功率MOSFET OptiMOS 3

该产品可进一步提高电源装置（PSU）的能源效率。目前，全球的大部分电能都是通过PSU流入计算机、电视机和消费电子产品等电气设备，而这正是OptiMOS 3的用武之地。该芯片可使组件数量减少三分之一，PSU空间降低三分之二，同时将阻抗减小三分之一。根据英飞凌的计算，如果OptiMOS 3能全面应用于现有的计算机服务器，其节能量相当于一座360MW发电厂的发电量。     

200V和250V OptiMOS系列功率MOSFET

200V和250V OptiMOS系列器件适用于48V系统、DC／DC变换器、不间断电源（UPS）和直流电机驱动。凭借极低的优质化系数（FOM）,OptiMOS200V和1250V可使系统设计的导通损耗降低一半,使大电流应用能够实现极低的导通损耗。另外,极低的棚极电荷Qg有助于实现最低开关损耗和高速开关。     

BUY25CSXX系列：功率MOSFET

英飞凌科技推出专用于空间和航空应用而设计的电源开关器件。全新BUY25CSXX系列抗辐射加固型（RH）功率MOS器件拥有较好的性能,可支持面向空间应用的高能效电源调理和电源系统设计。     

意法半导体推出MDmesh V功率MOSFET晶体管

意法半导体（STMicroelec!ronics,简称ST）近日推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。该晶体管的推出将重要的能效指标提高23％以上,对于以热量形式损耗电能的系统功率转换电路,如电子照明控制器、消费电子电源和太阳能光电转换器,新产品的成功推出在节能技术领域是一次巨大飞跃。     

具备大电流能力的100V N沟道MOSFET

该系列N沟道功率MOSFET提供高达500mJ的雪崩额定值,非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载导致过渡电压应力的设计。特性包括：导通阻抗低至13mΩ,电流能力高达76A,经过100％雪崩测试,通过AEC—Q101标准认证。这些功率MOSFET器件的典型应用包括工业电机控制、电源、不间断电源（UPS）中的电源逆变器,以及汽车中的直接燃气喷射（DGI）。     

IR推出30V基准的工业级功率MOSFET

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出一系列获得工业认证的30VTO-220HEXFET功率MOSFET,为不间断电源（UPS）逆变器、低压电动工具、ORing应用和网络通信及和服务器电源等应用提供非常低的栅极电荷（Qg）。     

瑞萨用于电池充电器的功率MOSFET

功率MOSFET有着各种各样的应用．如电源管理、交流-直流电源转换、直流-直流电源转换、UPS、电机驱动、汽车电子、数字音频功效以及在LCD、PDP方面的应用等：不同的应用对于MOSFET的工作频率和漏-源电压有不同的要求,     

凌力尔特推出100V高速同步N沟道MOSFET驱动器

凌力尔特公司（Linear Technology）推出LTC4444/-5的H级版本,该器件是一款高速、高输入电源电压（100V）、同步MOSFET栅极驱动器,为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET而设计。     

英飞凌的低导通阻抗MOSFET开关速度高达150V/ns

英飞凌（Infineon）公司的CoolMOS CS服务器系列高压功率MOSFET克服了硅的性能局限，其TO-220封装的导通阻抗为99mW，TO247封装的导通阻抗为45mW，可承受600V电压。它们的开关速度为150V／ns，允许工程师设计体积更小、效率更高、发热更少的高端电源。     

高性能高压功率MOSFET

超结型MDmeshV系列功率MOSFET晶体管拥有极低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现最高的能效和功率密度;新产品STW88N65M5MDmeshVMOSFET又将重要的能效指标提高23％以上,对于以热量形式损耗电能的系统功率转换电路,如电子照明控制器、消费电子电源和太阳能光电转换器,新产品的推出在节能技术领域是一次巨大飞跃。     

功率器件变革创新 英飞凌高调发布OptiMOS 3系列低压MOSFET

环境污染、温室效应、不可再生能源日趋枯竭……这些日益威胁人类生存的难题已经使全球有识之士认识到节能减排提高能效是未来科学技术活动一项长期的任务.如何应对这项挑战?各个半导体纷纷从半导体器件入手,帮助系统公司提升电源效率,这方面,英飞凌近年来动作频频,近日,英飞凌公司高调发布其最新的IptiMOS 3系列低压MOSFET,并详细讲解了如何利用创新的MOSFET来提升电源系统效率.     

一种专为IGBT和MOSFET设计的新型集成驱动器

介绍了一种专为IGBT和功率MOSFET设计的电力电子驱动器件———SCALE集成驱动器的性能特点和内部结构 ,给出了SCALE集成驱动器在中频臭氧发生器电源中的应用电路     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET系列

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

证明功率MOSFET低泄漏的简单触发器电路

图1中的新颖电路表示出当代典型的功率MOSFET有极低的栅极泄漏电流。你会发现，在适当干燥的环境中，这些器件可以保持自身状态数天之久。工作中，如果MOSFET Q1关断，负载（也许是一个灯或蜂鸣器）将Q1漏极拉到接近12VDC电源电压。R2将C1充至接近相同电压。     

RQ3G130MN等：功率MOSFET

罗姆推出耐压40V的功率MOSFET，适合用于以工业设备和车载领域为中心的、输入电压24V的DC／DC转换器。新系列产品根据用途采用6种封装，共13种产品。从9A到100A（可用于需要大电流的大功率设备），所适用的电流值范围更宽。另外，采用罗姆独家的新构造，与以往的一般产品相比，功率转换性能改善约30％，尤其对需要大电流的大功率设备的DC／DC电源电路实现更低功耗贡献巨大。     

AUIRF系列功率MOSFET

IR公司推出拓展了针对低导通电阻应用的汽车用功率MOSFET专用系列,包括车载电源及内燃机（ICE）、微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。     

基于UC3724／25的功率MOSFET驱动电路的设计和研究

本文介绍了专用驱动芯片组UC3724／3725的主要特点和原理，并对其构成的功率MOSFET驱动电路进行了分析和实验。实验结果表明，该集成驱动电路具有开关速度快，且能满足驱动所需的功率，是一种性能较好的驱动电路。