纳米硅薄膜用于非晶硅液晶光阀阻光层研究

本文报告了我们首先提出的采用ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结作为大屏幕投景液晶光阀光敏层，向列型液晶作为液晶光阀调制层的一种新型液晶光阀。Ａ－Ｓｉ：Ｈ光导层和ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ阻光层通过辉光放电等离子体化学气相沉积法连续制得。本文研究了不同沉积条件下ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构和光电性质。Ａ－Ｓｉ：Ｈ和随之沉积的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ形成了ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结，本文还讨论了它的光电性质。采用ａ－Ｓ     

纳米硅薄膜用于非晶硅液晶光阁阻光层研究

本文报告了我们首先提出的采用ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结作为大屏幕投影液晶光阀光敏层，向列型液晶作为液晶光阀调制层的一种新型液晶光阀．Ａ－Ｓｉ：Ｈ光导层和ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ阻光层通过辉光放电等离子体化学气相沉积法连续制得．本文研究了不同沉积条件下ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构和光电性质．Ａ－Ｓｉ：Ｈ和随之沉积的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ形成了ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结，本文还讨论了它的光电性质。采用ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结的液晶光阀可改进器件的许多性能．     

SnCl_4结晶水对SnO_2成膜的光电性质影响

报道了用无水ＳｎＣｌ４和ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ为原料，用热喷涂法制备ＳｎＯ２薄膜，在基片温度为５３０℃时，制得薄膜的Ｘ－射线，ＳＥＭ图及其光电性质．总结出含Ｈ２Ｏ的ＳｎＣｌ４制得的薄膜生长速度快，电阻率低，两者在结构上无明显差异。     

测试电压和湿度对气敏特性的影响

对影响金属氧化物薄膜气敏元件测量可靠性的因素－测试电压ＶＴ和湿度［Ｈ２Ｏ］进行了实验研究：给出了灵敏度Ｓｎ随测试电压ＶＴ变化的曲线,得出了存在一个Ｓｎ稳定的测试决压区间;给出了Ｓｎ随［Ｈ２Ｏ］变化曲线的形式,得出了Ｓｎ随［Ｈ２Ｏ］变化的相对起伏是大的结果;研究了相对灵敏度Ｓｎ′≡Ｓｎ（Ｃ０）／Ｓｎ（Ｃｓ）,得出了Ｓｎ′基本不随湿度变化的结果。     

测试电压和湿度对气敏特性的影响

对影响金属氧化物薄膜气敏元件测量可靠性的因素——测试电压ＶＴ和湿度［Ｈ２Ｏ］进行了实验研究：给出了灵敏度Ｓｎ随测试电压ＶＴ变化的曲线,得出了存在一个Ｓｎ稳定的测试电压区间;给出了Ｓｎ随［Ｈ２Ｏ］变化曲线的形式,得出了Ｓｎ随［Ｈ２Ｏ］变化的相对起伏是大的结果;研究了相对灵敏度Ｓｎ′≡Ｓｎ（Ｃ０）／Ｓｎ（Ｃｓ）,得出了Ｓｎ′基本不随湿度变化的结果．     

Li2O—BaO—SiO2电极玻璃成分与性质的依从性及用钕离子？…

测定了Ｌｉ２Ｏ－ＢｓＯ－ＳｉＯ２系统的玻璃形成范围和结晶相,得到了等水溶性和等膨胀系数曲线。这些图解指出高化学稳定性和低膨胀系数范围仅限于高ＳｉＯ２含量区。在Ｌｉ２Ｏ－ＢａＯ－ＳｉＯ２玻璃样品中注入不同剂量钕离子。结果表明：锂的淬取量在剂量１×１０＾１６ｉｎｓ／ｃｍ＾２以下明显减少,但剂量１５×１０＾１６ｉｏｎｓ／ｃｍ＾２时减少量变得缓慢。     

