采用碳纳米管制备的碳化硅纳米晶须研究

本文报道了采用两步生长法生成碳化硅（SiC）纳米晶须.首先通过二氧化硅与硅反应生成一氧化硅,然后生成的SiO与碳纳米管先驱体反应生成立方结构的β-SiC纳米晶须．其直径为3～40nm,长度为2～20μm．通过XRD、HREM、Raman、PL等检测手段,对生成的碳化硅纳米晶须的形貌、结构等进行了分析研究．其直径为3～40nm,长度为2～20μm．并具有峰值位于430nm的蓝光发射带,本文中还对碳化硅纳米晶须生长机制进行了讨论．     

SiC纳米晶须的制备及TEM观察

以ＳｉＯ２纳米粉和自制的树脂热解炭作原料，采用双重加热这一新技术在较低的合成温度下、较短的合成时间内制备了直径在１０～３０ｎｍ范围内、长径比在３０～１００之间、产率达８０％的ＳｉＣ纳米晶须，并用透射电子显微镜对ＳｉＣ纳米晶须的显微形貌进行了观察研究，分析了合成温度和时间对ＳｉＣ纳米晶须显微形貌的影响关系。     

热蒸发法碳化硅纳米晶须阵列的合成与表征

在1600℃不同真空度下, 采用热蒸发硅的方法, 在石墨基板和聚丙烯腈(PAN)炭纤维两种碳源基体原位生长具有一定取向的碳化硅纳米晶须——垂直于石墨片表面森林状和试管刷状碳化硅纳米晶须阵列。通过X射线衍射及场发射扫描电镜, 发现晶须为3C-SiC, 直径约100nm, 长度约50μm。炭纤维表面的产物顶端多为针尖状, 而石墨片表面的产物多为六方棱柱状。因其纳米尺寸效应, 在380nm波长的光激发下, 所制晶须在波长为468nm 附近出现光致发光峰。透射电镜、 多点衍射电子衍射图表明, 所制得的3C-SiC晶须为单晶, 其生长方向为3C-SiC的[111]方向。基于反应过程中硅熔体与碳源分离的事实, 讨论了3C-SiC晶须阵列生长的气固反应机理。      

树脂热解炭制备SiC纳米微粉

用自制的酚醛树脂热解炭作炭源，用ＳｉＯ２纳米微粉作硅源，根据碳热还原原理，利用常规加热和微波加热两种方式，分别制备了ＳｉＣ纳米微粉，Ｘ射线衍射，分析电镜检测结果表明：制备工艺和条件对ＳｉＣ纳米微粉的性质有较大的影响。     

碳纤维无催化剂法制备β-SiC纳米晶须

介绍了使用碳纤维为固相碳源,无催化剂加入制备β-SiC纳米晶须的一种新方法. 制备了直径为10-40nm,长度为几个微米的纯度较高的β-SiC纳米晶须.讨论了这个制备方法的特点,并比较了几种不同制备方法的优缺点.同时分析了β-SiC纳米晶须的显微组织并探讨了其生长机理.研究表明,较高的生长温度、SiO和CO的局部过饱和蒸汽压是此方法能够大量制备β-SiC纳米晶须的关键因素.     

一种碳化硅纳米棒的制备方法

一．专利号 ZL03119129．0 二、专利简介 本发明涉及一种碳化硅纳米棒的制备方法，属于碳化硅材料制备技术领域。本方法以碳纳米管和聚碳硅烷溶液为原料，采用浸渍和裂解工艺制备。     

碳化硅晶片的制备技术

论述了碳化硅晶片作为补强增韧材料的优点，阐述了其制备机理和国内外的各种制备技术以及碳化硅晶片的提纯方法，并对碳化硅晶片的研究重点和发展趋势作了简要的评述。     

制备氧化镁晶须的工艺和设备

本文对MgO晶须的应用状况作了简介，重点对MgO晶须的制备工艺和设备作了评述，为研制这种性能优良的增强材料提供了一些科学数据。     

ZnO晶须及其树脂基复合材料的研究进展

ＺｎＯ晶须是一种立体四针状单昌体微纤维,具有多功能特性。结合作者的研究,综述了国内外对该材料的最新研究进展,包括制备,性能,复合材料及应用等。着重分析了该材料在树脂基复合材料中的特殊性能和可能的应用前景。     

由有机-无机混杂先驱体制备SiC纳米微粉

以工业硅溶胶和水溶性酚醛树脂为原料合成了有机-无机混杂先驱体,经过高温热处理,利用碳热还原反应制备了碳化硅纳米微粉,研究了先驱体的热分解过程以及制备工艺对产物组成结构的影响.结果表明产物为纯度较高的纳米碳化硅粉末与碳化硅晶须的混合物.     

