数字相机技术与发展：数字成像技术进展（二）

数字相机技术属于数字成像动态获取（输入）技术的范畴。数字相机用CCD或CMOS图像传感器成像,涉及了图像压缩、存储、传输、输出等一系列关键技术。摄取连续图像成为数字摄像机,与网络相连可实时异地传输摄影图像。本文对数字相机发展进行了归纳,对其关键技术做了分析,对数字相机的几个发展趋势做出预测。     

北京大学研制成功10nm碳纳米管CMOS器件

<正>近日,在北京市科委先导与优势材料创新发展专项支持下,北京大学彭练矛教授团队在全世界范围内首次成功研制出10纳米碳纳米管CMOS器件,与同尺寸硅基器件相比,该器件速度是其5倍,而功耗仅为1/5,并在世界上首次成功制备出含有100个晶体管的碳纳米管集成电路。课题的研究成果表明在10纳米以下技术节点,碳纳米管CMOS器件相对于硅基CMOS器件具有巨大优势,这将大大增强研究机构和芯片公司对     

欧盟将研发Ⅲ -Ⅴ族化合物纳米CMOS用于硅系统级芯片

正未来雷达成像系统和5G通信系统的工作频率更高,在提高精度和数据传输速率的同时,功耗也随之增大。为减小功耗、提高性能、降低成本,欧洲启动"下一代高性能CMOS SOC Ⅲ -Ⅴ族化合物纳米半导体集成技术"(INSIGHT)项目,重点开发Ⅲ -Ⅴ族化合物CMOS技术。该项目旨在开发硅基Ⅲ -Ⅴ族化合物CMOS制造技术,     

纳米集成电路用大直径硅及硅基材料研究进展

本文叙述了大直径硅单晶生长、杂质缺陷行为、表面质量控制及硅基材料的研究现状,讨论了应变硅与绝缘体上硅(SOI)相结合的发展趋势,展望了纳米集成电路用大直径硅及硅基材料的技术经济前景.     

纳米集成电路用大直径硅与硅基材料的研究进展

本文阐述了大直径硅单晶的生长、杂质缺陷行为、表面质量控制及硅基材料的研究现状；讨论了应变硅与绝缘体上硅（SOI）相结合的发展趋势；展望了纳米集成电路用大直径硅及硅基材料的技术经济前景。     

单晶硅球密度的绝对测量

单晶硅球密度的绝对测量是阿伏加德罗常数测量的关键技术。综述了单晶硅球密度测量的最新进展,包括硅球密度测量的技术原理、测量领域、影响因素、测量装置及最佳测量能力等等,分析了硅球密度测量的主要难点和关键技术,预测了相关研究的技术前景及发展趋势。     

多孔硅层转移法制备超薄晶硅太阳电池的研究进展

介绍了基于电化学腐蚀多孔硅层转移法制备超薄晶硅太阳电池的研究进展,对多孔硅层转移法制备超薄晶硅太阳电池的四个主要步骤:双层多孔硅的制备、活性超薄晶硅外延层生长、基于多孔硅的层转移和超薄晶硅太阳电池研制进行了概述,并对超薄晶硅太阳电池的前景进行了展望。     

国际半导体技术财团认真研发各种新材料

正在研发的新材料将提升硅晶体管工艺：提高工作速度、降低功耗，改善散热能力和增添RF(射频)／模拟功能而保持CMOS工艺的大规模集成能力。开发新材料连同传统的CMOS器件特征尺寸不断减小，实质上是要维持CMOS工艺按发展规划所定目标发展。为此，2003ITRS(国际半导体工艺发展指南)原材料工作组成立了一个旨在开发(另外)的新衬底材料的研究组。该研究组的目的是为(半导体工)业界在新颖材料结构和加工工艺方面提供指导，以增强硅基CMOS工艺并使其满足指南中预定的特征尺寸不断缩小的要求。只要把CMOS工艺改进作为最终目标，Si原材料的(性能)增强并非完全限于Si基材料。例如，在Si衬底上进行Ⅲ—Ⅴ族化合物光电子器件集成(它可增加输入／输出带宽，而CMOS在这方面受到限制)也是研究组的研究课题之一。     

半导体所硅基光子学研究取得重要突破

<正>基于硅基微纳波导的硅基光子学由于可以实现超小体积、低能耗、CMOS兼容的单片高密度光电集成,已被各国公认为突破计算机和通信超大容量、超高速信息传输和处理瓶颈的最理想技术之一。     

