TFT用掩模版与TFT-LCD阵列工艺

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产业经过20年的发展,其规模已经远远超出10年前的预想,技术发展也呈现出加速进步的趋势.各种新一代光刻技术的出现显著提升了掩模版的制作精度,对其市场价格也造成了不小的冲击.在TFT-LCD阵列基板制造方面,4掩模版光刻工艺技术逐渐成为当今主流,而3掩模版光刻工艺因其技术难度大、良品率低,目前还掌握在少数几家TFT-LCD厂商手中.通过对掩模版的国内外市场行情、技术进展以及掩模版数目与TFT-LCD阵列工艺的关系作全面的阐述,指出加强TFT-LCD掩模版等配套材料的自主研发、采用更加先进的制造技术是简化生产工艺、降低生产成本的有效手段,也是我国TFT-LCD产业下一步努力发展的方向.     

电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用

介绍了用光学制版设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,用高分辨率电子束制版设备制作线宽≤0.5μm、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合制版技术。对解决两类制版系统制作的掩模版精确互套的方法、干法刻蚀等工艺过程做了必要的阐述。     

对一台光栅扫描电子束曝光机制作掩模版质量的分析

本文在成熟使用电子束曝光机制作各种掩模版的基础上,针对评价掩模版质量的三大因素:图形尺寸精度、图形套准精度、芯片合格率逐一详细分析,以研究探讨如何应用电子束曝光机制作高质量的掩模版。     

VLSI制造中片子步进机镜头的选择

<正> 目前,在VLSI圆片加工的光刻工艺中,离开步进投影曝光机就无法对镜头进行完整的评价。由投影镜头的光学成像特性,步进机照明系统,机器调整以及系统和工艺特性引起的圆片上半导体电路图形尺寸和位置的变化,均会影响到图形的套刻和关键尺寸的控制。 显然,对用于VLSI制造中片子步进机镜头的评价,必需在一个较广阔的范围内进行。它包括了系统的对准和套准;镜头之间和机器之间的匹配;一组中间掩模版的套准精度;可达到的实际视埸尺寸;与关键尺寸结果有关的光致抗蚀剂工艺等。在文献1和文献2的报导中,已经强调了这些参数因素结合的重要性。     

兆位级DRAM掩模版的检测技术

针对华晶科研所设计的JSC71095CFAR电路来阐述兆位级DRAM掩模版的质量要求，从而建立兆位级掩模版检测程序，以及切实有效的质量参数指标。并重点描述掩模版“0”缺陷的实现和CD尺寸、套准精度的测试技术及SPC质量统计技术。     

掩模版复印工艺图形畸变分析与改进

批量化、低成本的掩模版复印工艺常被用于LED领域。在微米级图形的掩模版复印工艺中,受玻璃基板平面度的影响,光学衍射效应会导致图形发生畸变。为消弭复印工艺中的图形畸变,从光学衍射理论展开分析,提出通过调整光刻曝光剂量和光刻胶层厚度来提升掩模版复印工艺水平的方法。实验实现了4μm圆形图形掩模版的复印制作,结果表明该方法可以显著提升微米级图形的掩模版复印工艺水平,降低掩模版的制作成本。     

TFT阵列工艺简化

三星电子成功开发了3套掩模版TFT阵列工艺技术。一般TFT阵列工艺采用5或4套掩模版技术制作TFT阵列，3套掩模版工艺与4套掩模版工艺相比较，缩短工序，降低生产成本，生产能力提高20％，将增强企业的竞争力。     

基于薄片云母载基的X线掩模版的研制

Ｘ－ｒａｙ光刻（ＸＲＬ）是微／纳米光刻技术中至关重要的批量复制技术，ＸＲＬ的发展在于不断对Ｘ－ｒａｙ源、新型的ｓｔｅｐｐｅｒ、Ｘ线掩模版以及相关处理工艺的研究进展。其中，Ｘ线掩模版不仅直接关系到ＸＲＬ的分辨率水平，也极大地影响其使用效率及其费用。我们在此报道一种采用云母薄片作为载片的新型Ｘ－ｒａｙ掩模版，其载片厚为８μｍ，自支撑能力、平直光滑度等几方面都符合高分辨率光刻的要求。基此采用新的工艺可大大简化制作步骤，降低造价，并可在０．５－１．５ｎｍ波长范围内的Ｘ－ｒａｙ光刻中获得实际成功的应用。     

掩模版制作工艺中典型问题探析

针对制版工艺中典型质量问题事例,分析了影响光刻掩模版的质量因素,提出了有效的解决方案,对保证掩模版质量、提高掩模版的制作水平具有指导意义。     

一种激光直写式光刻光路系统

针对曲面栅网器件的光刻工艺,提出了一种可动态调焦的激光直写式光刻系统,该系统将紫外激光器的光束经过整形扩束、动态z向调焦、x/y振镜、聚焦等单元使器件上相应位置涂覆的光刻胶直接感光,再经过显影、刻蚀等工艺直接制作出相应器件. 它可以应用到一些精度要求不太高的平面或非平面器件的光刻加工工艺, 取代传统的使用掩模版的光刻工艺或其它的加工工艺.     

掩模版雾状缺陷的解决方案

在光刻波长进入到193 nm之后,雾状缺陷(haze defect)越发严重,研究发现环境是雾状缺陷产生的重要原因.目前晶圆厂主要采用改善掩模版工作环境和存储环境两种方式解决雾状缺陷,通过对这两种方案的对比表明,对掩模版的存储环境进行改善,可有效降低掩模版雾状缺陷的发生频率,提高掩模版的使用寿命,并且整体费用较低,是目前比较可行的方案,掩模版的无S化工艺也是未来发展方向.     

