共查询到20条相似文献，搜索用时 15 毫秒
1.
在Ⅲ－Ⅴ族半导体ＧａＡｓ外延层上共注入Ｅｒ和Ｏ离子（ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ）．经面对面优化退火后，光致发光（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ－ＰＬ）谱中观测到对应Ｅｒ３＋第一激发态到基态４Ｉ１３／２－４Ｉ１５／２跃迁，其相对强度较单注入Ｅｒ的ＧａＡｓ（ＧａＡｓ：Ｅｒ）增强１０倍，且谱线变窄．从二次离子质谱（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎＭａｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ－ＳＩＭＳ）和卢瑟福背散射实验给出退火前后Ｅｒ在ＧａＡｓ：Ｅｒ样品中的剖面分布．ＳＩＭＳ测量分别给出Ｏ注入前后Ｅｒ和Ｏ在ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ中的深度剖面分布，分析表明Ｅｒ和Ｏ共注入后形成光学激活有效的发光中心． 相似文献
2.
ＤｉｆｆｕｓｉｏｎｏｆＺｉｎｃｉｎＩｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ，ＩｎＰａｎｄＧａＡｓ￥ＺＨＵＡＮＧＷａｎｒｕ；ＺＯＵＺｈｅｎｇｚｈｏｎｇ；ＷＡＮＧＦｅｎｇ；ＳＵＮＦｕｒｏｎｇ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，ＡｃａｄｅｍｉａＳｉｎｉ... 相似文献
3.
4.
5.
6.
Xiao Jinghua 《中国邮电高校学报(英文版)》1995,(2)
ＳｔａｂｉｌｉｔｙＡｎａｌｙｓｉｓｏｆＳｐａｔｉｏｔｅｍｐｏｒａｌｌｙＰｅｒｉｏｄｉｃＯｒｂｉｔｓｉｎＳｐａｔｉａｌｌｙＥｘｔｅｎｄｅｄＳｙｓｔｅｍｓＸｉａｏＪｉｎｇｈｕａ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＢａｓｉｃＳｃｉｅｎｃｅ，ＢｅｉｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒ... 相似文献
7.
1 ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＮｏｗａｄａｙｓ,ｓｔｏｒａｇｅｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｈａｓｄｅｖｅｌｏｐｅｄｆａｓｔａｃｃｏｒｄｉｎｇｔｏｔｈｅｄｅｍａｎｄｏｆｄｉｆｆｅｒｅｎｔａｐｐｌｉｃａ ｔｉｏｎｓ .ＷｅｈａｖｅｈａｄＤｙｎａｍｉｃＲＡＭ (ＤＲＡＭ )ａｎｄＳｔａｔｉｃＲＡＭ (ＳＲＡＭ ) ,ＢｂｕｒｓｔＥｘｔｅｎｄｅｄＤａｔａＯｕｔ ｐｕｔＲＡＭ (ＢＥＤＯＲＡＭ ) ,ＳｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓＤＲＡＭ(ＳＤＲＡＭ)ａｎｄＲａｍｂｕｓＤＲＡＭ(ＲＤＲＡＭ)ＮｏｗｗｅｈａｖｅａｌｓｏｈａｄＤｏｕｂｌｅＤａｔａＲａｔ… 相似文献
8.
Xu Shundou 《中国邮电高校学报(英文版)》1997,(1)
ＯｎｔｈｅＤｅｓｉｇｎｏｆＮｏｎｌｉｎｅａｒＮｅｕｒａｌＮｅｔｗｏｒｋｓｆｏｒＡｓｏｃｉａｔｉｖｅＭｅｍｏｒｉｅｓＸｕＳｈｕｎｄｏｕ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＢａｓｉｃＣｏｕｒｓｅｓ，ＳｈｉｊｉａｚｈｕａｎｇＰｏｓｔａｌＣｏｌｅｇｅ，Ｓｈｉｊｉａｚｈ... 相似文献
9.
