纳米加工和纳米电子器件

介绍了电子束曝光技术、EUV光刻技术和X射线光刻技术的进展;对各种纳米电子器件如单电子器件、共振隧穿器件和分子电子器件的研究现状及面临的主要挑战进行了讨论。     

固体纳米电子器件的发展及应用

介绍固体纳米电子器件及其应用。固体纳米电子器件包括共振隧穿器件(RTD)、量子点器件(QD)和单电子器件(SED)。单电子器件又分为单电子晶体管(SET)和单电子存储器(SEM)，     

纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

纳米技术和光电子技术是一门新兴的技术，近年来，越来越受到世界各国的重视。本文主要介绍纳米光电子学的基本概念，发展模式，纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。     

纳电子器件

随着电子器件的小型化，器件的尺寸已经到了介观尺寸，传统的器件日益接近其物理机理的禁区，一些新的介观器件随之出现。本文根据介观系统的新特点，介绍了几种典型的纳电子器件，并简单地介绍了量子干涉器件、共振隧穿器件、单电荷转移器件，量子点元胞自动机的工作机理和各自所体现的介观效应。     

纳米电子器件

概述了用于超高密度集成电子计算机的纳米尺寸电子开关器件的研究进展。讨论了场效应晶体管的两类替代物： （１） 量子效应和单电子固态器件, （２） 分子电子器件。提出了每一类器件的分类方法, 描述了其工作原理并对各种器件进行了比较     

纳米电子器件

概述了用于超高密度集成电子计算机的纳米尺寸电子开关器件的研究进展。讨论了场效应晶体管的两类替代物：（１）量子效应的单电子固态器件；（２）分子电子器件。提出了每一类器件的分类方法，描述了其在工作原理并对各种器件进行了比较。     

纳米电子器件及其集成

对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论.采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件,观察到明显的库仑阻塞效应;在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1 Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件,在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2;概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.     

纳米电子器件及其集成

对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如：单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论. 采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件，观察到明显的库仑阻塞效应；在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件，在室温下测得其峰谷电流比高达13.98，峰电流密度大于89kA/cm2；概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.     

纳米电子器件及其集成

对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论.采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件,观察到明显的库仑阻塞效应;在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1 Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件,在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2;概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.     

共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和研究热点

在概括了共振隧穿器件及其集成技术的特点和分析了其发展趋势的基础上,给出了该领域当前的研究热点。     

纳米电子器件中的噪声及其应用研究

对多种纳米材料和纳米器件的噪声进行了比较详细的研究,对纳米器件中几种常用的噪声测量方法进行了探讨。讨论了利用噪声(主要是散粒噪声)进行介观电学机制探测的方法,并提出了用于解决单电子晶体管中背景电荷噪声的有效方法,揭示了双势垒共振隧穿二极管在负微分电阻区的散粒噪声大于Poisson值的本质。     

电子器件用中温钎料的研究进展

从中温钎料的基本性能要求出发,综述了中温(400~600℃)钎料的发展历程和近年来中温钎料的最新研究进展。指出由超细焊粉制备的焊膏是今后中温钎料发展的一个重要方向。     

Material and device properties of a solid state electrochromic display

A solid state electrochromic display with the following configuration: transparent conductor/WO₃/Na_1+xZr₂Si_xP_3−xO₁₂/ Na_0.3WO₃/conductor has been fabricated and studied. The properties of the electrodes are shown to be dependant upon the preparation conditions. Two problems, specifically due to the solid state nature of this device, are also discussed. These are the incompatibility of the WO₃ layer with the processes necessary to deposit a transparent electrode onto it, and the large resistance at the solid electrode/electrolyte interfaces.     

STM/STS在纳米结构电子态和输运性质研究中的新进展

本文介绍了扫瞄隧道显微术及扫描隧道谱(STM/STS)半导体、金属量子点及单分子电子态和电子输运性质研究的最新进展.STM具有高的空间和能量分辨率,不仅可用于表面和纳米体系的结构表征,而且可用于研究表面和纳米结构局域电子态和电子输运性质.半导体、金属量子点及单分子通常具有分立的电子能级结构.利用STM的探针空间局域的探测能力和较高的能量分辨本领,近年来有大量工作对这些低维体系的电子态进行了研究,对这些体系单体结构的电子输运性质研究获得了有趣的新结果.     

RTD/HEMT串联型RTT的设计与研制

依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连技术,研制了RTD/HEMT串联型RTT,并对RTT及RTT中RTD和HEMT的直流特性进行了测试.测试结果表明:在室温下,器件具有明显的栅控负阻特性,正接型RTT的最大峰谷电流之比在2.2左右,反接型RTT的最大峰谷电流之比在4.6左右.实验为RTD/HEMT串联型RTT性能的优化和RTD/HEMT单片集成电路的研制奠定了基础.     

小型二极管泵浦固体激光器

简述了小型、微型二极管泵浦的ＮｄＹＶＯ４、ＮｄＹＡＧ、ＹｂＹＡＧ、ＧｒＬｉＳＡＦ激光器、Ｔｍ、Ｈｏ、Ｅｒ激光器的技术现状。     

Single‐Electron Tunneling through Molecular Quantum Dots in a Metal‐Insulator‐Semiconductor Structure

A sigle‐electron tunneling (SET) in a metal‐insulator‐semiconductor (MIS) structure is demonstrated, in which C₆₀ and copper phthalocyanine (CuPc) molecules are embedded as quantum dots in the insulator layer. The SET is found to originate from resonant tunneling via the energy levels of the embedded molecules, (e.g., the highest occupied molecular orbital (HOMO) and the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO)). These findings show that the threshold voltages for SET are tunable according to the energy levels of the molecules. Furthermore, SET is observable even near room temperature. The results suggest, together with the fact that these properties are demonstrated in a practical device configuration, that the integration of molecular dots into the Si‐MIS structure has considerable potential for achieving novel SET devices. Moreover, the attempt allows large‐scale integration of individual molecular functionalities.     

基于电子罗盘的便携式定位装置

传统的定位装置应用于GPS或者手机信号能覆盖到的区域,而在一些偏远地区则无法保证.该系统是采用富士通MB95F204K单片机和ZCC212N-232电子罗盘设计的不依赖于GPS定位装置,而是以光电对管传感器作为走路信号的采集模块,电子罗盘采用RS-232串行通信协议与单片机进行通信,并实时发送绝对角度数据至单片机,单片...