衍射干涉光刻研究

光刻就是将掩模版上的图形转移到基底的过程,广泛应用于微电子、微机械领域。衍射现象是光刻工艺无法避免的问题,当掩模图形尺寸接近光源波长时,就会产生衍射干涉现象。利用这一现象,可以产生小于掩模图形尺寸的图形。采用严格耦合波分析算法对光刻过程中的衍射干涉做了仿真分析;并用karl suss MA6光刻机实现了基于掩模的干涉光刻实验,通过增加滤光片得到相干光源,增强光刻过程的衍射,形成衍射干涉,掩模版透光区域和部分不透光区域下方的光刻胶得到曝光,利用微米尺度的光栅图形,在光刻胶上产生亚微米的光栅;最后利用干法刻蚀工艺,在硅基底上加工出亚微米尺度光栅。     

采用PMMA LB膜作为电子束抗蚀层进行100mm高分辨率铬掩模版的制作研究

在发展流动亚相法制备高粘度聚合物分子单层膜装置的基础上，研究制备大面积，高质量的ＰＭＭＡ ＬＢ膜抗蚀层，并用于１００ｍｍ Ｃｒ掩模版的电子束光刻制造技术中，采用现行标准的湿法工艺获得了分辨率为０．５μｍ，特征线宽为０．３８μｍ的高分辨率１００ｍｍ铬掩模版，为深亚微米掩模版制造的研究探索了一条新路。     

激光直写系统制作掩模和器件的工艺

激光直写系统是国际上９０年代制作集成电路光刻掩模版的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室从加拿大引进了国内第一台激光直写系统。利用这台系统，通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光，将设计图形直接转移到掩模或硅片上。激光直写系统的应用，可以分成一次曝光制作光刻掩模和多次套刻曝光制作器件两个方面。介绍使用激光直写系统制作光刻掩模和套刻器件的具体工艺，并给出利用激光直写工艺做出的一些掩模和器件的实例     

用于大规模集成电路光刻掩模版的保护膜

一、引言 目前国内不少单位,在制作大规模集成电路光刻掩模版时,都采用国外的高解象力干版,以直接精缩的办法,为生产线上提供光刻版。这样做,虽然在光刻版的几何图形完整率上得到了有效的保证,但是,高解象力干版感光层不能经受在接触式曝光中的摩擦,它的使用寿命受到很大的限制。在具体应用中,仅通过四次以下的接触式曝光,掩模版面的几何图形便出现损坏,随着光刻次数不断增加,版面的几何图形损坏率激增。同时,由于采用精缩方法直接制作掩模版,生产效率很低,不能很好地满足生产线光刻的需要。     

掩模测量

<正> 掩模套准测量系统用来鉴定将要出厂的掩模版的质量,以确保使用者的技术要求。掩模检测程序和合格/不合格的条件通常都已定好,一般情况下,应从以下几方面考虑版的验收方案:1.掩模图形位置误差及对片子成品率的影响;2.掩模的技术条件及对掩模成本和制造周期的影响;3.每张掩模版或初缩版上芯片图形的数目;4.每套掩模曝光处理硅片的数目;5.采样图形及代表整张掩模上图形总位置误差的采样图形精度;6.在作出合格/不合格决定时可接受的冒险程度。     

声表面波器件光刻的衍射效应研究

声表面波(SAW)器件光刻过程中,制作的光刻胶线条宽度与掩模版不一致,特别是不同宽度的非均匀线条光刻后线宽变化值存在偏差。该文研究了接近式曝光衍射效应对线宽的影响,分析了掩模版上线条和缝隙宽度、衍射光强、掩模版与光刻胶间距等参数间的关系。结果表明,通过建立光学模型给出了计算曝光后不同线条宽度变化值的方法,采用程序编程可对掩模版数据中不同尺寸的线条和缝隙宽度进行补偿,实现SAW器件非均匀线条宽度的精确控制。     

环氧树脂多模光波导的研制

以环氧树脂为材料,用简单、低成本的非接触式光 刻法制作多模光波导。通过实验,找出一种可靠有效的有机溶剂作为 显影剂及其相应的显影时间; 并研究了温湿度和旋涂工艺对光波导厚度的影响;以及光刻掩模版透光部分宽度、光刻 掩模版与下包 层之间的间距、曝光光强和曝光时间对光波导宽度的影响。扫描电子显微镜(SEM)对 样品形貌分析表明,脊形光波导表面光滑且侧壁笔直,光波导芯横截面约为 50μm×50μm。采用cut-back法,测出环氧树脂多模光波导的传输损耗为0.1dB/cm@850nm。考虑到 光电集成过程中对光波导的高温冲击,对样品进行了热稳定性试验,获得的最高稳定温 度为210℃。     

微缩镜头的正确使用与维修保养

<正> 初缩镜头与精缩镜头都属于半导体工业用的微缩制版照相镜头,简称微缩镜头。它的质量的优劣直接影响光刻掩模的质量,继而影响半导体器件平面工艺的质量。近年来,我国半导体工业在迅速的发展。半导体器件的图型结构越来越细,进而对光刻掩模的要求也越来越高。因此,对微缩镜头的要求亦越来越严。微缩镜头应具备的性能光刻质量的高低与光刻掩模版的质量有着密切的关系。质量较高的掩模版应当具备:1、整幅版的图像边缘要清晰,而且在图型阵列中的每一个微小图型的图像也要清晰。2、图型尺寸要准确且不发生变形。     

掩模版升降定位存取机构

针对90 nm及以下线宽光刻设备对掩模版升降定位存取机构功能和性能的需求,确定了掩模版升降定位存取机构的基本构架,并对机构进行了设计.