退火温度对铁基纳米晶带材伏安特性的影响

采用不同的退火温度,在氩气保护下对制备的铁基纳米晶磁芯标样进行无磁场退火处理,用HD-1型伏安特性测试仪测试处理后的样品的伏安特性,并换算出磁导率,分析退火温度对铁基纳米晶带材伏安特性的影响。结果表明,退火温度对纳米晶带材伏安特性影响很大,535~555℃退火温度处理的样品性能较好。在任一磁场下,545℃退火纳米晶磁芯的磁导率均高于其它退火样品。其起始点、拐点、饱和点三点处的磁导率分别为μi=219 000、μm=668 000、μs=412 000,得出545℃是铁基纳米晶带材伏安特性达到最佳的退火温度。     

铁基纳米晶软磁材料的温度特性

快淬技术制备的铁基纳米晶合金材料组织特征为由晶粒尺寸为十几nm的α-Fe(Si)固溶主相和剩余非晶相所组成的双相组织,处于热力学亚稳定态,用其制成的磁性器件的温度特性问题备受元器件用户的关注.研究了铁基纳米晶变压器铁心的高频损耗Pcm伽和幅值磁导率μa以及磁粉心的电感性能在一定温度范围内随温度的变化情况,结果表明铁基纳米晶合金系列铁心在-55～150℃温度范围内具有良好的温度稳定性.     

铁基软磁合金薄带高频磁导率测量方法研究

给出一种铁基软磁合金薄带高频磁导率的测量方法,详细介绍了该方法的测量原理,并利用Agilent E4991A射频阻抗/材料分析仪研究了退火温度对20μm厚铁基软磁合金薄带高频磁导率的影响。结果表明,随退火温度的提高,磁导率实部单调提高,磁导率虚部则是先升高后降低。尤其是在550℃下退火,在1MHz和10MHz下样品磁导率实部分别为2210和330;比较了不同温度退火样品的磁导率的测量结果,得知550℃是一个比较理想的退火温度。研究结果对以铁基非晶、纳米晶软磁合金薄带为磁心的高频微电感、微变压器等磁性器件的设计具有重要的指导意义。     

铁基纳米晶软磁合金的研究现状

纳米晶软磁合金具有较高饱和磁感应强度、高磁导率、低高频损耗等特点.对牌号为Finemet、Nanoperm和Hitperm等三类铁基纳米晶软磁合金进行了分类综述,分别介绍了各类合金的成分、性能、显微组织结构特点以及应用范围,并对它们的非晶晶化过程机理以及影响合金软磁性能的因素进行了简要讨论.     

热处理工艺对KHP—2坡莫合金磁导率的影响

研究了热处理工艺对ＫＨＰ－２坡莫合金磁导率的影响，获得适用于磁头生产的热处理工艺，对影响磁导率的机理进行了探讨。     

Mn对FeCuSiBNb纳米晶合金的高频磁特性和微观结构的影响

通过差示扫描量热仪（DSC）、X射线衍射仪（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、磁光克尔显微镜（MOKE）、直流B-H仪和阻抗分析仪等手段研究了Mn元素对FeCuSiBNb合金的热稳定性、高频磁性能、微观结构和磁畴的影响。结果表明：Mn元素对合金的第一与第二晶化温度区间和矫顽力的影响非常小,但可提高合金的高频磁导率和适用退火温度区间。与无Mn合金相比,Mn掺杂合金在10 kHz下磁导率可提高36.5%,且可抑制Fe₃B相的析出。这种良好的高频特性可归因于Mn元素的掺杂降低了纳米晶合金的平均晶粒尺寸,改善了磁畴结构的均匀度,从而降低了钉扎场。     

铁基超微晶薄带的新进展及其应用

本文简要叙述了国内外高频铁基超微晶薄带的发展近况,重点介绍了铁基纳米微晶(nano)材料的磁特性及其在电力电子工业中的应用。     

FeZrNbBCu非晶和纳米晶合金高温磁性能研究

利用单辊熔淬法制备了FeZrNbBCu非晶薄带,然后通过非晶晶化方法得到纳米晶合金.研究了FeZrNbBCu非晶和纳米晶合金的磁性能与温度的关系.非晶态合金晶化升温过程中磁导率~温度曲线中出现了一个Hopkinson峰,而在晶化后的样品中没有出现,并根据各向异性的变化和磁化强度与温度的关系进行了合理的解释.对于非晶样品和晶相体积分数小的合金样品,当温度接近残余非晶居里温度时,磁导率急剧减小;而对于非晶相含量很少的样品,其磁导率随温度升高而缓慢下降,根据双相合金中交换作用模型进行了解释.     