硅基GaAs／GaAlAs平面光波导的研究 总被引：1，自引：0，他引：1
分析了金属有机化合物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ／Ｓｉ材料结构的性能，用ＭＯＣＶＤ法地硅衬底上生长了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ材料，并用这种材料制备了平面光波导样品，测定了１．３μｍ，单模激光的传输损耗小于０．６５ｄＢ／ｃｍ。 相似文献
10.
１０ＷＱＣＷｏｐｅｒａｔｉｏｎｏｆａｐｒｏｔｏｎｉｍｐｌａｎｔｅｄＧａＡｌＡｓｄｉｏｄｅｌａｓｅｒａｒｒａｙＺＨＡＮＧＤａｏｙｉｎ；ＨＵＳｉｑｉａｎｇ；ＭＨＯＱｉｎｇｆｅｎｇ（ＣｈｏｎｇｑｉｎｇＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉ... 相似文献
11.
ＡＳｔｕｄｙｏｎｔｈｅＭｏｄｅｌｏｆＦｏｒｅｃａｓｔｉｎｇＳｙｓｔｅｍａｂｏｕｔｔｈｅＡｃｔｕａｌＴｅｌｅｐｈｏｎｅＯｃｃｕｐａｔｉｏｎｉｎｔｈｅＬｅａｄＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ￥ＸｉｅＳｈｉｃｈａｎｇ；ａｎｄＸｉｅＸｕｅｍｅｉ（Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔｏ... 相似文献
12.
Ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒ１×２Ｙ－ｊｕｎｃｔｉｏｎＯｐｔｉｃａｌＳｗｉｔｃｈＢａｓｅｄｏｎＷａｖｅｇｕｉｄｅ－ｖａｎｉｓｈｉｎｇＥｆｅｃｔ①②ＺＨＡＯＣｅｚｈｏｕ（Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＸｉｄｉａｎＵｎｉｖｅ... 相似文献
13.
《半导体光子学与技术》1997,(3)
ＩｍｐｅｄａｎｃｅＡｎａｌｙｓｉｓｏｆＧｒａｉｎＢａｒｉｅｒＰｏｔｅｎｔｉａｌｉｎＳｎＯ２ＧａｓＳｅｎｓｏｒｓ①ＣＨＥＮＺｈｏｎｇ②，Ｓ．Ｂｉｒｌａｓｅｋａｒａｎ（ＳｃｈｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃａｌａｎｄＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇ... 相似文献
14.
15.
16.
ＤｅｐｌｅｔｉｏｎＭｏｄｅＨＥＭＴｗｉｔｈＲｅｆｒａｃｔｏｒｙＭｅｔａｌＳｉｌｉｃｉｄｅＷＳｉＧａｔｅ￥ＣＨＥＮＤｉｎｇｑｉｎ；ＺＨＯＵＦａｎ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，ＡｃａｄｅｍｉａＳｉｎｉｃａ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００８... 相似文献
17.
ＡｂｓｔｒａｃｔＴｈｅｒｅｓｅａｒｃｈｉｎＣｏｈｅｒｅｎｔＯｐｔｉｃａｌＦｉｂｅｒＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎＳｙｓｔｅｍｓ（ＣＯＦＣＳ）ｕｓｉｎｇｌｏｎｇｗａｖｅｂａｎｄｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒｄｉｏｄｅｓａｓｔｒａｎｓｍｉｔｅｒａｎｄ... 相似文献
18.
19.
YU Lishen 《半导体光子学与技术》1996,(3)
ＰｈｏｔｏｅｌａｓｔｉｃＦａｂｒｙ－ＰｅｒｏｔＯｐｔｉｃａｌＭｏｄｕｌａｔｏｒＢａｓｅｄｏｎａＳｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ＩｎｓｕｌａｔｏｒＳｔｒｕｃｔｕｒｅ￥ＹＵＬｉｓｈｅｎ（ＢｅｉｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１００８７１，ＣＨＮ）ＧＵＡ... 相似文献