单分散微米级球形银粉的性能分析

为了分析液相还原法制备的不同粒径的单分散球形银粉的性能,以硝酸银为原料、抗坏血酸为还原剂制备出不同粒径范围的单分散微米级球形银粉,并进行性能分析.结果表明,液相还原单分散微米球形银粉的体电阻率随银粉颗粒平均粒径的增加而降低;振实密度随银粉颗粒平均粒径的增加而增加;银粉的晶粒尺寸随银粉颗粒的增大先减小再增大;烧结活性与银...     

超细镍粉化学气相法制备过程中温度的影响

以NiCl2·6H2O为原料,采用化学气相沉积法制备超细镍粉,就反应温度对产物形貌、粒度等性能的影响进行了详细考察。采用扫描电镜、激光粒度分析、X射线衍射对样品的形貌、粒度、物相等进行了表征。结果表明:温度对颗粒的结晶度和粒径分布有显著影响,采用化学气相沉积法制备的粉末颗粒为纯镍粉,形貌基本为类球形,粒度在亚微米级范围内,结晶度良好。     

亚微米ＢｉＦｅＯ３ 绣球的制备及其光催化性能研究

采用水热合成法制备了一种新颖形貌的ＢｉＦｅＯ３ 亚微米绣球催化剂材料．利用Ｘ射线衍射 （ＸＲＤ）、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、紫外可见漫反射光谱（ＵＶ－ｖｉｓ）和光电流测试等技术分别对 ＢｉＦｅＯ３ 亚微米绣球进行了分析表征．研究了可见光照射下ＢｉＦｅＯ３ 亚微米绣球催化剂材料对亚甲 基蓝染料的降解能力．研究表明：ＢｉＦｅＯ３ 亚微米绣球催化剂的光响应范围在可见光区域,催化活性 较好,Ｈ２Ｏ２ 的加入可大大提高其催化性能．     

低温烧结SiC基陶瓷制造技术

众所周知SiC共价键极强及扩散率很低,其烧结致密很难,必须借助添加剂才能在较低温度（约为1800℃）烧制高密度SiC陶瓷．西安工业大学采用Sol—Gel法包裹亚微米级SiC颗粒的形式加入各种添加剂,     

硅碳直接反应法制备超细β-SiC粉

采用碳纳米管（CNTs）为碳源,硅粉为硅源,通过煅烧,制备出了纳米到亚微米级的超细碳化硅（SiC）粉体,研究了1 300 ℃、1 400 ℃、1 500 ℃三个不同的反应温度对于SiC粉体粒度的影响,讨论了SiC颗粒形成的反应机理. 表征结果显示,制备的粉体物相均为β-SiC,随着反应温度的升高,粉体粒径增大. Nicomp多波形粒径分布显示,在1 300℃条件下制备的超细SiC粉体中96.4%的颗粒粒径为95.9 nm. 通过分析,推测超细SiC粉的形成机理为:反应物中存在的杂质镍与硅粉在高温下形成共熔液滴,碳纳米管进入液滴反应生成SiC晶核,进而析出晶体,晶体在高温条件下不断长大,形成超细SiC粉. 碳硅直接反应法相对简单、成本低,适合大规模制备纳米及亚微米级碳化硅粉体.     

均分散胶体的研究──9微分隔区法制备碳酸钙均分散颗粒

在微分隔区内可形成均分散颗粒的观点指导下，设计了在胶束溶液中制备尺寸为微米级的ＣａＣＯ３均分散颗粒的新方法。探讨了表面活性剂浓度及金属离子浓度对沉淀形貌的影响，并给出方形及球形均分散颗粒的分布函数。     

亚微米级球形银钯合金粉末的制备

系统研究了以抗坏血酸为还原剂制备亚微米级球形单分散银钯合金粉的工艺.发现分散剂浓度和体系pH值对银钯粉的尺寸形貌影响很大.当pH为2时,银钯离子电位差为零,可同时被还原,所得颗粒均匀,合金化程度最高.随着分散剂浓度降低,颗粒间空间位阻减小,颗粒尺寸增大,团聚加剧.在pH为2时,分散剂和氧化剂质量比为0.1∶1条件下得到的粉体,经过500℃煅烧,制得的颗粒呈球型,表面光滑,分散性好,平均粒径为300～600 nm,且具有较高的合金化程度.     