等离子分解锆英石制备ZrO2—SiO2—Al2O3 复相陶瓷

离子分解锆英石（ＰＤＺ,ｐｌａｓｍｉｃａｌｌ ｄｅｃｏｍｐｏｓｅｄ ＺｒＯ２）ＧＮ Ｌ２Ｏ３注浆成型反应烧结制备ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３系复相陶瓷,与用锆英粉和Ａｌ２Ｏ３制备的该系复相陶瓷进行对比。采用ＸＲＤ、ＯＭ、ＳＥＭ等手段研究烧成后材料的物相组成、显微结构及物理性能。结果表明：ＺｒＳｉＯ４的分解先于莫来石开成;由ＰＤＺ制得的制品性能优于锆英是的制品;ｎ（Ａｌ２Ｏ３）／ｎ（ＰＤＺ）＝３／     

PMMA/SiO2杂化凝胶材料的研究

利用两步酸、碱催化溶胶－凝胶法及原位聚合法制备ＰＭＭＡ／ＳｉＯ２（聚甲基丙烯酸甲酯ＳｉＯ２）杂化凝胶,并对该材料进行红外分析,研究不同工艺条件下ＰＭ－ＭＡ／ＳｉＯ２杂化凝胶结构及性能。     

鄂东南晚二叠世大隆组层状硅质岩成因地球化学及沉积环境

鄂东南地区的晚第二叠世大隆组中存在数层与地层融合产生的薄层状硅质岩，其微量元素，微量元素，稀土元素，硅和氧同位素地球化学特征表明其为热水沉积硅基岩，Ａｌ－Ｆｅ－Ｍｎ和Ｆｅ－Ｍｎ－（Ｎｉ＋Ｃｏ＋Ｃｕ）三角图上，硅质岩属较典型的热水沉积硅质岩，硅质岩ＭｎＯ／ＴｉＯ２〈０．５，δＣｅ平均值为０．８０，δ＾３０Ｓｉ值为０．３×１０＾－３～０．７×１０＾－３，表明本区晚二叠世大隆组层状硅质岩主要在浅海环境下     

K_2O－B_2O_3－SiO_2系统玻璃结构的光谱研究

本文应用红外光谱和喇曼光谱分析技术，研究了Ｋ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统玻璃的结构．结果表明，在ＳｉＯ２／Ｂ２Ｏ３＞２的情况下，无论Ｋ２Ｏ／Ｂ２Ｏ３＞１、≈１、还是＜１，玻璃结构中均存在［ＢＯ３］，Ｓｉ－Ｏ－－Ｏ－Ｓｉ－Ｏ－及各种硼酸盐基团，在实验组成范围内，玻璃结构以硅氧网络为主，硅氧网络和硼氧网络上均带有非桥氧，并且对这种结构特征产生的原因进行了分析．另外，实验结果还说明ＳｉＯ２／Ｂ２Ｏ３和Ｋ２Ｏ／Ｂ２Ｏ３是影响网络结构的主要原因．     

活性炭负载TiO2光催化降解甲醛

研究了活性炭负载TiO2所制得的光催化剂(TiO2/AC)对空气中甲醛光催化降解效果,考察了光照时间、TiO2负载量、空气流量对甲醛光催化降解效率的影响,讨论了TiO2/AC对甲醛的吸附性能以及吸附一定量甲醛后对其光催化效果的影响.结果表明:在活性炭表面负载TiO2后,对甲醛仍具有很强的吸附能力;光催化剂在空气中对甲醛的光催化降解效率可达94.06%;吸附甲醛后,稳定状态下甲醛光催化降解效率和新制备催化剂基本相同;在保证每次镀膜(TiO2)厚度达到300 nm的条件下,一次镀膜光催化效率高于多次镀膜;随着空气流量的增加,甲醛光催化降解效率有所提高.     

