集成电路制备中利用划片区吸除金属杂质

引言集成电路制备中,硅片及界面处,金属杂质的存在是造成集成电路成品率低,功能和可靠性差,易失效的重要原因之一。所以消除金属杂质的危害是大规模集成电路研制中的重要课题。目前国内外已研究出十几种钝化与吸除金属杂质的工艺措施,取得了显著效果。但是这些工艺的共同不足之处是增加了集成电路制备的复杂性。我们根据对集成电路影响比较大的     

杂质颗粒对油水两相润滑轧机油膜轴承弹流润滑的影响

以轧机油膜轴承为研究对象,建立了油水两相流的弹流润滑模型,分析了润滑液中杂质颗粒对轧机油膜轴承润滑性能的影响。结果表明:存在杂质颗粒时,杂质颗粒接触区压力增大,入口区压力及最大压力变化不大,膜厚减小;随着杂质颗粒半径的增大,入口区压力增大,颗粒接触区压力增大,最大压力减小,膜厚减小;随着杂质颗粒浓度的增加,入口区压力减小,杂质颗粒接触区压力增大,最大压力增大,膜厚减小;随着杂质颗粒流速的增加,入口区压力及最大压力变化不大,而颗粒接触区域压力增大,膜厚减小;随着油水两相流体中含水量的增加,入口区压力减小,最大压力增大,杂质颗粒接触区压力增大,膜厚增大。     

集成电路电源设计

目前,生产的集成电路稳压器有半导体集成电路稳压器和混合集成电路稳压器两种型式。半导体集成电路稳压器虽有基准电压电路和误差放大器电路等复杂的电路,但比较容易制造,与此相反,如控制电路功率放大器一定要加散热装置,而在分压器上制造必要的精密电阻是比较困难的。目前使用的半导体集成电路稳压器里,一般都附加有控制用的三极管和分压电阻等元件,在性能方面,多数情况下不仅可以应用到稳压电流,而且可以应用到稳流源的各种型式上。     

现代微纳米半导体加工工艺探析

随着集成电路的不断发展,现如今集成电路体积越来越小集成度越来越高,功能与速度也得到了进一步发展与进步。微纳米半导体作为集成电路主要组成部分,其发展速度越来越快。分析微纳米半导体加工工艺,对于优化半导体加工,提升半导体质量满足未来集成电路发展对半导体元件要求具有重要意义。本文从半导体加工工艺与半导体加工工艺发展两方面进行分析,希望可以为未来半导体加工发展与优化提供一定借鉴。     

SIMS在半导体分离器件剖析中的应用

本文介绍SIMS技术在半导体分离器件剖析中的应用。通过深度分布分析,取得了晶体管有源区表面金属化层和内部掺杂层的深度分布曲线,据此获得晶体管试制的重要工艺参数——基区掺杂表面浓度值及其结深值。文中还讨论了一些存在问题。     

PUT管在转换电路中应用

PUT系Programmable unijuntion transistor之缩写,它是近年来新出现的一种负阻器件。目前国内已有生产与应用,但是名称繁多,尚未统一,现在的名称有:参数可调单结晶体管,特性可调单结晶体管,可论程序单结晶俸管,变程式单结晶体管等。 PUT管和可控硅(SCR)的结构相似,也是由P型半导体材料和N型半导体材料构成的一种四层三端器件。但是,这种PUT管和可控硅相比又有所不同,其区别是:1.结构相     

半导体温度传感器及其芯片集成技术

半导体温度传感器是利用集成电路的工艺技术，将硅基半导体的温度敏感元件与外围电路集成在同一芯片上，与传统类型的温度传感器比较，具有灵敏度高、线性好、体积小、功耗低、易于集成等优点。分别介绍了双极型工艺和CMOS工艺下的半导体温度传感器的基本设计原理，并具体提出一种CMOS型集成温度传感器设计电路。此外，还介绍了半导体温度传感器的芯片集成技术，并总结了IC设计中出现的关键技术问题与解决方法。     

