La、Co取代对M型锶铁氧体结构和磁性能的影响

采用陶瓷法制备了La、Co取代的M型锶铁氧体Sr1-xLaxFe12-xCoxO19(x=0.05~0.20)。用X射线衍射仪、振动样品磁强计和永磁材料测量仪对粉末样品的结构与磁学性能进行了观测。系统地研究了La、Co取代对M型锶铁氧体结构和磁性能的影响。实验结果表明,随着替代量x的增大,内禀矫顽力Hcj增大,而比饱和磁化强度σs和剩磁Br先增大后减小。La、Co部分取代能明显改善M型锶铁氧体的内禀磁性。     

快淬Sm-Co合金的结构和磁性能

Sm-Co磁体由于其高的内禀矫顽力HcJ和高Tc近年来重新成为人们的热点。通过快淬法可以制得具有纳米结构的Sm-Co合金，快淬合金具有高的剩磁比（MR/Ms)等优点。本文对快淬Sm-Co合金的相结构，各向异性以及快淬速度，退火工艺和合金元素对磁性能的影响及合金的温度稳定性作较为全面的概述，介绍了快淬Sm-Co合金的研究进展情况。     

厚度对磁控溅射CoPt永磁薄膜磁性能的影响

CoPt永磁薄膜有较高的剩磁和矫顽力,通常用作磁传感器中的磁偏置或者微机电系统(MEMS)中的磁制动部件。CoPt薄膜多采用磁控溅射或离子束沉积工艺制备。采用磁控溅射制备了不同厚度CoPt/Cr薄膜。结果显示,CoPt薄膜矫顽力随薄膜厚度增加而降低;薄膜较厚时(大于400?),剩磁随薄膜的厚度增加而降低。这主要是因为CoPt薄膜具有密集六方结构,其自然生长为(002)面,具有垂直各向异性。由于Cr缓冲层存在,CoPt薄膜较薄时沿(1010)面生长,从而具有面内各向异性;但随薄膜厚度的增加,薄膜会沿(002)生长从而具有垂直各向异性,导致薄膜磁性能降低。     

Co2Z软磁铁氧体薄膜的磁性能

首先用球磨法制备了BaxCo2Fe24O41铁氧体粉料,烧结后制得块体材料,然后以其为靶材,用射频磁控溅射的方法在单晶硅基片上制备了膜厚为100nm的铁氧体薄膜.实验表明,沉积态的薄膜为非晶态结构,经过高温热处理后形成了较好的磁铅石结构.研究了成分、热处理温度、氧分压对薄膜结构和磁性能的影响.通过对热处理温度和氧分压的...     

Co掺杂对CeO2显微结构及磁性能的影响

近年来宽禁带稀磁性氧化物半导体由于其高的居里温度在自旋电子学领域受到广泛的关注.用固相反应法制备Co掺杂的CeO2稀磁性氧化物半导体,研究了Co掺杂对其显微形貌及磁性能的影响.结果表明,1300℃烧结的样品结晶形态明显,晶粒较大,结构致密,密度最高;掺杂Co的CeO2样品都具有很好的室温铁磁性,且饱和磁化强度Ms随Co浓度的增加先增大后减小;1300℃烧结、掺3at%Co的Ce0.97Co0.03O2具有最强的室温铁磁性(0.23μB/Co).     

Cu和Cr缓冲层对SmCo_5薄膜微观结构和磁性能的影响

利用新型AE(Advanced Energy)脉冲电源采取共溅射的方式在Si片上制备不同结构的Cr/SmCo_5/Cr和Cu/SmCo_5/Cr薄膜,并分别研究Cu和Cr缓冲层对SmCo_5薄膜磁性能和微观结构的影响。以Cu作为缓冲层时,在优于2×10―5Pa的真空环境下通过对样品在650℃退火60min,可以获得较良好的硬磁性能,垂直膜面的矫顽力可以达到1308Oe。以Cr作为缓冲层时,在低于2×10~(-5)Pa的真空环境中,且在650℃退火60min便制备出样品。随后分别改变Cr缓冲层的厚度和SmCo_5的厚度并观察其对Cr/SmCo_5/Cr的磁性能的影响。     

磁场对水热生长Cu/Co双金属体系的影响

在外加磁场作用下,采用水热工艺,利用水合肼作还原荆,还原氯化铜(CuCl2·2H2O)和氯化钴(COCl2·6H2O)制得纳米级的Cu/Co双金属混合物.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)对所得粒子的结构、形貌和磁性能进行了初步研究.结果表明,在水热反应过程中引入外磁场,不仅对...     

