康佳S800:袖珍红色尽显女性高贵

康佳S800主要参数网络类型 GSM900MHz/DCS1800MHz、GPRS　Class　10　class　B待机时间 120 小时(500mAH 电池)外形尺寸 86mm × 45mm × 21.5mmLCD 尺寸 LCD128 ×128 像素;65K 色CSTN 屏 拿到康佳S800,第一感觉是它的颜色,与赛车极其相似的红色让人自然而然联想到女性的高贵,而其袖珍的小巧则让人爱不释手,其尺寸仅为86毫米×45毫米×21.5 毫米。 事实上,除了外形上给人的震撼外,它的内涵也同样让人不可小视。康佳S800主屏采用65536色CSTN 彩色屏幕、128×128像素、30 万像素高清摄像头、64 和弦铃声、ZI中英文智能输…     

新型贴片式LED3528及5050

<正> 3528及5050是贴片式LED的封装尺寸(尺寸代码),其前面两个数字是封装的长度尺寸,后两位是宽度尺寸(单位是mm)。例如,3528表示其LED的长度是3.5mm,宽度是2.8mm,即长×宽的尺寸是3.5mm×2.8mm;5050即长×宽尺寸都是5mm。贴片式LED的封装尺寸有各种各样,但尺寸代码为3528及5050的贴片式LED为很多LED生产工厂所采用,并且     

便携式多波段共孔径光学设计

设计了一款非制冷便携式可见光/红外双光系统,基于共孔径的方式,实现可见光、红外双波段同时观察的目的;可见光光路选用1280×1024的CCD,像元尺寸为3.45μm,视场角为60°,工作波段为486～656nm,光学传递函数值在空间频率50 lp/mm处达到0.3以上;红外光路选用640×512非制冷探测器,像元尺寸为17μm,视场角为60°,工作波段为8000～12000nm,光学传递函数值在空间频率30 lp/mm处达到0.3以上;整个光学系统尺寸约为160mm×100mm×50mm,满足高性能、高集成、小型化、重量轻,无视差等要求。实验证明,该系统在可见光和红外波段均具有良好成像效果,具有较强的市场竞争力。     

输出能量1.5J的LiF∶F_2~-色心激光振荡

我们用(?)8×160mm钕玻璃激光作为色心激光的纵向泵浦光源,以30×30×2.5mmLiF:F_2~-色心晶体做调Q元件,单脉冲输出时脉宽200ns,多脉冲的脉宽为0.8ms,能量为10J.大块优质LiF:F_2~-色心激光晶体尺寸38×47×73 mm,谐振腔由二块平面介质反射镜构成,在1.1～1.26μm波段范围内其反射率分别为100%和8%.谐振腔长度约为30cm,LiF:F_F~-色心晶体在谐振腔内的安放位置与钕玻璃激光的倾斜角约为4°.LiF:F_2~-色心激光振荡经LN晶体倍频,调至具有明亮的58nm黄色激     

空气隙对瓷介微调电容器温度系数的影响

<正> 电子工业部标准(SJ650-80)规定,CCW3型圆片瓷介微调电容器的电容温度系数应在-(200～800)×10~(-6)/℃范围之内。但在实际生产中,会出现电容温度系数比-200×10~(-6)/℃大或比-800×10~(-6)/℃小的现象,其原因除了介质材料的影响外,是由于零部件加工和微调电容器装配等过程中造     

光电器件

具有小暗电流的检测器 P3MXP1039硅光电导检测器在10V电压时只有不到2nA的暗电流。该检测器在650nm的灵敏度为0.35A/W,其有效面积为1mm~2。印刷电路板的尺寸为0.26(长)×0.160(宽)×0.040(高)mm。 Microsemi http://www.microsemi.com     

超小型片状电阻

<正> 一、引言 本所研制的砷化镓场效应管微波宽带混合集成放大器(4～8GHz、8～12GHz)为平衡式结构,制作微带线所用的99％氧化铝陶瓷基片尺寸是9.6×20mm、5×10mm。负载电阻是用厚度只有0.3mm的99％氧化     

高效率Ku波段HBTMMIC功率放大器

<正> 这种MMICPA所用的器件结构是用MOCVD系统生长的,依次为1.5μm厚的重掺杂n-GaAs下集电极、0.7μm厚的掺杂为2×10~(16)cm~(-3)的集电极、5×10~(19)cm~(-3)碳掺杂基极(厚度80nm)、100nm厚的掺杂浓度为5×10~(17)cm~(-3)的Al_(0.35)Ga_(0.65)As发射极和200nm厚的掺杂     

大直径大折射率差轴向梯度折射率玻璃

采用一般商用铅 硅酸盐系列玻璃,按折射率分布从低到高排列成多层堆片,在650～800℃下进行熔融/扩散,形成一种大直径(40mm×40mm×0.5mm)、大轴向梯度折射率(Δn≈±0.4)线性剖面分布的玻璃板。这种材料对光学设计提供了校正像差的附加自由度。     

新型压电晶体La_3Ga_5SiO_(14)的生长及特性

用提拉法成功地生长了La3Ga5SiO14(LGS)单晶,用X-ray粉末衍射证明了其单晶结构,测得沿Y、Z方向的热膨胀系数分别为5×10-6K-1、3.8×10-6K-1,在453.15K时测得晶体的比热为0.90J/g·K,并在200～800nm之间测其透过谱,测得了其全部压电及弹性常数。     

