还原再氧化型半导体陶瓷电容器材料的研究

通过实验研究了Ｎｄ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｓｍ２Ｏ３添加量对还原再氧化型ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷电容器材料性能的影响，同时优化了烧结工艺，获得了Ｃ＞０．５μＦ／ｃｍ２，ｔｇδ＜３．５×１０－２，ρ＞４×１０１１Ω·ｃｍ，｜△Ｃ／Ｃ｜（－２５～＋８５℃）＜＋３０－８０％，Ｖｂ＞４２０Ｖ的实用半导体陶瓷电容器材料     

GaN的离子注入掺杂和隔离

在ＧａＮ中注入Ｓｉ＾－和Ｍｇ＾＋／Ｐ＾＋之后，在约１１００℃下退火，分别形成ｎ区和ｐ区。每种元素的注入剂量为５×１０＾１４ｃｍ＾－２时，Ｓｉ的截流子激活率为９３％，Ｍｇ的是６２％。相反，在原ｎ型或ｐ型ＧａＮ中注入Ｎ＾＋，然后在约７５０℃下退火，能形成高阻区（＞５×１０＾９Ω／□）。控制这些注入隔离材料电阻率的深能态激活能在０．８－０．９ｅＶ范围内，这些工艺参数适用于各种不同的ＧａＮ基电子和光器件。     

InP系波导和光电探测器单片集成

本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波导损耗最小为８．６ｄＢ／ｃｍ，器件正向压降为０．４～０．６Ｖ，反向击穿电压＞４０Ｖ，响应度～０．５Ａ／Ｗ，上升时间＜０．９ｎｓ．     

CdTe／ZnS复合钝化膜的界面电学特性研究

利用ＭＩＳ结构研究了长、中、短波碲镉汞材料，新型热蒸发ＣｄＴｅ／ＺｎＳ钝化膜界面电学特性及其与工艺条件的关系．结果表明，ＣｄＴｅ／ＺｎＳ双层膜界面电学参数依赖于界面预处理条件，在适当的工艺条件下，平带电压几乎为０，固定电荷密度为－４×１０１０ｃｍ－２，慢态密度为５．１×１０１０ｃｍ－２，界面态密度为２．７×１０－１１ｅＶ－１．ｃｍ－２．     

声表面波VCO的研制

介绍了１５５．５２ＭＨｚ、６２２．０８ＭＨｚ声表面波（ＳＡＷ）、１２４４．１６ＭＨｚ浅体波（ＳＴＷ）压控振荡器（ＶＣＯ）的原理、设计和性能。采用低插损、高Ｑ值的ＳＡＷ延迟线和ＳＴＷ谐振器，高性能微波放大器，变容二极管电移相器，使振荡器具有非常低的相位噪声（＜－１４０ｄＢｃ／Ｈｚａｔ１００ｋＨｚ）、高输出功率（＞９ｄＢｍ）、低温度－频率漂移（＜±３５ｐｐｍ，温度范围：－５～６０℃）、大频率调谐范围（＞４００ｐｐｍ）。     

液芯光纤共振拉曼光谱

在液芯光纤内产生共振拉曼效应，可以提高拉曼光谱强度１０９倍。用５１４．５ｎｍ波长、０．８０ｍＷ激光，１．４４ｍ光纤和６０ｍＷ激光，２．２３ｍ光纤分别获得了浓度为２×１０－９ｍｏｌ／Ｌ和９．６×１０－１２ｍｏｌ／Ｌ的β－胡罗卜素在ＣＳ２中的光纤共振剌曼光谱。实验中发现，低浓度下β－胡罗卜素拉曼光谱频移发生变化，并且，随着浓度的降低，其频移变化增大。     

低损耗高温型R特性高压电容器瓷料的研制

采用Ｂｉ（３＋）、Ｐｂ（２＋）、Ｍｇ（２＋）与主晶相ＳｒＴｉＯ３固溶，并添加适量的Ｎｂ２Ｏ５、ＳｉＯ２、Ｙ２Ｏ３对ＳｒＴｉＯ３进行改性，研制出εｒ≥２２００，１ｋＨｚ时ｔｇδ≤０．１０×１０（－２），１０ｋＨｚ时ｔｇδ≤０．３０×１０（－２），－２５～＋８５℃｜△Ｃ／Ｃ｜≤１５％，Ｅｂ（ＤＣ）＞９Ｖ／μｍ，Ｒｉ＞１０（１２）Ω，耐高温（可达＋１２５℃），高频性能好的新型介质材料。该瓷料适合制作工作频率高、表面温升低的低损耗、耐高温的高压瓷介电容器。     