人工心瓣含硅低温热解炭涂层热处理分析

采用化学气相沉积法制备人工心瓣含硅低温热解炭涂层,并进行热处理。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、纳米压痕仪、热膨胀仪研究了热处理对涂层微观结构和性能的影响。结果表明,涂层包含热解炭（乱层石墨结构）与β－SiC两种物相,热处理后热解炭微晶层间距减小,表明石墨化程度提高,同时β－SiC微晶与热解炭微晶尺寸增大。电镜下材料主要由类球形颗粒组成,颗粒之间存在微米级孔隙,热处理后材料孔隙结构发生变化,大孔隙减少,孔隙分布更加均匀。热处理后材料纳米硬度明显减小,热膨胀系数略增大,微观结构的变化是导致材料性能改变的主要原因。     

Al2O3／SiC（p）复合陶瓷力学性能研究

利用压痕强度技术系统研究了引入纳米、亚微米和微米粒径的ＳｉＣ颗粒对Ａｌ２Ｏ３陶瓷力学性能的影响．实验结果表明，微米级ＳｉＣ颗粒具有相对较好的增韧作用，纳米级ＳｉＣ颗粒具有相对较好的增强作用．复合陶瓷试样的断裂韧性受残余热应力和裂纹偏折作用共同影响．ＳｉＣ颗粒引入可以改善复合陶瓷表面抛光质量，减小缺陷尺寸，从而提高了试样的强度．     

油酸钠为稳定剂合成CdS（CdSe）纳米粒子及表征

针对CdS（CdSe）等半导体纳米粒子制备过程中使用的有机溶剂难回收、成本高、难以实现工业化等问题,以油酸钠为稳定剂,乙醇为溶剂,乙酸镉和硫脲（或硒氢化钠）为前驱物,制备了CdS和CdSe纳米粒子.采用紫外-可见吸收光谱、荧光光谱、广角x射线衍射和透射电子显微分析等方法,对CdS和CdSe纳米粒子的光学性质、晶体结构、形貌及尺寸等进行了表征.结果表明,当以油酸钠为稳定剂,乙醇为溶剂时,通过控制一定的前驱物浓度、反应温度和反应时间,在温和的反应条件下,可以得到尺寸分布均匀的CdS和CdSe纳米粒子,从而为在环境友好条件下合成CdS和CdSe半导体纳米粒子提供了一种新途径.     

溶剂热法制备室温铁磁性Cr掺杂CdS纳米棒

以硫粉（S）、氧化镉（CdO）和六水氯化铬（CrCl3·6H2O）为原料,用溶剂热法成功地合成了增强铁磁性能铬掺杂CdS纳米棒．X射线衍射（XRD）测试表明Cr掺杂CdS纳米棒为纤锌矿结构．透射电镜（TEM）表征不同Cr掺杂CdS的形貌为纳米棒,纳米棒长为200～300nm,直径为50～70nm．电子能量散射谱（EDS）表明产物由Cr、Cd、S三种元素组成．振动样品磁强计（VSM）测试表明未掺杂的CdS为弱铁磁性,然而Cr掺杂CdS为强铁磁性,Cr掺杂量在x=0．0000到x=0．0727范围内,饱和磁化强度随掺杂量的增加而增加,Cd1-xCrxS（x=0．0727）纳米棒的饱和磁化强度为8．884（10emu／g）．     

硫化镉纳米粒子的制备及其荧光性质研究

采用溶胶凝胶法,以硫脲作为修饰剂,制备了硫化镉(CdS)纳米粒子.X射线衍射谱表明,产物为立方闪锌矿晶型CdS纳米粒子,其晶粒平均大小为4.38 nm.红外和紫外可见光光谱显示,产物表面吸附有硫脲分子,而且在235 nm处有很强的吸收峰.CdS的荧光光谱显示,样品A在409 nm和520 nm处有2个发射峰,分别对应于激子和缺陷发射;样品B在409 nm处有激子发射峰,而没有缺陷发射峰,这表明表面缺陷基本消失,说明增加硫脲的用量可以很好地修饰CdS纳米粒子的表面.     

Mn掺杂CdS量子点的微波水相合成

利用微波辐射促进离子扩散的方法,大大降低Mn2+扩散所需温度,在水相中成功制备出CdS Mn量子点.该量子点具有立方闪锌矿结构,荧光发射峰波长可以在530～660 nm之间连续调节,荧光量子产率高达50%,并且具有良好的光稳定性.这种方法可以为其他掺杂量子点的水相合成提供参考.     

