对铜铬25电触头。这是自去年7月荆门高新区牵手中科院后，院企联姻结出的第一枚果实，标志着铜铬触头材料生产线的试车成功。铜铬25是中科院研发的在国际上处于领先水平的新型电触头材料，也是国家“十五”863计划重点项目之一。     

真空灭弧室制造技术的发展

目前用于真空开关的触头材料大概有3种：半难熔金属＋良导体,如铜铬（CuCr）合金;熔融金属＋良导体,如铜钨合金;铜合金,如铜铋等。在中压真空开关中,铜铬被认为是最佳的触头材料,它结合了触头材料中最关键的电性能于一身,即优良的导电性,高的开断电流能力,良好的抗电弧熔蚀性和很好的抗表面熔焊能力以及截流值小等。     

热等离子体技术制造铜铬触头材料

本文简单介绍了热等离子技术的原理及真空开关用铜铬触头材料制造工艺现阶段的研究发展状况，对热等离子体技术在铜铬材料制备中的应用作了评述。     

影响铜铬触头材料性能的因素的分析

综合论述了影响铜铬真空触头材料性能的因素.     

铜铬系真空触头材料制造工艺

综述了铜铬系真空开关触头材料的各种制造工艺,详细分析了它们的优缺点。