UHF遥控接收机

４９７ＵＨＦ遥控接收机这种接收机与前面介绍的ＵＨＦ遥控发射机配对使用，它是一种有一个有源ＲＦ放大器Ｔ＿１的超再生式接收机。天线信号经一个ＢＮＣ插孔Ｋ＿１被加到输入电感器。输入电路由微调电容器Ｃ＿４进行调谐。被放大的ＲＦ信号，被加到由晶体管Ｔ＿２组成的...     

甲类前置放大器

４８２．甲类前置放大器现在，前置放大器的设计都是以集成电路为基础，几乎无新的变化。然而，喜欢分立式电路设计的人仍然很多，他们喜欢这里介绍的这种电路。放大器的设计是对称式，在差分输入级中，使用两个晶体管Ｔ＿１和Ｔ＿２两管之间的电流放大之差，在输入级要作...     

声响式晶体管测试器

４６１．声响式晶体管测试器只有当喇叭有声音的时候，该测试器不受操作控制且使电流通过。它由三个能通过缓冲“或”门驱动普通型喇叭的振荡器组成。每一振荡器包括一个长久固定的晶体管和一个被测试的晶体管（ＴＯＴ）。振荡器的频率取决于相应的ＲＣ网络（Ｒ＿５Ｃ＿２...     

TSR－C_2卫星接收机的几点使用经验

ＴＳＲ－Ｃ＿２卫星接收机的几点使用经验黑龙江省五常县李明显，高建国１．遥控器上ＰＳ键的作用ＴＳＲＣ－Ｃ＿２卫星接收机（以下简称Ｃ＿２机）的遥控器上有一ＰＳ键，称为总监视键。它的功能相当于某些遥控彩电上的频道省略键。如果您的转播台只固定转播一套电视节目...     

多功能测试探测器

４７８．多功能测试探测器这种电路仅以两块集成电路和一个晶体管为基础，就能实现开关Ｓ１选择的三种测试功能。该电路以一个时钟发生器ＩＣ＿ｌａ－ｌｃ为基础，提供一个３Ｈｚ的矩形波信号。当Ｓ１在位置Ａ时，Ｔ＿１就把时钟信号加到探针上，这个缓冲级经限流电阻Ｒ＿...     

低噪声话筒放大器

４７０．低噪声话筒放大器由于匹配晶体管以单个组件的形式出现，对零噪声话筒放大器的寻求，看来已成为一种新的刺激。这里提出的放大器是以ＰＭＩ’ＳＭＡＴ０２晶体管对为基本组件，放大器的性能在最大的音量时，也将给人以低噪声的感受。这种放大器能对话筒很宽的阻抗...     

有源负载电阻

本设计思路是关于有源功率电阻的。在探测和检修电源时可以用它做为负载电阻。电路可以工作在三种不同的方式。它可以做为一个恒定电阻（ＣＲ）或一恒流（ＣＣ）漏极，从任意正电压源吸收恒定电流。最后，它可以是恒压方式（ＣＶ）。在ＣＶ时，电路加一恒定数值的电压跨接到电源端，其值可由用户调节。电路示于图１，图中的功率ＭＯＳ－ＦＥＴ晶体管Ｑ１用做为一电阻元件。晶体管的栅极由运放（Ｕ１Ｂ）控制。反馈电压（可由开关ＳＷ２选择）接到放大器的倒相输入。在ＣＣ和ＣＲ方式中，反馈电压是源电阻Ｒ１两端之间的电压，它与晶体管…     

SiC异质结双极晶体管的高频性能

用一种简练的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）模型来模拟ＳｉＣ基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在２７℃（３００Ｋ）到６００℃（８７３Ｋ）下的６Ｈ－ＳｉＣ／３Ｃ－ＳｉＣＨＢＴ。将其高频大功率特性与ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ作了比较。不出所料，欧姆接触电阻限制了ＳｉＣＨＢＴ的高频性能。现在看来，在ＳｉＣ上只能可靠地产生１×１０￣（－４）Ω－ｃｍ￣２的接触电阻。所以ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）的最高实际值仅分别为４．４ＧＨｚ和３．２ＧＨｚ。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到１×１０￣（－６）Ω时，则６Ｈ／３ＣＳｉＣＨＢＴ的ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）分别可达到３１．１ＧＨｚ和１２．７６Ｈｚ。     

