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为满足3.5 GHz单载波超宽带无线接收机的射频需求,设计了一种工作在3~4 GHz的超宽带低噪声放大器。电路采用差分输入的CMOS共栅级结构,利用MOS管跨导实现宽带输入匹配,利用电容交叉耦合结构和噪声消除技术降低噪声系数,同时提高电压增益。分析了该电路的设计原理和噪声系数,并在基于SMIC 0.18μm CMOS射频工艺进行了设计仿真。仿真结果表明:在3~4GHz频段内,S11和S22均小于-10 dB,S21大于14dB,带内起伏小于0.5dB,噪声系数小于3dB;1.8V电源电压下,静态功耗7.8mW。满足超宽带无线接收机技术指标。 相似文献
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采用新型电流舵结构的增益可调UWBLNA 总被引:1,自引:0,他引:1
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一款工作在3 GHz5 GHz频段的增益可调超宽带低噪声放大器(LNA)。LNA输入级采用局部反馈的共栅结构,实现了超宽带输入匹配和良好的噪声性能;放大电路级采用提出的新型电流舵结构,实现了放大器增益连续可调;输出级采用源极跟随器,获得了良好的输出匹配。利用ADS2009进行仿真验证,结果表明,在3 GHz5 GHz频段的增益可调超宽带低噪声放大器(LNA)。LNA输入级采用局部反馈的共栅结构,实现了超宽带输入匹配和良好的噪声性能;放大电路级采用提出的新型电流舵结构,实现了放大器增益连续可调;输出级采用源极跟随器,获得了良好的输出匹配。利用ADS2009进行仿真验证,结果表明,在3 GHz5 GHz工作频段内,LNA获得了25 dB的增益可调范围,最高增益达到24 dB,输入端口反射系数小于-11 dB,输出端口反射系数小于-14 dB,最小噪声系数为2.3 dB,三阶交调点(IIP3)为4 dBm,在1.2 V电压下,电路功耗仅为8.8 mW。 相似文献
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基于噪声消除技术的超宽带低噪声放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
基于TSMC 0.18μm工艺研究3 GHz~5 GHz CMOS超宽带无线通信系统接收信号前端的低噪声放大器设计。采用单端转差分电路实现对低噪声放大器噪声消除的目的,利用串联电感作为负载提供宽带匹配。仿真结果表明,所设计的电路正向电压增益S21为17.8 dB~19.6 dB,输入、输出端口反射系数均小于-11 dB,噪声系数NF为2.02 dB~2.4 dB。在1.8 V供电电压下电路功耗为12.5 mW。 相似文献
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杨帆 《计算机光盘软件与应用》2013,(23):279-280
在TSMC 0.35um RF SiGe工艺上,完成了共源共栅结构两级S波段窄带LNA设计,并制作了版图且版图面积0.44mm2。窄带LNA采用2V电压供电。第一级偏置电流是3.6mA,第二级偏置电流是2.7mA。仿真结果为:在3GHz左右,S11参数小于-20dB,S22参数小于-10dB,噪声系数小于2.5dB,增益大于40dB。 相似文献
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本文设计实现了一个2~5GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA),可应用在超宽带的下半频段(3.1~5GHz)。LNA由两级组成,第一级是一个共栅级,保持良好的线性度并完成较好的输入匹配;第二级是一个共源级堆叠一个电流源,在保持低噪声系数的同时降低功耗。通过级联共栅和共源结构进行增益补偿,所设计的LNA具有近似恒定的增益和噪声系数。采用0.18μm CMOS工艺实现后,模拟结果表明,增益和噪声系数在2~5GHz频率范围内分别为11.5dB和5.1dB,输入反射系数低于-22dB。在4GHz时,模拟得到的三阶交调点为-10dBm。在1.8V电源电压下,LNA的功耗约为11mW。 相似文献
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一种0.8GHz~6GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
给出了一个针对0.8GHz~6GHz 的超宽带低噪声放大器 UWB LNA(ultra-wideband low noiseamplifier)设计。设计采用0.18μm RF CMOS 工艺完成。在0.8GHz~6GHz 的频段内,放大器增益 S21达到了17.6dB~13.6dB。输入、输出均实现良好的阻抗匹配,S11、S22均低于-10dB。噪声系数(NF)为2.7dB~4.6dB。在1.8V 工作电压下放大器的直流功耗约为12mW。 相似文献
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分析了进行功耗限制条件下怎样得到低噪声放大器的最优噪声,并就阻抗匹配及小信号电压增益进行了详细讨论。介绍了采用0.25μmCMOS工艺设计的工作在2.4GHz频率下的全集成低噪声放大器。模拟结果表明,在2.4GHz工作频率下,低噪声放大器的功耗为16mW,正向增益S21可达15dB,反射参数S11、S22分别小于-23dB和-20dB,噪声系数NF为2.7dB,三阶互调点ⅡP3为-0.5dB。 相似文献
