SiHP7N60E：功率MOSFET

Vishay Intertechnology推出其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ-600mΩ．     

Vishay Siliconix推出首款TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET(?)功率MOSFET—ThunderFET~(TM)SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK(?)SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5 mΩ、6.7 mΩ和5.9 mΩ的超低导通电阻。在4.5 V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优     

元器件与组件

提高效率的150V功率MOSFET 两种150V大功率MOSFET由于其导通电阻减小了30％,相当于200V MOSFET。IXFH70N15是以TO-247封装,额定电流70A,导通电阻28mΩ;     

Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度

日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新25VN沟道TrenchFET?Gen IV功率MOSFET——SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay Siliconix Si RA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)也达到最低,可使各种应用提高效率和功率密度。此次发布的MOSFET采用6mm x 5mm Power PAK?SO-8封装。     

SiR476DP：功率MOSFET

Vishay推出新型25Vn通道器件SiR476DP,从而扩展了其Gen Ⅲ TrenchFET功率MOSFET系列。SiR476DP在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.7mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对MOSFET的关键优值（FOM）,在4．5V时为89．25nC。     

元件

1.8V的功率MOSFET Vishay旗下的Siliconix近日推出12个型号p沟道MOSFET,它们在V_(DS)=1.8V的导通电阻很低,例如Si4465DY在V_(DS)=1.8V时的导通电阻仅16mΩ、在V_(DS)=2.5V时为11mΩ、在V_(DS)=2.5V时仅9mΩ;在环境温度为70℃时的漏极电流可达±10A。封装:8脚SO、6脚TSOP和SOT-23。     

Si7137DP：P通道TrenchFET MOSFET

Vishay发布采用其新型p通道TrenchFET第三代技术的首款器件Si7137DP,该20Vp通道MOSFET采用SO-8封装,具有1．9mΩ（在10V时）、2．5mΩ（在4．5V时）和3．9mΩ（在2．5V时）的超低导通电阻。TrenchFET第三代MOSFET的低导通电阻意味着更低的传导损耗,从而确保器件可以比之前市面上p通道功率MOSFET更低的功耗执行切换任务。     

具有极低导通电阻的20V N通道功率MOSFET

SiR440DP系列功率MOSFET在20V额定电压时具有低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积,在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2．0mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1．55mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是DC／DC转换器应用中MOSFET的关键优值（FOM）,在4．5V时为87。SiR440DP将在同步降压转换器以及二级同步整流及OR—ing应用中用作低端MOSFET。其低传导及切换损耗将确保稳压器模块（VRM）、服务器及使用负载点（POL）功率转换的诸多系统实现功效更高且更节省空间的设计。     

n沟道功率MOSFET

E系列600V和650V n沟道功率MOSFET器件在10V下具有64～190mΩ的超低最大导通电阻,以及22～47A的额定电流范围。     

E系列：MOSFET

Vishay Intertechnology推出600V和650Vn沟道功率MOSFETE系列器件。产品在10V下具有64Ωm-190mΩ．的超低最大导通电阻,以及22A-47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术,具有超低栅极电荷,以及较低栅极电荷与导通电阻乘积,该乘积是衡量用在功率转换应用中     

信息园

IR最新 30 V MOSFET降低导通电阻达 50 %全球功率半导体及管理方案厂商国际整流器公司 ( International Rectifier,简称 IR) ,推出全新的30 V IRL 371 3系列 HEXFET功率 MOSFET,提供D2 Pak、TO- 2 62及 TO- 2 2 0等封装选择。采用D2 Pak封装的 IRL 371 3S元件 ,最大 RDS( on)值仅为 3m Ohm。相较于上一代面积相同的元件 ,导通电阻低出一半 ,却可在离散式 DC- DC转换器中展现高出 1 .5 %的效率。IRL371 3系列元件经过特别优化 ,适用于 48V输入离散式 DC- DC转换器的次级侧同步整流器( second- side synchronous recti…     

具有极低通态电阻的N沟道MOSFET系列

采用SuperSO8和S308（Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET具有极低的通态电阻,40V系列具备最低1．8mΩ的通态电阻,60V系列具备最低2．8mΩ的通态电阻,80V系列具备最低4．7mΩ的通态电阻。这些器件的FOM（品质系数）与采用标准TO封装的同类产品相比高出25%,能够更快速实现开关,同时最大程度降低开关损耗和栅极驱动损耗,提高功率密度,降低驱动器散热量。     

具有超低导通电阻的P沟道功率MOSFET

SiA433EDJ是采用第三代TrenchFETP沟道技术的最新器件,将P沟道MOSFET的导通电阻减小了近一半,在4．5V、2．5V和1．8V下的导通电阻分别为18mΩ、26mΩ和H65mΩ。     

Vishay Siliconix推出新款通过AEC-Q101认证的40VN沟道TrenchFET~功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE)宣布,推出新款通过AEC-Q101认证的40 V N沟道TrenchFET功率MOSFET——SQM200N04-1m1L。该器件特别针对"重型"汽车应用,是Vishay采用兼具低电阻和高电流等级的7脚D2PAK封装的首款功率MOSFET。通过高密度TrenchFET技术,器件在10 V和4.5 V下实现了1.1 mΩ和1.3 mΩ的超低最大导通电阻,将传导损耗最小化,并能在更低的温度下工作。此外,器件的连续漏极电流达200 A,帮助工程师设计出更具鲁棒性的产品,为关键的安全应用提供额外的安全余量。     

Vishay推出新款8 V N沟道TrenchFET功率MOSFET—SiA436DJ

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款8 V N沟道Trench-FET~功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2 mm×2 mm的热增强型PowerPAK~(?)SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5 V、2.5 V、1.8 V、1.5 V和1.2 V下具有9.4 mΩ2、10·5mΩ、12.5 mΩ、18 mΩ和36 mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2 mm×2 mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。     

500V N沟道功率MOSFET

SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C—E3和SiHBi2N50C—E3是三款500V、12A的N沟道功率MOSFET,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

TrenchFET功率MOSFET实现极低导通电阻

P通道TrenchFET功率MOSFETSi7633DP和Si7135DP采用SO-8封装，可容许比其他SO8封装器件高60％的最大漏电流和高75％的最大功率损耗。Si7633DP具有3．3mΩ（在10V时）及5．5mΩ（在4．5V时）的超低导通电阻。30VSi7135DP的导通电阻为3．9mΩ（在10V时）和6．2mΩ（在4．5V时）。这两款新型器件可用作适配器切换开关，用于笔记本电脑及工业／通用系统中的负载切换应用。     

瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET

瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：SuperJunction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”,将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。     

TrenchFET功率MOSFET实现极低导通电阻

P通道TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP采用SO-8封装,可容许比其他SO-8封装器件高60％的最大漏电流和高75％的最大功率损耗。Si7633DP具有3．3mΩ（在10V时）及5．5mΩ（在4．5V时）的超低导通电阻。     

IRFB3207：MOSFET

国际整流器公司19前推出一系列针对AC-DC同步整流和ORing电路的新型75V和100V HEXFET MOSFET。这款MOSFET具有较低的导通电阻(100V产品IRFB4310的导通电阻为7mΩ，75V产品IRFB3207的导通电阻为4．5mΩ，有助于提升便携式／LCD适配器和服务器AC-DC SMPS等应用的效率和功率密度。