接近理想的整流器

５１９接近理想的整流器动态压缩器的门限值转换和非线性特性不令人满意时，往往需要一种全波整流器。这里给出的电路就是一种近于理想的电路。该电路由２部分组成，即整流器ＩＣ＿（１ｂ）和差分放大器ＩＣ＿（１ａ）。被整流的电压出现在Ｒ＿２的两端，运算放大器ＩＣ＿...     

快速大功率齐纳二极管电路

４８０．快速大功率齐纳二极管电路这种齐纳二极管电路设计的目的，在于获得能提供大电流的快速电压调节电路。该电路是建立在典型的ＢＵＺ１０ＳＩＰＭＯＳ晶体管基础上的，具有高损耗并能承受大电流。外接一个功率源，它的电压必须比要求的标准值大约高２Ｖ，则Ｐ＿１－...     

工作在液氮温度下的低频低噪声双极晶体管的研究

对双极晶体管的低温物理模型和低频噪声模型进行了研究，认为低温下硅双极晶体管电流增益下降的主要原因是低温下非理想基极电流的增加。同时指出，低温下硅双极晶体管１／ｆ噪声的增大，是由于低温下电流增益的减小和载流子在体内和表面的复合增加。通过优化设计，做出了一种低温、低频、低噪声硅双极晶体管。测试表明，在室温（３００Ｋ）下，电流增益、低频转折频率、１ｋＨｚ点的噪声电压分别为β≥８００，ｆ＿Ｌ≤３０Ｈｚ，Ｅｎ（１ｋＨｚ）≤１．５ｎＶ／　　；低温（７７Ｋ）下，电流增益、低频转折频率、１ｋＨｚ点的噪声电压分别为β≥３０，ｆ＿Ｌ≤３００Ｈｚ，Ｅｎ（１ｋＨｚ）≤１．２ｎＶ／。     

宽带宽光电二极管放大器

很多光电二极管应用场合需要高增益和宽带宽。然而，这样两个性能目标在互导放大器设计中是相悖的。在随时间变化的有关光信号与不需要的环境背景光发生矛盾时，就可使用直流恢复光电二极管放大器（图１）。这种通用设计在Ｂｕｒｒ－Ｂｒｏｗｎ公司应用手册中描述很清楚。为了扩展该放大器的带宽，该设计经修改后可向电流至电压转换提供随后的电压增益（图２）。与图１相比，这种设计需要较少的无源元件。小电容光电二极管的电流流经Ｒｇ，并在非例相接线端建立一个电压。然后，这一电压接收相当于１＋Ｒｆ／Ｒ１的增益。Ｂｕｒｒ－Ｂｒｏｗ…     

8阶巴特沃斯滤波器

５１１．８阶巴特沃斯滤波器常用的ＲＣ滤波器设计，电阻器Ｒ＿１－Ｒ＿４和民一民给出的阻值都是相同的，不足之外，这使电容器的容值很难处理。然而，舍入取整数最接近Ｅ１ｌ２值的方法，导致传送特性出现波纹。这种特殊的元件值给出的拆衷频率为１ｋＨ２。频率特性，由...     

具有Th2Ni17结构类型的R2M17六角相的形成规律研究

具有Ｔｈ＿２Ｎｉ＿（１７）结构类型的Ｒ＿２Ｍ＿（１７）六角相的形成规律研究贺连龙，叶恒强（中国科学院金属研究所固体原子像实验室，沈阳１１００１５）Ｒ＿２Ｍ＿（１７）相属于稀土－过渡族金属系金属间化合物。这类化合物以Ｒ－Ｃｏ，Ｒ－Ｆｅ为代表均具有良好的...     

