VEMD20x0X01／VEMT20x0X01：光电二极管／三极管

Vishay推出了通过AEC-Q101认证的VEMD20x0X01PIN光电二极管和VEMT20xoX01光电三极管,扩充了其光电产品目录。这些光探测器的工作温度为．40℃～＋100℃,采用1．88mm的翼型和倒翼型表面贴装封装。     

硅光敏三极管光开通现象的研究

本文研究了硅npn型光敏三极管的光开通现象.证实了光开通实质是光触发引起的晶闸管导通现象.查明了其原因是在于底面集电极处形成的非欧姆接触.具体讨论了由于金在底面形成p型层而构成的npnp四层结构的实例.     

光微变及微光的光敏二极管探测电路的研究

光敏二极管的开路电压随光照强度的增加,成对数式增大,当光强在一定范围内变化时,开路电压随光强变化的斜率很大,利用此特性的光探测电路,对光强的微弱变化十分敏感,适用于侵入监测和需要准确监控光强变化的情况．分析比较了几种可用于光探测的运算放大器电路,提出了实现微光及光微变的光敏二极管探测的方案．     

10Gbit／s高速GaInAs／InP平面PIN的研究

本文报道了平面结构正面进光高速ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ平面ＰＩＮ光电二极管（使用Ｓｉ－ＩｎＰ衬底）。该器件具有高的稳定性（在１５０℃下经１４４０小时高温老化后，暗电流无变化），大带宽（１５ＧＨｚ），高响应度（在１．３μｍ波长下，响应度为０．９４Ａ／Ｗ）。     

PIN探测器和跨阻放大器的光电单片集成

设计了一种大面积、高响应度的硅基PIN探测器,PIN探测器的表面积为4.1 mm×13.8 mm,整体厚度为420 μm左右。PIN探测器的光敏面采用环形Al电极将光电流信号引出,通过在波长为860 nm的恒定激光光源下进行测试,其响应度为0.6 A/W。提出了一种全新的光电单片集成的可行性方法,即利用PIN探测器非光照区的本征I层面积,设计了一种与PIN探测器结构和工艺兼容的跨阻放大器,在保证了PIN探测器结构和性能没有发生改变的前提下,实现了PIN探测器和跨阻放大器的光电单片集成。最后在波长为860 nm、脉冲宽度为100 ns、工作频率为10 kHz的实际脉冲激光信号下对流片成功的PIN探测器和光电单片集成芯片的脉冲响应进行了对比测试。结果表明:在脉冲宽度基本没有发生变化的同时,光电单片集成芯片的脉冲电压信号相比于PIN探测器的脉冲光电流信号放大了1000倍,放大倍数和理论的跨阻阻值1000 Ω一致。该集成光电芯片应用在激光引信系统的激光接收模块中,通过光电单片集成可以提高PIN探测器上输出端信号的信噪比,增强系统的稳定性,同时也可以满足激光引信系统小型化发展的需要。     

半导体发光材料的新应用——视觉敏感GaAsP光敏二极管

本文讨论了半导体发光材料的新应用—ＧａＡｓＰ视觉敏感光敏二极管。这是在ｎ—ＧａＡｓＰ上制作浅结的光敏二极管，通过对研组份值、结深的控制，器件的｜△ＥＶ｜≤０．１，这意味着器件的光谱响应十分接近于人眼，其暗电流小于０．２ｐＡ／ｍｍ２，灵敏度为０．８μＡ／ｍｍ２。该光敏二极管已成功地应用于高级自动电子相机中。     

PIN结光电二极管的工艺原理和制造

PIN结构的二极管是一种特殊的电荷存储二极管,由于功耗小速度快等优点而被广泛应用.PIN结构的光电二极管是一种常用的光电探测器.本文阐述了PIN结构的光电二极管的器件特性和工艺制程,指出工艺过程中存在的问题.     

Diodes双极型三极管采用新型PowerDI5封装

Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺,率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。     

功率三极管封装图说

功率晶体管包括三极管和二极管，其典型的封装形式是THM（Through-Hole Mount，引脚插入式）插脚型封装，即使是在SMD（Sudacd Mounting Device，表面贴装元件）大行其道的今天也是如此，因为实践证明这种形式的封装既可靠又利于独立散热片的安装和固定。晶体管丁HM封装以TO（Transistor Outline，晶体管封装）为主要形式，     

Vishay推出新款高速PIN光电二极管

Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出新款具有高发光灵敏度和快速开关时闻的高速硅PIN光电二极管——TEFD4300和TEFD4300F,     

紫外和蓝光区域硅PIN光电二极管

描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻(111)N型硅片上研制高性能PIN光电二极管的工艺技术,测量并分析了光电二极管的I-V、C-V和光灵敏度等性能.有源区面积为16mm×17mm的二极管样品在全耗尽偏置电压下(Vd=70V),环境温度为25℃时的暗电流和端电容典型值分别达到≤5nA和≤120pF.探测器在波长区域(380～500nm)的光谱响应典型值:400nm为0.26A/W,500nm为0.33A/W.量子效率在400～900nm光谱范围内达到70%～80%.对于紫外光至蓝光区域,该器件是一种理想的光探测元件.     