YC-200型扩散硅固态压力传感器

在沈阳仪器仪表工艺研究所科研成果的基础上,营口仪表元件一厂于一九七九年试制出YC-200型扩散硅固态压力传感器。经过现场运行及有关单位的技术鉴定,该传感器性能稳定,综合精度达0.1％以上,可以组织小批量生产。这种传感器是利用半导体的压阻效应,在N型单晶硅膜片上,采用集成电路工艺沿一定的晶向制成四个P型电阻,接成桥路。因此,具有灵敏度高、稳定性及可靠性好、体积小重量轻等特点。可用于非腐蚀性气体、液体的压力或差压测量,并可配合显示及调节仪表,进     

半导体硅压力传感器

一、前言自1954年Smith等人研究了半导体Ge和Si的压阻效应以来,压阻效应就在压敏元件中得到了实际应用。由于半导体压力传感器灵敏度高、体积小,特别是80年代后硅集成电路工艺技术的发展,使以硅为衬底材料的硅扩散型压力传感器得到了惊人的发展。硅压力传感器是用途最广的传感器之一。目前大多都是采用半导体扩散技术制造应变计(应变电阻),称为扩散型硅压力传感器。由硅单晶衬底制成的膜片作为感压膜,它与应变电阻为一体结构,因此蠕变和滞后现象都很小,精度高。硅压力传感器可以与硅集或电路制造在同一衬底上组成集成型硅     

集成电路基体的制造方法

该发明是在同一基底上形成数个 PNP 和NPN 型相反导电类型的晶体管集成电路的制造方法。采用原来的多重扩散法要获得所需形状的结面是有困难的,且做出的上述元件有 VCE特性很高等缺点。该发明采用了一种掩蔽外延技术,从而消除了上述缺点,如下图所示,首先在 P 型基底10上用气相生长法形成一层作掩蔽用的 SiO_2 膜12,然后在其上开矩形孔。再用外延生长法在该孔中形成一个 N 型的岛14,为了降低该岛的固有阻抗,在岛14的表面设置N~+ 埋层。接着再在该片上形成一层 SiO_2 膜30(图     

半导体集成电路的生产和应用

自从1948年世界上第一只晶体管问世以来,半导体集成电路的发展日新月异,其速度,实在令人惊叹不已!1952年英国人达默首创了集成电路概念,1958年美国TI公司发明了世界上第一块集成电路。到本世纪的七十年代,世界科学技术已经进入了大规模集成电路的时代,预计八十     

数字系统及其应用(二)

逻辑门电路是构成数字系统的最基本单元,广泛用于数字控制装置、数字计算机和各式各样仪器仪表。逻辑门电路是一种能够起辑逻判断作用的电子电路,采用半导体工艺制成。目前我国用得最多的是TTL(晶体管-晶体管逻辑)、PMOS(P沟金属-氧化物-半导体)和CMOS(互补式金属-氧化物-半导体)逻辑集成电     

集成霍尔传感器

集成霍尔传感器一般做成硅集成电路型式,用作自动化技术中的测量元件。但是,用硅单晶制做的霍尔传感器在许多性能方面比不上A~ⅡB~Ⅴ族化合物的模拟器件,如灵敏度、快速性、线性度、温度稳定性、噪声级、工作温度区宽度等特性均较差。A~ⅡB~Ⅴ族薄膜型半导体霍尔元件是最有发展前途的,可是用A~ⅡB~Ⅴ族半导体只能做成简单的分立器件,不能制得相应的集成电路。为此,希望得到这样一类集成磁敏器件,它们兼有A~ⅡB~Ⅴ族半导体霍尔传感器和硅集成电路二次转换器的综合功能。这类     