碳化硅颗粒增强Al基复合材料的新型制备工艺

综述了碳化硅增强铝基复合材料的几种主要制备工艺,重点阐述了高能超声半固态复合法制备SiCp/Al复合材料.首先用渗流法制备SiC体积分数高的SiCp/Al预制块,进行SiC预分散,然后将预制块加入处于半固态温度条件下的铝合金熔体中,最后导入超声波进行搅拌.此法很好地改善了增强颗粒与基体之间的润湿性,使SiC在基体中均匀...     

碳化硅晶须增强ZL101A复合材料的热循环处理

研究了不同热循环次数对复合材料组织与性能的影响规律。性能测试结果表明，在１５￣３００℃热循环条件下，随循环次数的增加，ＳｉＣｗ／Ａｌ复合材料的拉伸强度明显下降，并且硬度略有降低。透射电镜观察结果表明，经１０００次热循环后，复合材料界面处出现一些新相，破坏了循环处理前良好的界面结合。     

碳化硅泡沫陶瓷的制备

碳化硅泡沫陶瓷具有气孔率高、热稳定性好等优良性能,被广泛用作金属溶液过滤器、高温气体和离子交换过滤器、催化剂载体等.重点介绍了碳化硅泡沫陶瓷的种类,阐述了碳化硅泡沫陶瓷的制备方法和影响碳化硅泡沫陶瓷产品性能的因素,展望了碳化硅泡沫陶瓷的发展前景.     

碳化硅网眼多孔陶瓷的制备

本工作采用有机泡沫浸渍工艺制备了具有相互贯通气孔的碳化硅网眼多孔陶瓷．通过选择合适的流变剂获得了对海绵具有良好涂覆性能的浆料．探讨了粘结剂对网眼多孔陶瓷性能的影响,结果表明：硅溶胶是一种比较理想的粘结剂．ＸＲＤ、ＳＥＭ研究了烧结制品的晶相组成及显微结构,同时还对烧结制品的孔筋密度、气孔率、力学性能等进行了表征．本工作在１４５０℃下保温１ｈ获得了气孔率为７５％～８５％、抗弯强度达２．５ＭＰａ以上的碳化硅网眼多孔陶瓷,其主要晶相由α－ＳｉＣ、α－Ａｌ_２Ｏ_３、方石英和莫来石组成．     

纳米碳化硅基复相陶瓷的分散和烧结技术研究进展

碳化硅陶瓷是一种高性能的陶瓷,具有高强度、高硬度、耐高温、耐化学腐蚀、高热导率、低热膨胀以及低密度等性能,广泛应用于各个工业领域以及航空航天领域.从纳米复相陶瓷制备过程中的分散方法以及碳化硅基陶瓷的烧结方法与烧结助剂等方面详细论述了目前有关碳化硅基纳米复相陶瓷的研究进展.     

采用原电池法制备纳米多孔硅

利用原电池法在硅片表面制备了纳米多孔硅层;用扫描电镜SEM和原子力显微镜AFM观察了多孔硅表面形貌：原电池法与电化学法得到的多孔硅孔径均在10～20nm范围．研究结果表明：铂膜电极厚度的增大以及铂膜电极与暴露硅片面积比的增大,会导致多孔硅层的厚度增大．热学模拟结果表明：以纳米多孔硅作为绝热层可获得与悬浮结构相同的效果．     

反应烧结碳化硅的研究与进展

反应烧结碳化硅以其适中的机械性能、抗氧化性能和相对较低的造价而日益受到重视.本文对反应烧结碳化硅的类型、当前研究热点及反应烧结机理进行了综合评述.     

具有高粱微观结构多孔SiC的制备与表征

高粱经高温热解转化为碳模板, 再经液相渗透技术与熔融硅反应, 生成具有高粱微观结构的多孔SiC材料. 采用XRD、SEM和压汞技术对样品的物相、微观结构以及孔分布进行了研究. 结果表明, 最终的产物主要由β-SiC组成, 且很好地复制了碳模板的微观结构. SiC的平均孔径和孔隙率分别为91.4μm和76.6%, 与碳模板的88.5μm和71.2%相似. SiC的比表面积为33.7m²/g, 与碳模板的比表面积59.4m²/g相比明显降低. 二者相近的表面分维数(SiC为2.73, 碳模板为2.70)也表明SiC很好地保持了碳模板的微观结构. 高粱转化的SiC具有颗粒直径大、孔隙率高等特点.