4～20mA电流环供电温度传感器

用一个模拟温度传感器、一个运放、一个晶体管和一个低压降线性稳压器构成的电路(见图1)提供4～20mA输出(3.75～28V范围).因为所用器件都具有低静态电流,所以可用此电流环为这些器件供电. 　　……     

可提供4～20mA输出的温度传感器

图中所示电路输出正比于温度的电流(4～20mA)。该电路工作电压8至40V。电路经调整后,PSR指标超过0.0003％/V,在-50℃到+150℃温度范围内精度可达±1％。IC1输出电压V_(TEMP)正比于温度变化使电路作为温度传感器,并相当于一个2.5V参考信号。V_(TEMP)在25℃时等于0.55V,温度系数为1.9mV/℃。微功耗,单电源运算放大器IC_2缓冲了V_(TEMP)端上的漏电流,该运放功耗电流不大于50nA,     

用于测温的简易电流发送器

温度测量经常需要远地读数,传感器所发送的实际上是一个4～20mA的电流。商品电流发送器价格昂贵;而此电路简单,成本很低。 集成块LM3911内含一个10mV/℃的电压源,一个6.8V的参考电压和一个可外用的运放。附加少量无源元件和一个晶体管,就构成了一个温度控制的电流源电路。 电阻R1与Ra、Rb为星形连接,它们与R2、R3确定了运放的电流增益,使该电路在温度为-20℃     

高输出阻抗的电流源设计

基准电流源要求精度高、温度漂移小和输出阳抗高。现有的各种IC电流源都达到这些要求。但是,在电流超过1mA时,它们的输出阻抗都会降低到不到10MΩ。图1是一个复合的10mA的电流源电路,工作电压范围为5～42V,设定电流的误差小于     

用于电源测试的精确压控电流阱

为了检测潜在的电源缺陷,必须进行动态和静态测试。这里的简单电流阱可测试低到中功率电源和恒压源。在该应用中,在输入电压范围为0V～5V,电源电压最高为20V时,电流阱可吸收0A～1.5A的电流。该电路的基本部件为一个精密运放IC1,采用Texas Instruments的OPA277。该器件特点为：最大输入偏置电压仅为100μV,最大输入偏置电流为4nA,在-40℃-＋85℃温度范围内温漂较低（图1）。运放IC将其正输入电压与检测电阻RSENSE上的电压进行比较。     

利用外部晶体管降低线性稳压器压差

对于线性稳压电路,压差（VIN－VOUT）是在保证稳定输出的前提下所允许的最小输入电压与输出电压之差。由于负载电流连续流过调整管,因此,较低的压差意味着更长的电池寿命。图王所示电路,利用外部晶体管构成一线性稳压电路,负载电流为100mA时,压差仅有10mV;而低压差线性稳压器输出100mA负载电流时,压差为100mV。另外,利用外部晶体管还提高了负载驱动能力,电流可达1A。图1中,将IC1的IN脚与晶体管基极连接,基极电流经内部开关场效应管、由OUT引脚流过电阻R2到地。场效应管通过控制Q1的基极电流调节输出电压VOUT,电容C2…     

复合多晶硅双极晶体管DC～3 Gb/s LD/EA驱动器

本文介绍了一种新型LD/EA驱动器.该驱动器采用四个塑封NPN多晶硅双极晶体管和一个常规硅双极晶体管作为有源器件,可以在25Ω负载上产生50mA的调制电流用于直接驱动激光器或在50Ω负载上产生2.5V的调制电压用于驱动EA调制器.该驱动器的工作速率为DC至3Gb/s,调制电流和偏置电流调节范围分别为5～50mA,上升、下降时间小于100ps.     

宽范围负输入电压下工作的升压变换器

假设一项设计需要正电压,但却只有负电压源可供使用.在图1所示电路中使用一块标准升压变换器IC,你就能高效地由一个负电压源产生一个正电压.升压变换器产生的输出电压高于输入电压.由于输出电压(本例中为5V)高于负输入电压的地电平,所以该电路并不违反升压变换器原则.图1所示电路使用EL7515,这是一个标准的升压变换器.变换器IC的接地脚连接到负输入电源上.地线就成了"正"的输入电源.VOUT=-VFB(R2/R1)=-1.33V(37.5kΩ/10 kΩ)=-5V.PNP晶体管Q1和Q.构成了一个转换器,将5V输出电压(对地)转换成相对于负输入的反馈电压.两只晶体管也能减少温度变化和电压下降的影响.当负输入电压下降时,Q2的电流逐渐高于Q1的电流,造成晶体管补偿失配.     

