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研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝石,缓冲层为AlN,n型层采用厚度为0.8 μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7N形成窗口层,i型层为0.18 μm的非故意掺杂的GaN,p型层为0.15 μm的Mg掺杂GaN。采用Cl2、Ar和BCl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面,光敏面面积为1.96×10-3 cm2。可见盲紫外探测器展示了窄的紫外响应波段,响应区域为310~365 nm,在360 nm处响应率最大,为0.21 A/W,在考虑表面反射时,内量子效率达到82%;优质因子R0A为2.00×108 Ω·cm2,对应的探测率D*=2.31×1013 cm·Hz1/2·W-1;且零偏压下的暗电流为5.20×10-13 A。 相似文献
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p-i-n结构GaN光电探测器性能的研究 总被引:3,自引:1,他引:3
近年来,可见盲与太阳盲光电探测器在火灾监控、太空通信和导弹尾焰探测等方面的应用引起了越来越多的关注。由于氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料,所以成为了在可见区与紫外区的光电器件的首选材料,而p-i-n结构的器件因其响应度高、暗电流低、便于集成等优点倍受人们的青睐。采用金属有机气相外延(MOCVD)法制备了p-i-n结构的GaN紫外光电探测器。在此基础上,采用N2气氛下热退火处理的方法,提高了p型GaN层的载流子浓度,从而降低了器件的暗电流。器件在1 V偏压下,暗电流仅为65 pA。器件在1 V偏压下的最大响应度值出现在361 nm处,大小为0.92 A/W。 相似文献
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随着互联网信息量的不断膨胀,以及人们对获取信息的速度、针对性、准确性等方面更高的要求,传统搜索引擎已经无法满足用户的需求。针对于此,本文提出了通过分析用户行为特征得到用户兴趣点,主动推送有价值的信息,结合领域垂直搜索技术的思想,并以数码产品搜索领域为例,分析设计了一款基于信息推送的数码产品垂直搜索引擎。通过实验证明,基于信息推送、垂直搜索思想的Web检索"点播"服务模式是能够发现并匹配用户兴趣的,基于此思想的推送和搜索结果是准确快速有效的,系统设计方案是切实可行的。 相似文献
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提出了一种采用肖特基漏极(SD)与场板相结合、实现硅基垂直MOSFET器件反向阻断应用的技术。基于该技术,采用二维仿真提出并研究了两种新型垂直MOSFET器件,即带有垂直场板(VFP)的SD-VFP-MOS器件和带有倾斜场板(SFP)的SD-SFP-MOS器件。相比采用肖特基漏极的MOSFET (SD-MOS)和采用超结和肖特基漏极的MOSFET(SD-SJ-MOS),所提出的SD-VFP-MOS,尤其是SD-SFP-MOS,反向击穿电压有显著提高,且几乎不影响导通特性。开展了器件的开态电流密度、关态电势分布、关态电流密度和电场分布分析,揭示了VFP和SFP提高器件反向阻断能力的内在机理。详细讨论了场板结构参数对器件反向击穿电压和场板效率的影响,研究结果对于SD-VFP-MOS和SD-SFP-MOS的设计具有重要意义。 相似文献
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本文介绍了ISV86 Schottky二极管研制过程中为降低反向漏电所进行的理论分析。Schottky终端结处的强场效应是产生漏电的主要原因,推算了无保护环Shottky二极管终端结半径与其I-V特性的数学关系。然后利用这些数学表达式进行了模拟,模拟结论有效的指导了ISV86的开发,使ISV86电性能在满足国外同类产品要求的同时,反向漏电降低了一个数量级。 相似文献
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针对垂直GaN肖特基二极管击穿电压低、泄漏电流大等问题,提出了一种具有鳍状(Fin)阳极结构的高压垂直GaN功率二极管。该结构利用阳极金属与GaN半导体之间的功函数差耗尽二极管阳极与阴极之间的导电沟道,实现二极管关断及反向耐压的功能,因此,阳极不再需要进行肖特基接触,仅需欧姆接触即可。通过优化Fin阳极结构参数,新结构同时实现高击穿电压和低正向导通压降,该器件的击穿电压为1 791 V(@ 1×10-4 A/cm2),正向导通压降为0.815 V(@ 100 A/cm2),导通电阻仅为0.73 mΩ·cm2且具有高的温度稳定性,开态电流摆幅高达1×1012量级。 相似文献
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A. Y. Polyakov N. B. Smirnov A. V. Govorkov A. P. Zhang F. Ren S. J. Pearton J. -I. Chyi T. -E. Nee C. -C. Chou C. -M. Lee 《Journal of Electronic Materials》2001,30(3):147-155
GaN p-i-n rectifiers with 4 μm thick i-layers show typical reverse breakdown voltages of 100–600 V. We have studied the temperature
dependence of current-voltage characteristics in these diodes, along with hole diffusion lengths and the deep level defects
present. Generally we find that i-layer background doping varies significantly (from <1014 cm−3 to 2–3×1016), which influences the current conduction mechanisms. The hole diffusion lengths were in the range 0.6–0.8 μm, while deep
level concentrations were ∼1016 cm−3. 相似文献
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GaN p-i-n photodetectors grown on sapphire by reactive molecular beam epitaxy have been characterized by measurements of room-temperature
current-voltage (I-V), temperature-dependent capacitance (C-V-T), and deep level transient spectroscopy (DLTS) under both
majority and minority carrier injection. Due to what we believe to be threading dislocations, the reverse I-V curves of p-i-n
photodetectors show typical electric-field enhanced soft breakdown characteristics. A carrier freeze-out due to the de-ionization
of Mg-related deep acceptors has been found by C-V-T measurements. Three electron traps, B (0.61 eV), D (0.23 eV), and E1 (0.25 eV) and one hole trap, H3 (0.79 eV) have been revealed by DLTS measurements. The photodetectors with lower leakage currents usually show higher responsivity
and lower trap densities of D and E1. 相似文献
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垂直结构GaN基LEDs电流分布计算分析 总被引:2,自引:0,他引:2
电流分布是影响大功率LEDs器件性能的重要因素,与传统结构GaN基器件比较,垂直结构器件通过采用上下电极分布,明显改善了LEDs器件内部电流分布均匀性。通过理论分析与数值计算,建立起了垂直结构GaN基LEDs电流分布模型,研究了垂直结构GaN基LEDs电流分布及I-V特性。结果表明,与传统平面结构比较,垂直结构GaN基LEDs的电流分布均匀性得到了明显改善,同时正向电压降低约7%。最后,通过晶片键合与激光剥离技术,制备了垂直结构GaN基LEDs,测试结果表明,实验结果和理论计算值相吻合。该结果对GaN基LEDs器件的优化设计具有重要指导意义。 相似文献