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用ArF脉冲准分子激光在SOI和Pt/SOI衬底上沉积了Pb(Zr,Ti)O3铁电薄膜,并用快速退火进行热处理。X射线衍射,卢瑟辐背散射等分析表明:所结晶的薄膜是以(100)和(110)为主要取向的多晶膜,且结晶情况与热处理温度和时间密切PZT薄膜呈现铁电性,其剩余极化Pr=15μc/cm^2,矫顽电场Ec=50kV/cm;并且具有较高的介电常数和较高的电阻率。 相似文献
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采用飞秒脉冲激光沉积系统,在Si(111)衬底上制备了α轴和c轴择优取向的Bi4Ti3O12薄膜.X射线衍射(XRD)表明;室温(20℃)下沉积的Bi4Ti3O12/Si(111)薄膜呈C轴择优取向,晶粒的平均直径为20nm.在500℃沉积的Bi4Ti3O12/Si(111)薄膜呈α轴择优取向.测量了薄膜的电滞回线和,I-V特性曲线,并用分布参数电路研究了Bi4Ti3O12薄膜的,I-V特性曲线和铁电性的关联性.α轴择优取向Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度Pr=15μC/cm^2,矫顽力Ec=48kV/cm. 相似文献
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在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上,用脉冲激光沉积工艺制备出了高度a轴取向生长的(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BsT)薄膜。薄膜为柱状生长的纳米晶粒,平均晶粒尺寸为50nm。在外加电场254kV/cm时,BST薄膜的相对介电常数与介电调谐率为810和76.3%。高的介电调谐率主要是BST薄膜具有高度a轴取向的柱状生长晶粒,因为来自沿平面c轴极化而产生的内部应力,在电场作用下,获得了高介电调谐率。 相似文献
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为实现PZT铁电薄膜与半导体衬底的直接集成引入Al2O3为过渡层,首先用真空电子束蒸发法在Si(100),多昌金刚石(111)衬底上生长约20nm厚的Al2O3过渡层,接着在上述衬底上采用脉冲激光淀积(PLD)法淀积PZT薄膜,衬底温度为350-550℃。X光电子能谱(XPS)测试表明,在高真空下,电子束蒸发Al2O3固态源能获得化学配比接近蒸发源的Al2O3薄膜。X射线衍射(XRD)测试说明,不论衬底是硅还是多晶金刚石,当衬底温度为550℃时,PZT在Al2O3过渡层上呈现(222)取向的焦绿石相结构,当衬底是金刚石时,通过如下工艺:(1)较低温度(350℃)淀积;(2)空气氛围650℃快速退火5min,可以在Al2O3过渡层上获得高度(101)取向的钙钛矿结构的铁电相PZT薄膜,最后AFM测试显示,在硅衬底上,PZT薄膜的表面均方根粗糙度为9.78nm;而在多晶金刚石衬底上,PZT薄膜的表面均方根粗糙度为17.2nm。 相似文献
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用ArF脉冲准分子激光在SOI和Pt/SOI衬底上沉积了Pb(Zr,Ti)O_3铁电薄膜,并用快速退火进行热处理。x射线衍射、卢瑟辐背散射等分析表明:所结晶的薄膜是以(100)和(110)为主要取向的多晶膜,且结晶情况与热处理温度和时间密切相关;PZT薄膜呈现铁电性,其剩余极化Pr=15μc/cm ̄2,矫顽电场Ec=50kV/cm;并且具有较高的介电常数和较高的电阻率。 相似文献
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采用脉冲激光,在Si(001)衬底上生长ZnO薄膜,利用X射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM)和光致发光光谱(PL)等测试手段研究了不同衬底温度所生长的ZnO薄膜结构特征和光学性能。研究表明:衬底温度影响ZnO薄膜结构和光学性能。在500℃~600℃沉积范围内随着温度升高,ZnO薄膜结构和光学性能提高。 相似文献
