直流电弧法回收ITO废靶技术研究

本文提出一种新型的ITO废靶回收技术,采用直流电弧法将ITO废靶气化制成纳米ITO粉末,实现废靶的回收.借助XRD(X射线衍射)和TEM(透射电子显微镜)等技术对粉末进行表征,发现经回收制备的ITO粉末为单一的立方In2O3结构,颗粒多以四方和类球形两种形貌存在,粒度尺寸在5- 200nm范围内.     

电弧气化法制备纳米ITO粉末及高密度ITO靶的研制

以纯度为99．99％的纯金属In和Sn为原料,采用电弧气化法制备了单一立方In2O3结构的纳米ITO合金粉末,所制备的粉末以四方和类球形两种形貌存在,粒度主要位于30-70nm,分散性良好;并在此基础上采用常压烧结制备了相对密度高达99．74％,平均电阻率达到1．52×10^-4Ω·cm,结构成份均匀,晶粒尺寸5—10μm左右的超高密度ITO靶材。     

ITO废靶回收制备超细ITO粉末的研究

以ITO废靶为原料,硫酸浸出,均相共沉淀-共沸蒸馏法制备出了均匀分散、粒径小于100nm的类球状高纯纳米级ITO粉体.用本工艺制备回收超细ITO粉末,制备工艺简单,设备投资小,可适用于工业化生产.     

ITO靶材在溅射过程中结瘤行为的研究

本报导了ITO靶材溅射时，靶材表面的时效变化和靶材表面结瘤物的组成及其微结构；探讨了结瘤物生成的原因和减缓瘤子生成的方法，对改善ITO膜质有较好的参考价值。     

用交流孪生靶磁控反应溅射法制备ITO薄膜

采用氧化铟锡(ITO)陶瓷靶(质量分数为90%的In2O3与10%的SnO2)作为溅射源,通过交流孪生靶反应磁控溅射制备出了性能优良的ITO薄膜,其光谱透射率大于85%。结合对所镀制ITO薄膜的表面形貌及化学成分分析,研究了反应气体流量、退火等工艺参数对ITO薄膜光学和电学性能的影响。     

反应磁控溅射沉积ITO膜工艺稳定性的研究

在Ｉｎ－Ｓｎ合金靶反应磁控溅射的情形下，固定其片温度、氧分压、抽速和其它相关条件，仅靠改变溅射电流来沉积一定主阻的ＩＴＯ膜。实验表明：随着工艺过程的进行，溅射电流总要呈现逐渐增加的趋势。本文分析了产生这种现象的种种原因，并指出影响工艺稳定的一个非常重要的因素是Ｉｎ－Ｓｎ合金靶本身。     

真空和射频溅射对ITO膜性能的影响

为进一步探求磁控溅射的机理,本文通过用直流和射频两种磁控溅射沉积ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜的方法,由沉积的ＴＩＯ膜的特性来揭示不同溅射的机制。     

气化粉与湿法粉制备ITO靶材过程及性能对比研究

分别以ITO气化粉和湿法粉为原料,在相同工艺条件下,经过球磨、造粒、成型等工序制备了ITO靶材,研究了ITO气化粉和湿法粉制靶中间品及最终靶材的主要性能。结果表明:模压和CIP后,湿法粉坯体密度均低于气化粉的,但由于ITO湿法粉原料粒径细而均匀,烧结活性更高,故在较低的烧结条件下可制备出更高密度的靶材。     

废脱硝催化剂钒、钨的浸出-搅拌对浸出率的影响

实现废脱硝催化剂高效综合再利用具有重大的社会和经济效益。本文采用NaOH浸出废脱硝催化剂中钒钨离子并考察其浸出影响因素,对比研究了搅拌和不搅拌作用下废脱硝催化剂中的钨离子浸出动力学。结果表明,提高浸出温度和NaOH浓度均有利于钒、钨的浸出;在搅拌条件下(350 r/min),液固比3.5∶1,浸出温度160℃,NaOH浓度40%,浸出时间3.5 h,钒、钨浸出率均达到100%。动力学研究结果钨离子浸出过程属于固膜扩散控制,搅拌条件下钨浸出表观活化能为29.28 kJ/mol,而不搅拌时,其表观活化能仅为1.26 kJ/mol,搅拌强化可增加扩散速率,减小扩散阻力,强化钒钨的浸出。     

ITO靶材在磁控溅射过程中的结瘤诱因分析

研究了ITO靶材在磁控溅射过程中的结瘤问题,借助SEM对可能促使结瘤产生的因素进行了分析.结果表明,裂纹、孔隙等缺陷是结瘤产生的主要原因.     

高密度氧化铟锡(ITO)靶材制备工艺的研究进展

ITO靶材是导电玻璃、LED、太阳能电池等行业的核心材料之一.综合评述了高密度ITO靶材的研究现状.介绍了ITO粉末的制备方法如机械混合法、喷雾热分解法、喷雾燃烧法、化学共沉淀法、金属醇盐水解法、水热合成法等以及ITO靶材的制备工艺.比较和分析了ITO粉体和靶材各制备工艺的优缺点.最后提出了制备高品质ITO靶材的研究方向.     

铝掺杂氧化锌(AZO)废弃靶材回收再利用的研究

将AZO原料粉末和AZO残靶研磨后的粉末混合,采用注浆成型和常压大气烧结工艺制备靶材,实验主要测试了相对密度、吸水率、线收缩率和电阻率等性能,并通过XRD和SEM表征AZO靶材的晶体形态和微观结构,与新靶材进行性能对比,研究残靶粉末回收利用对靶材性能的影响。残靶粉末的加入对AZO靶材有轻微影响,测试结果显示烧结温度1450℃、保温5h、AZO残靶加入量为10%时有较好的性能:相对密度高达99.24%,吸水率和收缩率分别为17.96%和15.70%,电阻率为2.12×10-3Ω·cm。含有残靶的AZO靶材稍差的性能可能归结于AZO粉末和残靶粉末的兼容性。     

铟锡氧化物陶瓷靶材热等静压致密化研究

用化学共常常法制备了铟锡氧化物（ＩＴＯ）复合粉末。粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化。热等静压时采用碳钢作包套,采用铜箔作隔层,实验研究了热等静压工艺参数－保温温度、保压压力和保温时间对ＩＴＯ陶瓷靶材致密化的影响。实验结果表明：靶材的相对密度在大约１０００℃处有一峰值;相对密度随压力增加而增加;当保温温度较低时,适当处长保温时间有利于提高密度;当保温温度较高时,延长保温时间反而使密度降低,分析     

ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象

研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In₂O₃。主相分解为In₂O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.     

ITO靶材第二相的提取方法与分析

通过将ITO靶材粉碎、过筛后用王水长时间腐蚀的方法,提取出腐蚀产物。以进口A靶、B靶和C靶粉碎后的腐蚀产物为研究对象,通过SEM、TEM、XRD等检测手段研究3种靶材腐蚀产物的形貌、物相结构和组成成分等。结果表明,腐蚀产物均为第二相,其中A靶第二相为近似等轴体的In_4Sn_3O_(12),B靶和C靶第二相可能同时含有近似等轴体In_4Sn_3O_(12)和"窄片"In_2SnO_5,并且A靶第二相比B靶多出约8.32%,比C靶多出约4.48%。