恩智浦发布了符合汽车工业标准的LFPAK封装功率MOSFET

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日发布以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOSFET。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）被认为是世界上高度可靠的功率SO-8封装。     

恩智浦NextPower系列MOSFET产品再添15款新成员

恩智浦半导体宣布,其采用LFPAK封装的NextPower系列25V和30V MOSFET将有15款新产品开始供货。这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方面找到了最佳平衡点,并且具有行业最低的RDS（on）（25V和30V均为亚1mΩ级）,是高性能、高可靠性开关应用的理想之选。     

恩智浦推出全球首款低于1Ω、采用Power SO8封装的MOSFET

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）宣布推出全球首款N通道、1mΩ以下25VMOSFET产品,型号为PSMN1R2-25YL,它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM参数。该产品是迄今为止采用Power-SO8封装（无损耗封装：LFPAK）中拥有最低导通电阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power—S08 LFPAK封装与最新Trench 6硅技术于一体．可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势．     

恩智浦推出业内首款采用2x2-mm无引脚DFN封装的中功率晶体管

恩智浦半导体近日发布业内首款采用2-mmx2-mm3管脚无引脚DFN封装的中功率晶体管。这款BC69PA晶体管采用独特的超小型DFN2020—3（SOT1061）塑料SMD封装,是恩智浦中功率晶体管家族中的首位小型晶体管成员。     

恩智浦推出低于1毫欧的小尺寸N通道MOSFET

恩智浦半导体（NXP Semiconductors,由飞利浦创立的独立半导体公司1宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25VMOSFET产品．型号为PsMNIR2—25YL．它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM参数。该产品采用Power—S08封装（无损耗封装：LFPAK）,     

在线研讨会——与最新的产品发展、解决方案和技术更新同步

正恩智浦半导体LFPAK封装三极管及三极管在LED Driver应用介绍时间:2014-04-17轻薄短小的设计在近年来消费电子终端产品的设计已成为主流,在空间缩小但又要维持相同甚至更高的功耗,和过去市场主流DPAK相比,恩智浦LFPAK三极管实现了承受高功耗承受度及小封装的工艺。而在LED Driver应用上,恩智浦也提供一系列三极管在此应用上。     

BC69PA：中功率晶体管

恩智浦半导体推出采用2mmX2mm3管脚无引脚DFN封装的中功率晶体管。这款BC69PA晶体管采用独特的超小型DFN2020—3（SOT1061）塑料SMD封装。DFN2020—3（SOT1061）封装适合在移动设备、车载设备、工业设备和家用电器中的通用功率敏感型应用,     

恩智浦推出FlatPower封装的MEGA Schottky整流器

恩智浦半导体（NXP）近日宣布推出全新FlatPower封装的MEGASchottky整流器，包括SOD123W和SOD128。因为“金属板绑定”的封装成果，新的MEGA产品带来可媲美标准SMA封装的高功率性能。新产品以其卓越的前向压降，可以允许50A的峰值电流最峰和高至1W的Ptot功率耗散。     

飞利浦扩展LFPAK封装的功率MOSFET系列

皇家飞利浦电子集团扩展其功率MOSFET产品系列 ,推出创新的SOT6 6 9无损封装 (LFPAK)。新LFPAK器件针对DC/DC转换器应用而设计 ,具有体积更小、效率更高、性能更加优化等特点 ,可用于众多新应用 ,如笔记本电脑、台式机、服务器、高频应用等。飞利浦的LFPAK封装MOSFET主要特点有接近于零的封装电阻和主板连接低热阻 ,以增强功率功能。MOSFET还具有低封装电感 ,从而提高了开关速度 ,使飞利浦LFPAK封装的MOSFET产品特别适用于企业计算等高频应用。小体积与卓越的热性能使功率损失降到最低 ,以帮助要求尽量减小产品体积的…     

恩智浦推出超紧凑型电源管理解决方案,推动便携式设备小型化

恩智浦半导体NXP宣布推出采用DFN2020-6（SOT1118）无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品PBSM5240PF。DFN2020-6（SOT1118）无铅塑料封装占位面积仅有2mmx2mm,高度仅为0.65mm,专门针对诸如移动设备等高性能消费产品的小型化发展趋势而设计。     