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采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)基底上制备了有效氧化层厚度为8.6nm,介电常数为29.3的HfO2薄膜.借助C射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)分析了样品的微观结构,对电容的C-V与I-V电学特性进行了测试。实验结果表明,该方法制得的HfO2薄膜表面光滑,N2500℃下退火30mm后样品表面粗糙度由0.203nm变为0.498nm,薄膜由非晶转变为简单正交结构,界面层得到有效控制,该栅介质电容具有良好的C-V特性,较低的漏电流密度(4.3×10^-7A/cm^2,@-1V),是SiO2栅介质的理想替代物. 相似文献
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采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备出均匀透明的SrBi2Ta2O9(SBT)薄膜,根据透射谱计算表明薄膜样品厚度为349nm,线性折射率为3.05.以锁模Nd:YAG激光器作为光源,利用Z-scan技术测定了薄膜的非线性光学性能.结果表明薄膜的非线性折射率n2=2.56×10-8esu,非线性光吸收系数β=3.93×10-4 esu,其三阶非线性极化率的实部和虚部分别为:Reχ(3)=8.29×10-9 esu和Imχ(3)=1.08×10-9 esu. 相似文献
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利用氧离子辅助电子束蒸发沉积Ta2O5薄膜,在dd定氧离子能量的条件下研究了氧离子束流密度对Ta2O5薄膜的微观结构、化学计量比和漏电流密度的影响.利用原子力显微镜和X射线衍射仪对Ta2O5薄膜微观结构进行表征研究,发现随着离子束流密度增大,沉积的Ta2O5薄膜致密性提高,粗糙度下降,但薄膜一直保持非晶态;同时能谱仪测试的结果表明,薄膜中O/Ta比例逐渐提高,直至呈现富氧状态.测量了不同薄膜样品的漏电流密度和击穿场强,发现随着离子束流密度增大,薄膜漏电流密度显著降低,击穿场强提高.总之,提高氧离子束流密度能够明显改善Ta2O5薄膜的微观结构和电学性能. 相似文献
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Ti基IrO2+Ta2O5阳极的电化学特性 总被引:4,自引:0,他引:4
测量了Ti基IrO2 Ta2O5混合氧化物涂层的电化学阻抗谱(EIS),研究了Ti基IrO2 Ta2O5混合氧化物涂层阳极在H2SO4溶液中的电化学表面结构以及电化学行为,这种涂层阳极具有多层电化学结构,低频段的阻抗行为对应电极外表面/溶液界面的阻抗特性,高频段对应内表面/溶液界面的电化学特性和电极的物理阻抗。在析氧电位下,由于析出氧气的冲击,电极表面的总反应面积增大,而且析出的氧气对电极表面的改性受表面涂层的组织形态影响很大,由于晶粒的最细化,这种改性作用在IrO2含量为70%时最为明显,制备温度的升高使氧化物电极的多孔结构变得不明显,致密度上升以及活性表面积下降。 相似文献
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表面活性剂对Ti/IrO2+Ta2O5阳极性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用热分解法和Pechini法制备了Ti/IrO2+Ta2O5阳极,通过SEM、极化曲线、循环伏安、电化学阻抗谱及强化电解寿命试验等测试手段,研究表面活性剂对Ti/IrO2+Ta2O5阳极微观结构和电催化性能的影响。结果表明,加入适量的表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)可以明显改善涂液的涂刷性能;与热分解法相比,阳极表面呈现较多的龟裂纹,而且裂纹变宽加深,其电化学活性表面积增大,析氧电催化活性提高,但稳定性降低。 相似文献
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用金属有机物分解法分别制备了SrBi2Ta2O9(SBT)薄膜和粉末样品. XRD和SEM结果显示SBT粉末经历氮氢混合气氛400℃退火处理后发生了还原反应,金属Bi和δ-Bi2O3析出,成针状结构聚集在表面,晶体结构没有被破坏. SBT薄膜在500℃退火处理时,表面出现Bi的球形及针状结构聚集体,相对于薄膜结构,SBT粉末中的Bi元素在较低温度时更容易被还原. Bi的大量缺失严重影响薄膜的铁电性能,当退火时间为5.5min时,SBT薄膜剩余极化强度Pr下降了约43%,但是在109极化反转后仍然保持了良好的抗疲劳特性;退火时间超过8.5min时,薄膜被击穿,铁电性能消失. 相似文献