CdS电子结构和光学性质的研究

理论计算CdS晶格常数为0．5832nm与实验值0．5818nm比较,误差小于1％．理论预测CdS是一种直接宽禁带半导体材料,导带底和价带顶都位于布里渊区中心G点处,直接带隙为1．25eV,比实验值2．42eV小,这是由于密度泛函理论框架决定的．CdS的下价带主要由Cd的4d电子贡献,上价带主要由S的3p电子形成,CdS的导带主要来源于Cd的5S电子和S的3P电子的贡献．CdS晶体中Cd原子失去电子,为电子的给予体,S原子得到电子,是电子受主,且Cd--S键是共价键．Cd—S距离为2．52533A,与实验值0．253nm相比更加精确．其介电函数虚部与吸收光谱以及介电函数实部与折射率的峰值位置十分接近,说明它们之间存在内在联系,都与电子态密度分布直接相关．     

Mn^2＋和Ce^3＋共掺杂的CdS量子点制备及其光谱研究

采用低温水热技术,以硫脲为稳定剂,在90℃的水相中合成了发蓝色荧光的Mn^2＋和Ce^3＋共掺杂的CdS体量子点。用透射电子显微镜对该量子点形貌进行了表征,其直径约为10 nm的球形颗粒。研究了该量子点的紫外-可见吸收光谱、荧光发射光谱以及荧光光谱随时间的变化。结果表明,Mn^2＋和Ce^3＋共掺杂使CdS量子点的发光强度提高10倍;该量子点具有较好的发光稳定性。     

纳米硫化镉的原位高压阻抗谱研究

利用在金刚石对顶砧上集成微电路,在0～25 GPa内原位测量了平均尺寸为100 nm的硫化镉的阻抗谱.研究表明:阻抗谱在压力下的改变对应着纤锌矿到岩盐矿的相变;在高压力作用下,晶界的散射作用变弱并导致晶界电阻下降.     

热电池用NiS_2的水热合成及放电性能

以EDTA-2Na为螯合剂,NiCl2·6H2O和Na2S2O3·5H2O为反应物,在不同pH下,水热合成不同形貌的NiS2。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、激光粒度分布仪、全自动微机差热仪对NiS2进行表征。在不同条件下对LiSi/NiS2体系单体电池进行了放电测试。结果表明,在酸性条件(pH=1、4)下产物形貌均为近立方体型,中性条件(pH=7)下产物均为球形,在碱性条件(pH=9、11)产物呈片状。颗粒尺寸随pH增加先增大后减小,NiS2最高分解温度比FeS2高60℃,近立方体型NiS2的放电性能最好。NiS2锂化后有效消除了电压尖峰,提高了放电电压的稳定性。     

电化学沉积CdS薄膜及其在CZTS薄膜太阳能电池中的应用

采用硫代硫酸钠、硫酸镉,配以有机酸NTA调节溶液pH值,首次在碱性环境中电沉积制备CdS薄膜,并将其应用到Cu2ZnSnS4（CZTS）薄膜太阳能电池中作为缓冲层．实验探讨了pH值、溶液浓度、沉积电位对薄膜晶体结构、形貌、界面等微观结构以及光学特性的影响、在pH值为9．36、Cd2＋浓度为0．025mol／L、沉积电位为-1．7V时,获得了表面均匀致密而无针孔、近化学计量原子比、禁带宽度为2．4eV的CdS薄膜,将其应用于CZTS薄膜太阳能电池中,所制备的缓冲层CdS薄膜展现了与CZTS薄膜良好的匹配性,CZTS／CdS的P—n结质量得到改善．     

CdS量子点修饰TiO2纳米管及光解水产氢性能研究

二氧化钛（TiO₂）是一种传统的光催化剂材料,但由于其自身带隙宽(3.2 eV)及光生载流子易复合,往往需要通过贵金属或过渡金属掺杂、阴离子掺杂、构建异质结等手段增强其对太阳光的有效吸收,促使光生载流子分离并抑制其复合。采用两步法构建TiO₂/CdS异质结,首先通过多重电压阳极氧化法制备结构化的TiO₂纳米管阵列,再以TiO₂纳米管为基底,通过化学浴沉积法在TiO₂纳米管管壁内外均匀生长CdS量子点。通过X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外?可见光谱(UV?VIS)对TiO₂/CdS异质结组成、形貌和光学性质进行了表征。结果表明,构建的TiO₂?CdS异质结有效抑制光生载流子复合,促进激发电子的转移,提高光催化产氢效率;样品TiO₂(1.0)?CdS(1.0)产氢效率达到1.30 mmol/（g?h）,是CdS量子点的1.67倍。最后,基于实验分析提出了可见光光解水制氢过程中光生电子在TiO₂?CdS上的转移机制。