2.5～4.4Gb／s光纤无中继传输实验系统

本文报导在４×６２２Ｍｂ／ｓ）×１６０ｋｍ等三个常规单模光纤无中继传输实验系统，以及４．３５４Ｇｂ／ｓ×２００ｋｍ常规单模光纤传输实验系统方面的研究成果．带有掺饵光纤功放的高稳定度光发射机输出功率分别＞＋４ｄＢｍ／信道（４×６２２Ｍｂ／ｓ）和１１ｄＢｍ（单路２．５Ｇｂ／ｓ），频率稳定度分别优于６×１０－６和４．１×１０－６．带有掺铒光纤前放的四路光接收机灵敏度达到－４６．８ｄＢｍ（６２２Ｍｂ／ｓ，ＮＲＺ２２３－１ＰＲＢＳ）和－３９．５ｄＢｍ（４×２．５Ｇｂ／ｓ，ＮＲＺ２２３－１ＰＲＢＳ）．系统各信道误码率分别优于４×１０－１２～４×１０－１５．     

K0.9Li0.1（Ta0.5Nb0.5）O3晶体压电应变系数的测量

用准静态ｄ＿（３３）测量仪和干涉法相结合。测量了Ｋ＿（０．９）Ｌｉ＿（０．１）（Ｔａ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５））Ｏ＿３晶体的压电应变系数。结果为：ｄ＿（３３）＝８６．０，ｄ＿（３３）＝一２９．５，ｄ＿（１５）＝１１２．９×１０￣（－１２）Ｃ／Ｎ．     

InP衬底上的p－沟和n－沟异质结绝缘栅场效应晶体管

在ＩｎＰ衬底上用通常的晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ＞０．５３）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｌ＿０．４８Ａｓ／Ｉｎ＿ｙＧａ＿（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟曾强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖锐，栅二极管开启电压０．９Ｖ，室温时非本征跨导＞２０ｍＳ／ｍｍ。相邻的（互补的）ｎ－小沟ＨＩＧＦＥＴ也显示ｅ型工作（阈值Ｖ＿ｔｈ＝０．１６Ｖ），低的漏电，０．９Ｖ栅开启电压和高跨导（ｇｍ＞３２０ｍＳ／ｍｍ）。这是首次报道在ＩｎＰ衬底上同时制作具有适合作互补电路特性的ｐ＿和ｎ－沟ＨＩＧＦＥＴ。     

东北牌真空灭弧室通过了二部鉴定

东北牌真空灭弧室通过了二部鉴定由辽宁电子管厂（原沈阳灯泡厂）生产研制的ＺＭＢＤ－１０／１２５０－２０，ＺＭＢＤ－１０／１２５０－３１．５型中封式玻璃外壳的真空灭弧室及ＺＭＴＢ－１０／６３０－１６型陶瓷外壳柱上开关用真空灭弧室，于１９９６年９月１０日在...     

YBa_2Cu_3O_（7－δ）高温超导薄膜微桥结在微波辐照下的响应特性

采用偏轴宜流磁控溅射原位生长ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δａ高温超导薄膜，以Ｈ３ＰＯ４为腐蚀液，采用化学湿刻工艺制作ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜微桥，微桥长１０μｍ，宽５μｍ，在８ｍｍ微波源的辐照下，除观察到整数常压台阶外，还观察到ｎ＝１／２，１／５，６／５，９／５等分数常压台阶，分数台阶的高度随微波功率的变化较整数台阶更敏感．     

S波段频率综合技术研究

本文论述的Ｓ波段频率综合器，频率范围是２．６１￣３．９６ＧＨｚ，频率步进为２．５ＭＨｚ，相位噪声指标〈－（８８￣９３）ｄＢｃ／Ｈｚ，长期频率稳定度为１×１０＾－９／日，杂散抑制优于５５ｄＢ，谐波抑制优于５０ｄＢ，输出功率大于１４ｄＢｍ。     

淀积条件对GDa—SiNx薄膜电学特性的影响

本文讨论了用辉光放电法制备氮化硅薄膜时衬底温度、射频功率和气体流量比对薄膜的电导率、介电常数和击穿强度的影响。通过优化生长条件，制备了优质非晶氮化硅薄膜，其介电常数为７．５、击穿强度为５．５ＭＶ／ｃｍ、电导率为１０－１３（Ωｃｍ）－１。     