DESIGN SHOWCASE

图1所示的高效RAM备份电源为8V至32V的输入在1mA时提供5V电源.大部分工作在这一范围的单片稳压器是静态电流相当于1mA负载电流的双极型IC.然而,这一电路工作时仅消耗10μA.串联旁路JFET在一个开关线性稳压器中用作开关型电流源:启动时,C1充分放电,Q1用作电流源.C1充电时,V_(OUT)呈线性上升,在2V处激活IC1并继续上升到R3和R4设置的5V门限.IC1内集成了一个CMOS微功率比较器和1.182V带隙基准.当V_(OUT)达到其门限值时,比较器输出转为低电平,反向偏置Q1的选通源结点使其断开.当负载电流使C1放电到输出门限以下时,Q1重新导通并完成一个     

使用自举积分电路的精密电流源设计

如图1所示的普通电流源的精确度不低于1%,而且对温度不太敏感(温度系数低于5×10-5/℃ )。该电路有较高的输出阻抗和较宽的电压允许范围(4.3～34V）。它采用电压参考集成电路IC1及电阻R1来产生一个稳定的电流源,并符合表达式ISOURCE=VREF/R1+IC1的对地电流。IC1的精确度扩展到5.5V供电电压极限之外(CMOS）。这归功于采用由IC2、R2及C2组成的自举积分电路,它能保持IC1的输入在允许范围之内,因而一个符合IC2的宽供电范围的精密电流源产生了。IC2是为了保持IC1的输入在允许范围(<5.5V)内的旁路器件,由于IC2的自举,这个电…     

LDMOS功率场效应晶体管的设计与研制

LDMOS器件是目前高压集成(HVIC)及功率集成的重要器件。本文提出了该器件的设计及研制结果。采用标准的DMOS工艺已研制成功耐压180V最大输出电流400mA、V_G=4V时跨导为50mV、最小导通电阻50Ω的器件。阈电压通过离子注入剂量调节在1～4V范围。某些参数达到了国外同类器件的水平。所研制的器件与同材料的VDMOS相比,作为双极型模拟电路兼容的高/低压MOS器件,它具有更好的性能。作者希望通过对该器件的研究,进一步推动国内高压集成的发展。     

集成温度传感器AD590及其应用

<正> 集成温度传感器实质上是一种半导体集成电路,它是利用晶体管的 b-e 结压降的不饱和值 VBE 与热力学温度 T 和通过发射极电流 I 的关系实现对温度的检测。集成温度传感器具有线性好、精度适中、灵敏度高、体积小、使用方便等优点,得到广泛应用。集成温度传感器的输出形式分为电压输出和电流输出两种。电压输出型的灵敏度一般为10mV/K,温度0℃时输出为0,温度25℃时输出2.982V。电流输出型的灵敏度一般为1μA/K。     

LR6系列集成稳压器及其应用

<正> 美国Supertex公司最近推出一种高输入电压、低输出电流的LR6系列线性集成稳压器,它的特点是:输入电压范围宽(15～450V);连续工作输出电流为3mA,输出脉冲电流可达30mA,外接一个MOS场效应管,输出可达150mA;自身耗电为50μA;线性调整率为0.1mA/V;负载调整率为50mV/mA;纹波抑制率为60dB。 LR6系列有三端器件及五端器件两种结构。三端器件有     

自动选择工作模式的宽范围稳压器

图1所示电路可在外部DAC（未示出）控制下为EEPROM提供编程电压。您可以用一个电位器来代替该DAC，以建立从12V电源上工作并能提供OV～32V可变输出电压的通用电源。如图1所示，凌特科技公司（Linear Technology）的LT1072HV型可变升压开关稳压器IC1，驱动一个由运放IC2、升压级Q3及发射极跟随器达灵顿晶体管Q2组成的A类放大器。电阻器R9和R10将放大器的正相环路增益设定为1＋（R9／R10）。     