PBSM5240PF：功率晶体管和N沟道TrenchMOSFET

恩智浦半导体推出采用DFN2020—6（SOT1118）无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道TrenchMOSFET产品PBSM5240PF。DFN2020—6（SOT1118）无铅塑料封装占位面积仅有2mm×2mm,高度仅为0．65mm,适合诸如移动设备等高性能消费产品的小型化设计。     

恩智浦推出超紧凑型电源管理解决方案：PBSM5240PF

恩智浦半导体近日宣布推出采用DFN2020—6（SOT1118）无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道TrenchMOSFET产品PBSM5240PF。DFN2020—6（SOTl118）无铅塑料封装占位面积仅有2×2mm^2,高度仅为0．65mm,专门针对诸如移动设备等高性能消费产品的小型化发展趋势而设计。     

DFN1006B．3产品组合：晶体管

恩智浦半导体扩大了其超小型分立式薄型无引脚封装DFNl006B-3（SOT883B）的晶体管产品阵容。目前,恩智浦提供60款双极性晶体管（BJT）和12款小信号单NIP沟道MOSFET产品,均采用1mm×0．6mmX0．37mmDFN塑料SMD封装。     

SOD123W／128-MEGA Schottky整流器

恩智浦半导体宣布推出全新FlatPower封装的MEGA Schottky整流器，包括SOD123W和SOD128。因为“金属板绑定”的封装成果，新的MEGA产品带来可媲美标准SMA封装的高功率性能。新产品以其卓越的前向压降，可以允许50A的峰值电流最峰和高至1W的Ptot功率耗散。     

恩智浦推出新型FIatPower封装的整流器

恩智浦半导体近日宣布推出全新FlatPower封装的MEGASchottky整流器，包括SOD123W和SOD128。因为“金属板绑定”的封装成果，新的MEGA产品带来可媲美标准SMA封装的高功率性能。新产品以其卓越的前向压降，可以允许50A的峰值电流最峰和高至1W的Ptot功率耗散。     

恩智浦扩展FlatPowerTVS二极管产品线

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）宣布推出35个采用2引脚FlatPower SOD128封装（3．8mm×2．5mm×1mm）的TVS新产品,进一步丰富了瞬变电压抑制（TVS,Transient VoltageSuppressor）二极管的产品组合。恩智浦是业界首个采用这种小型塑料SMD封装来提供600W额定峰值脉冲功率（10／1000μs）TVS二极管的厂商。     

恩智浦推出全球首款低于1Ω、采用Power S08封装的MOSFET

恩智浦半导体(N×PSemiconductors)宣布推出全球首款N通道,1mΩ以下25V MOSFE丁产品,型号为PSMNIR2-25YL,它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM参数.该产品是迄今为止采用PowerS08封装(无损耗封装:LFPAK)中拥有最低导电阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸.     

LFPAK56D系列：MOSFET

恩智浦半导体推出了LFPAK56D产品组合，是多款双恒道Power．S08MOSFET，专为燃油喷射、ABS和稳定性控制等汽车应用而设计。恩智浦LFPAK56D系列产品完全符合AEC-Q101标准，具有较好的性能和可靠性。     

思智浦新一代位置传感器提升汽车应用性能

恩智浦半导体NXP宣布推出新一代汽车位置传感器KMA210。KMA210集成了恩智浦最新的磁阻传感器芯片以及基于恩智浦先进的绝缘硅（S01）ABCD9工艺制成的独特信号调理ASIC电路。KMA210是新型磁性传感器系列中的首位成员．并属于完整的系统级封装解决方案,     

飞思卡尔推出六种ISM市场高级晶体管器件

飞思卡尔半导体（FreescaleSemiconductor）宣布采用新开发的高压射频功率技术，结合经济高效的创新超模压塑料封装，将其射频功率解决方案扩展至工业、科学和医疗（ISM）市场，推出了专为HF／VHF频率间隔（10-450MHz）和2．45GHz ISM频带设计的晶体管。