硅基沉积氮化镓,碳化硅,III –V 族及其合金材料研究进展

硅基沉积氮化镓, 碳化硅, III-V 族及其合金材料是近年来的研究热点. 氮化镓, 碳化硅及其III-V 材料在光电子和电子元件领域有着广泛的应用.例如大功率, 高速器件, 大型激光器, 紫外探测器等等. 尽管硅基片具有低成本, 大的尺寸,和极好的电热导性能等优点, 硅基片仍没有成为氮化镓, 碳化硅及III – V 的主要沉积基片, 其原因在于硅基片与氮化镓, 碳化硅及III-V 材料之间的热膨胀系数和晶格常数之间的失配. 自从1998年, IBM 的课题组用分子外延方法在硅基片上沉积氮化镓, 并且成功地制备了氮化镓激光器之后, 硅基氮化镓的研究开始备受关注. 近年来的研究发现, 使用氧化铝和氮化铝镓作为过渡层. 硅基氮化镓的热应力及与硅基片之间的晶格失配可以明显降低.在 6英寸的(111) 取向的硅基片上用化学气相方法可以成功地沉积超过一个微米厚的无裂纹的单晶氮化镓. 德国的AZZURRO 公司成功地制备硅基片氮化镓的大功率的蓝色激光器. 美国的NITRINEX公司也生产了硅基氮化镓大功率电子元件. 超大功率的硅基氮化镓电子元件仍在研究中. 在2007年, 英国政府设立了一个固体照明器件的研究项目. 主要着手研究6英寸的硅基氮化镓激光器. 另一方面, 在过去的40年, 超大规模硅基CMOS 技术已有了长足的发展, 下一代低功耗高速逻辑电路要求低的驱动电流, 小的活门尺寸低于 30 nm 和快速反应性能. 这就要求器件通道材料具有很高的电子(或空穴)迁移率. III-V 材料, 例如InSb, InAs, 和InGaAs 具有电子迁移率高达 80000 cm2/VS. 它们将是下一代低于 30 nm 硅基CMOS 器件最好的候选材料. 在 2007 年美国DARPA/MTO 设立了一个研究项目来发展硅基 III-V材料器件, 着重于发展高速硅基III-V材料CMOS 器件. 第一届”硅基氮化镓,碳化硅,III-V及其合金材料研究进展 ”国际会议也将于3月 24日-28日在旧金山MRS 2008年初春季会议上召开.     

Aspects of strain measures and strain rates

Summary In finite homogeneous deformation processes, the principal triad generally rotates with respect to a material element during the deformation. The material derivative of the logarithmic strain is no longer simply related to the rate of deformation tensor, and this is exemplified herein. A mathematical procedure is provided for the analysis and the derivations vations are formulated using the co-rotational rate technique in hope, that this technique may be extended to other applications in future modeling. It will be apparent in the article that the co-rotational rate formulation provides a convenient mathematical procedure for handling problems in finite deformation.     

Do we measure strain when we measure strain?

Errors can occur in the measurements from a strain gauge installation unless certain precautions are taken. Practical solutions are given to minimise the influence of temperature, moisture etc., to ensure an acceptable zero stability.     

电阻应变式传感器应变传递影响因素分析

为研究电阻应变式传感器的应变传递机理,基于剪滞理论建立电阻应变式传感器应变传递的三维模型,推导出应变传递函数,利用有限单元法模拟出传感器各部分的应变分布并与理论值进行比较。具体分析粘接层几何参数和力学性能对应变传递的影响。结果表明:在测量过程中,应变片敏感栅中间部位所受的应变最大,并向两端逐渐递减直至为0;敏感栅、基底和胶结层两端均不受力的作用;基底与敏感栅、胶结层与基底之间存在应变过渡区;胶结层的横向宽度越长、厚度越薄和剪切模量越大,敏感栅有效区域长度越长,越有利于应变传递。研究结果对传感器应变片的选择和粘贴具有理论指导意义。     

Crystallisation of PET with strain, strain rate and temperature

The mechanical properties of Poly ethylene terephthalate (PET) were studied over several decades of strain rate and a temperature range of 263 K–453 K. Tests were carried out in the range 10^–3–10⁴ s^–1 using a conventional Hounsfield machine and two high strain rate test systems. Strain limited tests were carried out at all the strain rates and the temperature rises were estimated from the area under the stress strain curves. X-ray diffraction was used to extract interatomic plane distances and crystallite dimensions. Differential Scanning Calorimetry (DSC) was employed to estimate the degree of crystallinity of the material and the kinetics of crystallisation. PET yield stress increased with strain rate with a sharp increase at rates of 10³ s^–1 and above. It crystallised into the triclinic form at rates above 10³ s^–1 beyond 140% strain but crystallisation was not observed at lower strain rates. Increases of up to 40% in crystallinity content were found which, it is concluded, were thermally induced after the test ended. The results shed light on the development of crystallinity in PET as a function of strain, strain rate and temperature and indicate that the rapid increase in yield and flow stresses previously reported cannot be accounted for by increases in crystallinity.     

New spin-valve magnetic field sensors combined with strain sensingand strain compensation

In thin film magnetic field sensors, strains adversely affect the gain and bias conditions. A new linear field sensor combining two matched spin valve elements is described. The difference signal from these two elements measures the strain at the field sensor and the sum signal, with the difference as input, gives a strain-compensated measure of the field