复合多晶硅双极晶体管DC—3Gh／s LD／EA驱动器

本文介绍了一种新型LD／EA驱动器。该驱动 器采用四个塑封NPN多晶硅双极晶体管和一个常规硅双极晶体管作为有源器件，可以在25Ω负载上产生50mA的调制电流用于直接驱动激光器或在50Ω负载上产生2．5V的调制电压用于驱动EA调制器。该驱动器的工作速率为DC至3Gh/s，调制电流和偏置电流调节范围分别为5－50mA,上升、下降时间小于100ps。     

三支分立晶体管构建一个运放

用三支分立晶体管就可以搭一个开环增益大于100万的运放（图1）。输出偏置在电源电压的一半左右，方法是将齐纳二极管D1、输人晶体管Q1的基射电压，以及1MΩ反馈电阻R2上的1V压降结合起来。 电阻R3和电容C1构成一个补偿网络，防止电路振荡。图中的值仍提供很好的方波响应。R2与R1的比率决定了反相增益，本例中为-10。     

带延迟复位功能的低压差稳压器IC

<正> 单片机在运行中对电源有严格要求。本文介绍的带延迟复位功能的低压差稳压器TPS73xx可满足各种单片机对电源的要求。 TPP73xx是微功耗低压差稳压器IC系列,具有延迟微处理器复位功能。该系列具有3.3V、4.85V和5V固定输出以及可调输出等几种稳压器IC。内部有精密基准电压及比较器电路,使电源的稳定度高。采用MOSFET作调整管,输出压降小。当输出电流I_0为100mA时,其最大压降为35mV。最大输出电流为500mA。输出电流在100mA至500mA区间,压降几乎不变。静态电流小,典型值为340μA,在关闭状态下,静态电流仅为0.5μA。工作温度范围为0～125℃。     

9种新型电荷泵反转倍压器

Tclcom公司在2000年8月推出一个系列9种电荷泵反转倍压器新器件:TC1682～1684、TC2682～2684及TC3682～3684。这一个系列基本功能相同,在性能上略有差别。它们共同的特点有(?)工作电压范围1.8V～5.5V,输出电压-3.6～11V;输出电阻典型值120Ω;电压转换效率99％,外部仅需3个电容器;输出电流可达10mA;有节省电能的关闭模式(TC2682～2684无此功能);工作电流低;工作温度范围工业级(-40℃～(?)85℃);小尺寸MSOP封装。     

充电器电路

线性锂离子电池充电器 MIC79110 MIC79110 是一种简单但精确的锂离子电池充电器IC。 主要特点　　　输入电压VIN高于充电电池1V;在-5～ 60℃范围内,输出电压精度±0.75%;在整个温度范围精度±1.5%;从 -5～125℃范围,输出电流限制精度± 5%;终止充电标志可设定;模拟输出正比于输出电流;有固定 4.2V 输出(充1节锂离子电池)及输出电压可调(充多节电池);压差低,在工作温度范围内,输出 700mA 时,其压差 500mV;输出电流可达 1.2A;极好的电压及负载调整率;电池接反及反向电流保护;过热关闭及电流限制保护;薄型 10 管脚 MLF 封装;结温范围 -…     

扩展电流分流监控器电压范围的电路

把电流分流监控器(如INA168)连接到高达60V电源电压的电流分流电阻器(见图1)上可使电流感测更高的电压。此方法可扩展MOSFETQ1适用的任何电压。齐纳二极管DZ1调整电流分流监控器的电源电压。此电压相对电源电压“浮动”。所选DZ1能为IC1和Q1组合在扩展电源范围(5.1~56V)内提供足够的工作电压。首先,选择R1置DZ1的偏置电流大于IC1最大静态电流。图中INA168标定最大静态电流为45mA。DZ1的偏置电流在200V时大约为500mA,这远远大于IC1的最大电流。所选择的偏置电流值应限制R1上的功耗小于0.1W。P沟MOSFET(Q1)连接IC1,IC1输…