汽车指示灯过流保护电路

在汽车等交通工具自动变速装置的电子控制器中,都是用白炽灯来指示电源工作状态和故障等。驾驶员难以确定,因为指示灯常因过流而烧坏。因此,必须对灯的输出电流加以控制,一般都采用保护电路进行限流。图１是一种通用的灯过流保护电路,该电路利用浪暗电流通过使用电阻ＲＩ的方法使灯丝的热电阻保持不变。因为白炽灯的特点是灯刚刚点燃时灯丝温度低,灯丝电阻小,灯电流大,可能烧坏晶体管Ｔ,为了保护晶体管Ｔ,在其集电极串联了一个电阻Ｒ２,基极与＋５Ｖ的电源和电子控制器相连接。当电阻Ｒ１＝５６０时,暗电流为１７．６ｍＡ,使灯…     

2～18GHz超宽带射频放大器

采用分布电路原理、ＣＡＤ技术和微带电路技术，制作出多倍频程超宽带放大器。其主要技术参数为，ｆ＝２～１８ＧＨｚ，Ｇ＿ｐ≥３０ｄＢ，△Ｇ＿ｐ≤±３ｄＢ，Ｆ＿ｎ≤７ｄＢｍ，Ｐ＿（－１）≥＋１０ｄＢ，ＶＳＷＲ≤２．５：１。     

新型陶瓷刀具材料JX－2－I界面结构的实验研究

利用ＴＥＭ和电子衍射图谱分析，研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的界面微观结构。ＴＥＭ分析表明，ＪＸ－２－Ｉ刀具材料的界面结合状态较好，Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ界面上形成了具有较高强度的“钢筋混凝土”结构，在Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ界面上没有剧烈的化学反应发生；通过ＴＥＭ和电子衍射图分析，发现在Ａｌ＿２Ｏ＿３的晶粒边界上有尖晶石（ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４）生成，这有利于控制Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒的长大，提高复合材料的强度。     

用DAC设计数字可编程电流源

ＤＡＣ７６４４（Ｂｕｒｒ－Ｂｒｏｗｎ公司１６位四电压输出Ｄ／Ａ变换器）设计的４～２０ｍＡ数字控制的电流源电路示于图１。ＤＡＣ７６４４提供一差分基准输入以及围绕输出放大器的一开环配置。围绕输出放大器的开环配置允许把晶体管放置在环路中实现一数字可编程的单向电流源。差分基准也可利用于满标和零标电流的编程。ＤＡＣ７６４４的单电源工作连接图示于图２,逻辑真值表见表１。其中ＶＯＵＴＡＳｅｎｓｅ：ＤＡＣＡ输出放大器倒相输入;ＶＯＵＴＡ：ＤＡＣＡ电压输出;ＶＲＥＦＬ　ＡＢＳｅｎｓｅ：ＤＡＣＡ和Ｂ某准低感测输入;…     

InP衬底上的p－沟和n－沟异质结绝缘栅场效应晶体管

在ＩｎＰ衬底上用通常的晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ＞０．５３）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｌ＿０．４８Ａｓ／Ｉｎ＿ｙＧａ＿（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟曾强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖锐，栅二极管开启电压０．９Ｖ，室温时非本征跨导＞２０ｍＳ／ｍｍ。相邻的（互补的）ｎ－小沟ＨＩＧＦＥＴ也显示ｅ型工作（阈值Ｖ＿ｔｈ＝０．１６Ｖ），低的漏电，０．９Ｖ栅开启电压和高跨导（ｇｍ＞３２０ｍＳ／ｍｍ）。这是首次报道在ＩｎＰ衬底上同时制作具有适合作互补电路特性的ｐ＿和ｎ－沟ＨＩＧＦＥＴ。     

DC～1．5GHz GaAs单片集成跨阻放大器

介绍一种采用８个砷化镓ＦＥＴ和７个二极管的单片集成跨阻放大器，其结果良好，频率为ＤＣ～１．５ＧＨｚ，增益Ｇａ≥１８ｄＢ，噪声系数Ｆｎ≤４．３ｄＢ（ｆ＝４００ＭＨｚ，Ｒｓ＝Ｒ＿Ｌ＝５０Ω）。