104 W全固态532 nm Nd∶YAG激光器

我们采用单Nd∶YAG棒平凹谐振腔设计及临界相位匹配的KTP晶体 ,利用内腔倍频技术获得了平均功率为 10 4W的绿光输出。实验装置如图 1。实验采用美国CEO公司生产的半导体激光器组件 ,它由 80个 2 0W二极管激光器组成 ,按照五角形等间距侧面抽运Nd∶YAG棒 ,其总抽运功率为 16 0 0W ,激光介质的尺寸为 6 36mm× 146mm ,侧面打毛 ,两端磨成平面 ,镀 10 6 4nm增透膜。倍频晶体采用Ⅱ类相位匹配的KTP晶体 ( =2 3 6° ;θ=90°) ,其尺寸为 7mm× 7mm× 8mm ,两面镀 10 6 4nm和 5 32nm增透膜 ;考虑到高功率下激光介质Nd∶YAG棒的热致…     

LiYF4:Tm3＋单晶的生长及其光学性能研究

采用坩埚下降法,制备了尺寸为Φ10mm×110mm的高质量Tm³⁺掺杂LiYF₄(YLF :Tm3＋)单晶体。测试了样品的电感耦合等离子(ICP)、X光衍射(XRD)吸收光谱 以及790nm LD激发 下的荧光光谱。应用Judd-Ofelt理论计算了Tm³⁺在YLF∶Tm3＋单晶 材料中的唯象强度参数Ω_t、能级跃迁振子强度Pexp、 自发辐射跃迁几率A、荧光分支比β和辐射寿命τrad 等光谱参数,同时计算了1800nm波段的吸收截 面和受激发射截面分别 为σabs=0.52×10－20 cm²和σem=0.67×10 －20 cm²。在荧光光谱中观察到1470nm与1 800nm的荧光发射,它们分别对应于Tm³⁺的³H₄→³F ₄与³F₄→³H₆的能级跃迁。测定了1800nm波段的荧光寿命 ,并计算得到³F₄→³H₆跃迁的量子效率为79.22%。     

线路板与系统

Varitronix公司生产的芯片是做在玻璃板上的STN模块,尺寸为65×32.6×2.8mm,适宜用于像蜂窝电话那样便携式设计中。单色显示的字符节距为3.45×5.75mm,字符空间为0.05×0.06mm。该模块的工作电压为4.7V,能允许4位,8位和I~2C输入。电话:(852)2197-6000传真:(852)2343-9555     

新型压电晶体La3Ga5SiO14的生长及特性

用提拉法成功地生长了La3Ga5SiO14(LGS)单晶,用X-ray粉末衍射证明了其单晶结构,测得沿Y、Z方向的热膨胀系数分别为5×10-6 K-1、3.8×10-6 K-1,在453.15 K时测得晶体的比热为0.90 J/g*K,并在200～ 800 nm之间测其透过谱,测得了其全部压电及弹性常数.     

射频磁控溅射ITO薄膜中沉积温度对膜特性影响

采用射频磁控溅射的方法,在溅射过程中改变沉积温度以提高铟锡氧化物(ITO)薄膜的电学和光学特性。采用扫描电镜(SEM)分析了ITO薄膜的表面形貌,发现ITO薄膜的晶粒尺寸随着衬底温度的升高而增大。经过后续退火,ITO薄膜的电学特性得到了较大的提高。在溅射条件为工作气压1 Pa、衬底温度200℃和输入功率200 W沉积的样品经过300℃真空退火2 h获得了12.8×10-4Ω.cm的低电阻率和800 nm波段94%的高透过率。     

女士贵族型手机（适合40岁以上）

机型:LG CU8380参考价格:5500元性能指标:网络频率: CDMA 95/1X,800MHz;颜色:灰色、红色、蓝色;尺寸/体积:88.9mm×47mm×21.7mm;重量:82.7克;内屏参数:26万色TFT彩色屏幕,176×220像素,32.00×40.00毫米;外屏参数:6.5万色STN彩色屏幕,95×96像素,22mm×22mm;通话时间:65～85分钟;待机时间:70～80小时。     

男士、女士实用型(适合18岁以下)

机型:康佳KC827参考价格:1199元性能指标:网络频率:CDMA 95/1X;800MHz内屏参数:65000色LCD彩色屏幕;120×160像素机身尺寸:86mm×46mm×22.3mm机身重量:90克待机时间:150分钟     

女士实用型（适合30岁-45岁）

机型:LG CU8180参考价格:1980元性能指标:颜色:纯银网络频率:CDMA 95/1X;800MHz重量:83.2克尺寸/体积:86.7mm×46mm×21.5mm内屏参数:65000色TFD彩色屏幕;120×160像素;中文9行     

国外简讯

500—800MHz SAW滤波器 美国AT&T微电子公司推出的17型SAW滤波器,其工作频率范围为500—800MHz,中心频率为622.018MHz。滤波器插损为15.5dB;3dB加载Q值为800,移相度为-0.33°;振幅变化为1dB(最大):输入和输出的失配衰减分别为3dB和2.7dB;最大抑制为40dB;温度范围为-40—+30℃。器件适合于OC—12 SONET标准,采用小型22管脚的表面封装外壳。尺寸为16mm×3mm×10mm。     

大尺寸氟化物晶体的坩埚下降法生长研究

采用坩埚下降法,在自制的真空炉内石墨坩埚中生长了大尺寸LiF、CaF2 和LaF3 晶体。生长前,在水平电阻炉内对市售的氟化物原料进行了氟化处理,合成了稳定的无水氟化物多晶料。通过优化生长参数,如适当的炉温分布、合适的晶种以及缓慢的降温速率,成功地生长出尺寸分别为<110mm×50mm、<200mm×45mm和<50mm×50mm的LiF、CaF2 和LaF3 晶体。