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本文采用基于硅基的:BiCMOS工艺设计制作了一款带宽为DC到2.6GHZ的低噪声、高增益MMIC放大器。该放大器为了实现从DC到2.6GHz的带宽,保证有足够的增益和理想的增益平坦度,采用了负反馈结构,两级级联,并选用了一种结构新颖的微波晶体管。该放大器具有功率增益高、频带较宽、噪声系数较小的特点。在仿真过程中其3dB带宽约3GHz,增益为26.6dB(1.5GHz时),1dB压缩点输出功率约为1dBm;样品的实测结果为3dB带宽约2.6GHz,增益为26dB(1.5GHz时),1dB压缩点输出功率约为1dBm。 相似文献
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北斗卫星导航系统由我国自主研发,其研制目的是为了在日益严峻的世界环境下巩固我国的军事实力。北斗射频接收芯片是北斗卫星导航系统中整个地面端设备的核心,因此,关于射频接收机芯片的研发工作具有十分重要且实际的意义。文中在基于窄带低噪声放大器理论的基础上,采用TSMC0.18μmCMOS工艺设计了一种应用于北斗通信系统中的低噪声放大器。放大器采用改进的单转双电路结构,并通过缓冲级电路对差分信号的幅度和相位偏差进行了有效的校正。实验结果表明该电路在2.45GHz-2.55GHz频带内输入回波损耗小于-28dB,噪声系数小于1.1dB,功率增益大于15dB,电压增益高于32dB。 相似文献
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Ramkrishna Kundu Abhishek Pandey Subhra Chakraborty Vijay Nath 《Microsystem Technologies》2016,22(11):2707-2714
In this paper a 2.45 GHz narrowband low noise amplifier (LNA) for wireless communication system is enunciated. The proposed CMOS Low Noise amplifier has been verified through cadence spectre RF simulation in standard UMC 90 nm CMOS process. The proposed LNA is designed by cascoding of two transistors; that is the common source transistor drives a common gate transistor. To achieve better power gain along with low noise figure, cascoding of two transistor and source degeneration technique is used and for low power consumption, the MOS transistors are biased in subthreshold region. At 2.45 GHz frequency, it exhibits power gain 31.53 dB. The S11, S22 and S12 of the circuit is ?9.14, ?9.22 and ?38.03 dB respectively. The 1 dB compression point of the circuit is ?16.89 dBm and IIP3 is ?5.70 dBm. The noise figure is 2.34 dB, input/output match of ?9.14 dB/?9.22 dB and power consumption 8.5 mW at 1.2 V. 相似文献
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A 0.18‐μm CMOS low‐noise amplifier (LNA) operating over the entire ultra‐wideband (UWB) frequency range of 3.1–10.6 GHz, has been designed, fabricated, and tested. The UWB LNA achieves the measured power gain of 7.5 ± 2.5 dB, minimum input matching of ?8 dB, noise figure from 3.9 to 6.3 dB, and IIP3 from ?8 to ?1.9 dBm, while consuming only 9 mW over 3–10 GHz. It occupies only 0.55 × 0.4 mm2 without RF and DC pads. The design uses only two on‐chip inductors, one of which is such small that could be replaced by a bonding wire. The gain, noise figure, and matching of the amplifier are also analyzed. © 2011 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE , 2011. 相似文献