Preparation and characterization of nanocrystalline SnO2 thin film by electrodeposition technique

A novel process for preparing tin oxide thin films directly on copper foil by electrodeposition was developed. An optimal preparation technology to obtain SnO2 thin films was proposed with current density of 8 mA/cm2, the time of deposition of 120 min, the concentration of tin dichloride of 0.02 mol/L and the concentration of dissociated acid of 0.03 mol/L. The phase identification, microstructure and morphology of the thin films were investigated by thermogravimetric analysis and differential thermal analysis, X-ray diffraction, Fourier transform infrared spectra,scanning electron microscopy and transmission electron microscopy. The as-deposited thin film was composed of SnO2·xH2O was obtained by drying at room temperature. Nanocrystalline SnO2 thin film having tetragonal structure with average grain size in the range of 8 to 20 nm and porous, uniform surface was obtained by heat-treating the as-deposited film at 400 ℃ for 2 h. Electrochemical characterization shows that SnO2 film can deliver a discharge capacity of 798 mAh/g and the SnO2 film with smooth surface and annealed at 400 ℃ for 2 h has better cycle performance than that with rough surface and annealed at 150 ℃ for 10 h.     

Si3N4／SiO2辅助介质剥离膜的研究

提出了利用Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２双层介持膜作为ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎ－ｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）剥离工艺中的辅助剥离膜，研究结果表明，采用Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２双层介质剥离膜，易于形成倒剪口剖面，金属剥离效果良好，是一种非常有效的辅助剥离膜。     

光触媒TiO2催化机理及空气净化方法探悉

研究了光触媒TiO2催化净化方法和具有光催化TiO2装置的中央空调系统.提出了光催化TiO2净化装置在中央空调系统中应用的技术方案.对光催化TiO2装置的催化作用机理、反应过程以及对环境的净化功能和净化效率进行了论述.     

液相法光催化氧化丙烯制环氧丙烷研究

研究了加入有机溶剂和不同特征的TiO2光催化剂对光催化合成环氧丙烷的影响,验结果表明：以乙醇与水的混合物为溶剂可以提高环氧丙烷的生成速率和选择性,TiO2粉末粒度越小,比表面积越大,催化效果越好,含适量金红石的锐钛型TiO2具有较高的催化活性。     

溶胶凝胶法制备掺杂锑（Sb）的透明导电膜

采用溶胶－凝胶方法制备了SnO2掺杂Sb的透明导电膜（简称ATO膜），并讨论了掺杂量和热处理条件对膜可见光透过率及膜电阻率的影响，用XRD，SEM，TG－DTA以及IR等研究了所得薄膜的结构性质，制备出导电性能优良的透明导电膜。     

溶胶凝胶法制备掺杂锑(Sb)的透明导电膜

采用溶胶 凝胶方法制备了SnO2 掺杂Sb的透明导电膜 (简称ATO膜 ) ,并讨论了掺杂量和热处理条件对膜可见光透过率及膜电阻率的影响 ,用XRD ,SEM ,TG DTA以及IR等研究了所得薄膜的结构性质 ,制备出导电性能优良的透明导电膜     

Structural and mechanical properties of amorphous carbon films deposited by the dual plasma technique

Direct current metal filtered cathodic vacuum are (FCVA) and acetylene gas (C2H2) were wielded to synthesize Ti-containing amorphous carbon films on Si (100). The influence of substrate bias voltage and acetylene gas on the microstructure and mechanical properties of the films were investigated. The results show that the phase of TiC in the (111) preferential crystallo-graphic orientation exists in the film, and rite main existing pattern of carbon is sp2. With increasing the acetylene flow rate, the con-tents of Ti and TiC phase of the film gradually reduce; however, the thickness of the film increases. When the substrate bias voltage reaches -600 V, the internal stress of the film reaches 1.6 GPa. The micro-hardness and elastic modulus of the film can reach 33.9 and 237.6 GPa, respectively, and the friction coefficient of the film is 0.25.     

射频反应溅射制备SnO2薄膜机理研究

SnO2薄膜的成膜机制是研究其结构的一项重要内容，本文就射频反应溅射成膜过程中影响成膜质量的因素进行了讨论，给出了薄膜形成过程的初步模型，分析了影响薄膜成长和特性的因素。     

金属氧化物半导体气敏特性的研究──（Ⅲ）实用化研究（续二，续完）

本文从实验和理论上对用粉末溅射研制的ＳｎＯ２／ＣｅＯ２酒敏薄膜的性能与膜厚、温度、掺杂量等进行了研究，并根据研究的结果和有关理论对平面薄膜型酒敏传感器的工艺和结构进行了设计；介绍了所研制的器件的一些性能．