MTT法测定两种光敏剂对大肠癌细胞株HR－8348的光动力效应

用人大肠癌细胞株ＨＲ－８３４８对激光光敏剂藻蓝蛋白（Ｐｈｙｃｏｃｙａｎｉｎ）和蚕砂卟啉（ＣＰＤ４）作光动力学治疗，ＭＴＴ法测定结果．在含有藻蓝蛋白１００μｇ／ｍｌ，５０μｇ／ｍｌ，２５μｇ／ｍｌ的１６４０培养液处理大肠癌细胞，采用波长６３０ｎｍ的铜泵染料激光照射（１２Ｊ／ｃｍ２）后，测定细胞生存率分别为２２．１％，３７．６Ｋ，８９．７Ｋ，各组间Ｐ值均小于０．００１．同样方法蚕砂卟啉含有１０μｇ／ｍｌ，５μｇ／ｍｌ，２．５μｇ／ｍｌ测得细胞生存率分别为２０．１％，２５．９％，３１．５％。ＭＴＴ法快速，简便，可用于多种光敏剂的筛检试验．     

两步快退火改善InP（Fe）中MeV硅注入层的品质

２ＭｅＶ、（１～２）×１０１４ｃｍ－２硅离子注入ＳＩ－ＩｎＰ（Ｆｅ）造成负的（－３．４×１０－４～－２．９×１０－４）晶格应变，光快速退火的激活能为０．２６ｅＶ。８８０℃／１０ｓ退火可得到１００％的施主激活。间断两步退火（３７５℃／３０ｓ＋８８０℃／１０ｓ）使注入层单晶恢复完全，较大程度（２０％～３５％）地改善了载流子的迁移率。四能量叠加注入已能在０．５～３．０μｍ的深度区域形成满足某些器件要求的低电阻（７．５Ω）高浓度［（２～３）×１０１８ｃｍ－３］的ｎ型导电层。     

量子阱激光器光增益温度关系及对激射特性的影响

计算了不同温度下ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料光增益与载流子密度的关系．根据Ｂ－Ｄ条件：△Ｆ＞ｈｖ≥Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１，得到了△Ｆ、峰值增益光子能量和Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１与载流子密度的关系，并得到不同增益的激光器阈电流温度关系．计算结果解释了实验出现的阈电流温度的反常特性和波长开关现象，并且与器件温度特性符合．     

多元多色HgCdTe红外探测器

简要介绍利用不同波段的微型滤光片和不同响应波段的多元ＨｇＣｄＴｅ红外探测器,叙述了通过精密镶嵌技术组合而成的四波段２１５～２２５μｍ、８４～８９μｍ、１０３～１１３μｍ和１１５～１２５μｍ８８元多元多色探测器的设计原理和特性,以及多元多色探测器的组合工艺,并给出了各个通道的响应光谱特性和探测器的工作性能。研制成功的８８元多色红外探测器每个通道的平均探测率和响应率分别为：Ｄ２．１５～２．２５＝１．２×１０１２ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ２．１５～２．２５＝５．０×１０６Ｖ／Ｗ,Ｄ８．４～８．９＝７．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ８．４～８．９＝１．６×１０４Ｖ／Ｗ,Ｄ１０．３～１１．３＝４．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ１０．３～１１．３＝４．３×１０３Ｖ／Ｗ,Ｄ１１．５～１２．５＝３．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ１１．５～１２．５＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ,文中对这些结果进行了分析和讨论。     

激光工业应用

２００２０６０３２８激光相变硬化可视化分析犤中犦／谢琼，许振鄂∥光电子·激光．—２００１，１２（５）．－４９５～４９９２００２０６０３２９ICr１８Ni９Ti不锈钢激光快速熔凝处理与表面合金化犤中犦／张友寿，王巍∥光电子·激光．—２００１，１３（１）．－７２～７４，７９２００２０６０３３０激光直接制版版材犤中犦／张存林，曹胜利．．．∥光电子·激光．—２００２，１３（３）．－２６１～２６３２００２０６０３３１石油化学阀门激光熔覆层凝固组织控制的研究犤中犦／王新林，郑启光∥光电子·激光．—２００２，１３…     

手机前线

ＭＯＢＬＥ‘Ｓ　ＦＲＯＮＴＬＩＮＥ三星　ＳＣＨ－Ｘ２９０ ＳＣＨ－Ｘ２９０ 是韩国三星出品的一款ＶＯＤ视频点播手机，显示屏为４０９６色的ＳＴＮ－ＬＣＤ，支持４０和弦铃声，机身顶部的来电显示灯可报据不同的来电者设定５种颜色变化。这款手机规格为：８８．５ × ４６．５ × ２０．６／２２．８毫米（薄电／厚电），重量为８９／１０５．２克（薄电／厚电）。三星　ＳＰＨ－Ｘ４５００ ＳＰＨ－Ｘ４５００是一款外型独特的贝壳机，翻盖上镶有一块椭圆形装饰物，有点类似于女性的化装盒，估计女性消费者会喜欢这款手机。这款手机…