紫外和蓝光区域硅PIN光电二极管

描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻(111)N型硅片上研制高性能PIN光电二极管的工艺技术,测量并分析了光电二极管的I-V、C-V和光灵敏度等性能.有源区面积为16mm×17mm的二极管样品在全耗尽偏置电压下(Vd=70V),环境温度为25℃时的暗电流和端电容典型值分别达到≤5nA和≤120pF.探测器在波长区域(380～500nm)的光谱响应典型值:400nm为0.26A/W,500nm为0.33A/W.量子效率在400～900nm光谱范围内达到70%～80%.对于紫外光至蓝光区域,该器件是一种理想的光探测元件.     

网格敏感区硅光探测器

研究了网格结构硅光敏二极管，在这种结构中，网格条区为ＰＮ结区，网格孔区为高电阻率衬底材料区。在反向工作电压作用下，网孔区将被耗尽，成为ＰＮ结与表面耗尽区结构统一的光探测器。测量表明，这种结构的器件是一种高响应度、宽光谱范围的光探测器件。     

光控L波段平面GaAs－PIN二极管的实验研究

报道光控平面ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管的实验结果。采用Ｖ形浅槽的全离子注入工艺，研制了ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管。器件击穿电压高达８０Ｖ，最小电容０．２ｐＦ。光控Ｉ－Ｖ曲线类似晶体管特性，光控电流能力为３００μＡ／ｍＷ。装成移相器电路，测得在Ｌ波段的光控相移２０°～２６°。     

光控L波段平面GaAs－PIN二极管的实验研究

报道光控平面ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管的实验结果。采用Ｖ形浅槽的全离子注入工艺，研制了ＧａＡｓ－ＰＩＮ二极管。器件击穿电压高达８０Ｖ，最小电容０．２ｐＦ。光控Ｉ－Ｖ曲线类似晶体管特性，光控电流能力为３００μＡ／ｍＷ。装成移相器电路，测得在Ｌ波段的光控相移２０°～２６°。     

硅PIN光电二极管γ电离脉冲辐射的数值模拟

分析了γ电离脉冲辐射诱发硅PIN光电二极管产生光电流的机理.建立了硅PIN光电二极管的器件物理模型以及γ电离脉冲辐射效应模型;运用MEDICI软件,进行了辐射效应数值模拟计算.得出了γ电离脉冲辐射剂量率在10°～109Gy(Si)/s范围内,诱发硅PIN光电二极管光电流变化的初步规律.对比了辐射效应数值模拟结果与国外相关文献给出的辐照实验结果.

Abstract：

The mechanism of photocurrent of Si PIN photodiode induced by γ ionization pulse radiation is analyzed.The device physics and γ ionization pulse radiation models are established to simulate photocurrent of Si PIN photodiode by MEDICI software.The primary regularity of photocurrent of Si PIN photodiode is concluded by γ ionization pulse radiation with the dose rate of 10~0～10~9 Gy (Si)/s.The Simulation results are in agreement with the experimental results given in correlative literatures.     

有机光信号探测器简介

有机半导体独特的光电性质使其成为光信号检测领域创新性发展的重要材料基础。事实上,有机感光材料不仅具有良好的光吸收性能,同时具备可低温大面积制备的特性。本文主要介绍了光探测器的最新进展,重点针对光敏二极管和光敏晶体管两大光敏器件类型。截至目前,针对光敏器件的研究还很有限,但光敏器件已经被广泛的应用于制备各种单独的光电器件,以及各种复杂的光电系统。     

一款低成本硅PIN光电二极管偏置电路的设计及应用

硅PIN光电二极管在微弱光信号检测领域的应用越来越广泛,但其效果会受到偏置电压等因素的影响,稳定性高、纹波系数小的偏置电压对准确获得被测信号来说是必不可少的。设计一款基于TPS61040电压转换芯片的硅PIN光电二极管偏置电路,并将其用于NaI(Tl)晶体的微弱光信号检测,取得了良好的效果。     

PbSe/MoSe2异质结光敏二极管研制

采用分子束外延制备了PbSe与MoSe_2薄膜,使用Raman光谱和XRD衍射谱进行表征;并研制出PbSe/MoSe_2异质结光敏二极管,研究了其光电响应特性。使用1300 nm红外光源照射,在零偏压和-5 V偏压加载下,所研制异质结光敏二极管的探测率分别为5×10~9 cm·Hz~(1/2)·W~(-1)和2.9×10~(11) cm·Hz~(1/2)·W~(-1),显示出优异的光电响应特性。尤其在负偏压工作模式下,由于器件处于关断状态,具有更低的暗电流,因此,具有更高的光/暗电流比和更加优异的综合性能。