B含量对FeSiBMoCrCuP系铁基纳米晶合金结构和软磁性能的影响

用单辊甩带机在大气环境下制备了Fe81-xSi13BxMo2Cr1Cu1P2(x=8.6~9.6)非晶合金带材。结果表明,对于淬态材料,当x9.5时,XRD谱中除了一个宽的漫散射峰外,还有少量的晶体衍射峰,当x≥9.5时,XRD谱只呈现了宽的漫散射峰,表明合金为非晶态。经过520℃×30min退火后,纳米晶合金的XRD谱中主要出现α-Fe(Si)相的晶体衍射峰,仅在x=8.6的样品中还出现了FeSi相的衍射峰。由DTA图谱可知,样品的一次晶化峰起始温度Tx1随B含量的增大而降低,同时第一、二次晶化峰起始温度的温差ΔTx随B含量的增加而略有减小。磁性能检测结果显示,退火后合金的起始磁导率随B含量的增加而增大,B含量为9.5和9.6的样品表现出了优异的软磁性能。     

基于Fe基合金薄带巨磁阻抗效应的新型磁敏传感器

利用Fe基合金薄带的巨磁阻抗效应和LC谐振回路特性,研制了一款新型巨磁阻抗磁敏传感器.文中介绍了Fe基合金薄带的巨磁阻抗特性、传感器的电路设计和实验数据分析.实验结果表明,该传感器具有重复性好(最大偏差为0.32%)、几乎无迟滞(最大偏差为0.19%)、线性度好(最大偏差为1.04%)且线性测量范围广(464.86~1488.52 A/m)等优点,在磁场检测和位移测量领域具有广泛的应用前景.     

横向磁场热处理对高饱和磁感应强度Fe基非晶磁性能的影响

用真空感应炉在氩气保护下熔炼成母合金,再采用单辊快淬法制备成分为Fe63Co21Si2B14的非晶合金薄带,卷绕成铁芯后在不同温度下进行横向磁场热处理.研究了磁场热处理对合金磁性能的影响.结果表明,该Fe基非晶合金对磁场热处理非常敏感,通过简单的横向磁场热处理,合金可以获得良好的恒导磁性能,其Bs值可达1.73T.合金在360℃处理时,恒导磁范围达到240 A/m,恒磁导率约为2600,并且具有良好的综合磁特性.在晶化温度以下,提高热处理温度有利于提高材料的恒导磁性能.     

回线偏移型钴基非晶带热磁处理中微结构的变化

钴基非晶薄带经热磁处理后,磁滞回线呈不对称特性,这种特性可以在室温下获得.我们前期的研究工作着重于该现象的实验观测和简单的唯象解释.本文通过XRD、HRTEM等测试手段研究了热磁处理过程中薄带微结构的变化.研究了不同热处理条件对钴基非晶薄带磁滞回线特征的影响,并分析了发生回线偏移行为样品的微结构特征.认识到热磁处理生成...     

纳米晶化处理对抗EMI材料电感特性的影响

解决现代通信和开关模式网络中的电磁干扰是近期国内外关注的焦点,利用磁性材料特别是纳米晶软磁材料研究开发成无源抗EMI器件是解决这一问题的得力途径。但就纳米晶抗EMI材料研究方面,目前存在两个方面的主要问题：第一,非晶丝带纳米晶化后脆化问题;第二,内绝缘层与磁耦合问题,就上述两个问题进行研究。首先对非晶材料进行不同晶化处理工艺,如真空炉退火,快速冷却退火,快速循环退火,使晶粒细化到20－30nm,电感L值有所提高。其次对材料采用不同的内层绝缘材料（如PI＋SiO 铁氧体和PI＋铁氧体）和退火先后涂膜进行对比,最后测试磁芯电感L＝68μH（10kHz),35μH(10MHz)。     

国产P91钢的热处理工艺优化研究

用单因素比较试验法和正交试验法进行国产9Cr-1Mo-V-Nb-N钢管试制品热处理工艺的优化研究,采用2×16个力学性能的多指标综合量化评估法得到优化的热处理工艺参数:正火温度(1055±15)℃,回火温度(765±15)℃。     

触变剂对环氧树脂封装铁基纳米晶磁芯软磁性能的影响

用宽为20 mm、厚为25μm的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶带材绕制成环形磁芯,经550℃×100 min晶化退火处理制成纳米晶磁芯,并对其进行环氧树脂封装,分析了触变剂对磁芯性能的影响。结果表明,与封装前相比,封装后纳米晶磁芯的磁导率μ、饱磁感应强度Bs、磁滞损耗Pu、磁芯电感Ls和感应电动势E随着触变剂含量的减小而减小;而矫顽力Hc和剩磁Br则随着触变剂含量的减小而增大。     

配线网用标准的24芯带纤的分析

:432芯中心管式光缆设计采用标准的 2 4芯带纤 ,提高了光纤在缆内的密度。该新带纤可方便地在端部或中部撕裂为 2个 12芯子光纤带 ,而这 12芯的子光纤带又完全能与现有标准光纤带熔接机相配。使用能持续干净地将 2 4芯带分解为 12芯带的新工具 ,不会使 12芯子带纤散开。对光纤带和光缆进行了全面地认证试验和介绍     

基于钴基非晶带GMI效应的闭环磁场传感器设计

利用钴基非晶带作为敏感元件,研制出一种基于非晶带GMI效应的磁场传感器。分析了传感器的工作原理,设计了该传感器的信号处理以及负反馈电路。通过负反馈方法组成闭环系统,提高了传感器的测量范围、线性度等性能。对传感器性能进行了测试,实验结果表明:在-260~+260 A/m磁场范围内,传感器线性度为0.57%,灵敏度为3.23m V/A·m-1,满量程输出1.68V。本传感器可应用于地球磁场、环境磁场等微弱磁场检测领域。