硅光电池工作原理

硅光电池是一种把光能转换为电能的敏感元件。其结构示意图见图1。它是在 n 型单晶硅片的一个表面上扩散入 P 型光敏杂质而制成。p 型层很薄,仅有几微米。该表面是受光     

半导体装配设备的年增长率达20%

半导体集成电路加工中的扩散过程是非常重要的,而电路的装配和封装是总造价不可忽略的部分。据 Mackintosh 完成的研究报告指出,今后五年中世界半导体装配封装装置的销售会增加一倍,将超过1500百万法郎。研究报告把这种装置分为焊条焊接、芯片切割、芯片键控和封装四大方面进行介绍。     

用于制作集成电路的激光划片机——衰减系数降至0.5％以下

日本电气公司最近制成了一种SL411型的新式划片机,它采用钇铝石榴石激光振荡器,把由扩散过程所得到的硅半导体晶片切成薄片或圆片的方法来制作集成电路。由于这种新型装置全部采用了日本国内技术,所以引起了人们的注意。这种激光划片机是日本电气公司为发展激     

用离子轰击制造双极型晶体管的方法

在半导体上同时形成基区和发射区的双极型晶体管的制造方法为:在第一导电类型(如 n 型)的半导体表面上涂复一层第一导电类型的掺杂剂(n 型),然后用相反类型(P 型)的离子轰击这个掺杂剂层,使得掺杂剂层的原子进入半导体的表面和附近表面部份构成发射区,而轰击的离子本     

非晶硅光传感器及其应用

非晶硅光传感器所谓非晶硅,实质上硅原子在很小的范围内仍然是有规则的共价键结合着。它不象单晶硅那样,一块整体都是基本无大缺陷的整齐的晶体,所以非晶硅的制造方法比较简单,一般可以由硅烷气体通过辉光放电法直接制成,也可以象制造单晶硅的杂质半导体一样在原料中掺入三价或五价的元素来形成P型或N型半导体硅。非晶硅光传感器比历来常用的单晶硅或硫化镉等半导体传感器具有下述的优点:     

热解石墨涂层在外延中的应用

一、前言在半导体元器件制作工艺中,外延工艺是直接影响半导体元器件性能的重要环节,而外延加热体——基座,则对外延片质量起重要作用。我厂从六九年开始搞外延以来,先后采用了硅,包硅、包碳代硅石墨做基座。近来,我厂在沈阳金属研究所的帮助下,试用了热解石墨涂层做为外延基座。通过二年来的实践,我们认为热解石墨是一种较为理想的基座材料。它的使用显著减少了品体缺陷和有害杂质对半导体器件的影响。为完美外延工艺和半导体器     

纵向BCD工艺的设计与功率集成技术研究

随着功率集成电路对高集成度、低功耗等要求不断提高,越来越多的功率模块被集成到一块半导体芯片上,由此BCD工艺应运而生。BCD工艺是一种采用单片集成技术,将双极晶体管Bipolar、互补金属氧化物半导体CMOS逻辑电路以及大功率的双扩散金属氧化物半导体DMOS器件集成在一块芯片上,提高了功率系统的性能。但是由于现有BCD工艺中所集成的功率器件的电极都是从芯片表面引出,导致芯片面积增加、引入更多的寄生效应,并使得高压互连和热设计等问题表现得较为突出。为了解决现有BCD工艺存在的问题,并结合功率集成器件研发需求,通过对纵向功率MOS器件工艺和集成电路工艺的分析与整合,提出了一种纵向BCD工艺,能够同时实现电路和各种纵向结构功率MOS并兼容横向LDMOS器件的一体化集成,既可以从芯片背面引出纵向结构功率MOS漏极,又可以保证集成后的电路和功率器件的良好电气特性。基于该工艺通过仿真优化设计的集成化功率器件导通电阻≤1.5 mΩ·mm2,击穿电压为90 V,兼容的LDMOS器件工作电压也同步达到90 V,最大工作电流为2 A。