等量La-Zn替代对锶铁氧体结构和磁性能的影响

采用陶瓷工艺制备了La、Zn替代的Sr1-xLaxFe12-xZnxO19 (x=0,0.05,0.1,0.15,0.2,0.25)锶铁氧体,分析了La3+,Zn2+共同取代对锶铁氧体结构和磁性能的影响.X射线衍射分析表明,随着La3+、Zn2+离子替代量的增加,锶铁氧体主体仍为六角晶结构.通过扫描电镜对样品的形貌结构...     

预烧温度对MnZn功率铁氧体显微结构及磁性能的影响

采用传统氧化物陶瓷工艺制备Mn_(0.777)Zn_(0.133)Fe_(2.09)O_4铁氧体材料,研究了预烧温度对材料微结构和磁性能的影响。结果表明,随着预烧温度的升高,材料的密度(d)、起始磁导率(μi)和饱和磁感应强度(Bs)均先升高后降低,材料的损耗(Pcv)先降低后升高。当预烧温度为910℃时,材料具有最大的烧结密度、饱和磁感应强度、起始磁导率以及最小的磁芯损耗。     

磁控溅射Fe/Bi_(0.8)La_(0.2)FeO_3薄膜的交换偏置特性

利用磁控溅射法在单晶Sr Ti O3(001)基片上外延生长多铁Bi0.8La0.2Fe O3(BLFO)薄膜,研究了Fe/BLFO双层膜平面内的交换偏置和矫顽力特性受单层Fe膜厚度的影响。研究表明,在所研究的温度范围内,BLFO薄膜具有纯钙钛矿结构的单向(001)特性,基片温度为680℃时沉积的薄膜具有优异的生长取向。随Fe层厚度的增加,薄膜的偏置场平缓增大,在Fe层厚度为10 nm时具有最大值32 Oe,继续增加Fe层厚度,其交换偏置场迅速减小,然而矫顽力随Fe层的增厚持续增大。交换偏置场随Fe层厚度的变化规律可能与磁畴结构的变化有关。     

Bi/Pt底层对Co/Ni多层膜反常霍尔效应的影响

采用直流磁控溅射法在玻璃基片上制备了一系列分别以Pt和Bi/Pt为底层的Co/Ni多层膜样品。通过研究Bi的厚度、周期层数、周期层中的Co和Ni的厚度以及退火温度对样品反常霍尔效应的影响,最终获得了霍尔效应最强、良好的霍尔曲线矩形度,同时具有良好的垂直各向异性的最佳样品Bi(1nm)/Pt(5nm)/[Co(0.3nm)Ni(0.5nm)]1/Co(0.3nm)/Pt(1nm)。实验表明,退火处理有利于增强反常霍尔效应。     

回火处理对烧结Nd-Fe-B磁体结构与磁性能的影响

应用常规粉末冶金工艺制备(Pr-Nd)32Dy0.60FebalNb0.75Cu0.20Al0.55B1.15烧结磁体,分析了回火处理对磁体显微组织、取向度、磁性能的影响.结果表明,回火处理之后,显微组织中富Nd相分布较为均匀,不存在薄层状富Nd相的晶粒边界数量减少,同时富B相数量增加,磁体取向度稍有提高,磁体内禀矫顽...     

添加Co_2O_3对NiCuZn铁氧体磁性能的影响

采用传统氧化物陶瓷工艺制备NiCuZn铁氧体。利用扫描电子显微镜、阻抗分析仪、磁滞回线分析仪,分别对样品的微观形貌、复数磁导率频谱、静磁性能和高频功耗进行了观察和测试。结果表明,在0~0.12wt%的范围内,随Co2O3添加量的增大,样品的平均晶粒尺寸略有减小,起始磁导率逐渐下降,截止频率逐渐升高。在3MHz、10m T、25~140℃条件下,随着Co2O3添加量的增加,由于截止频率逐渐升高,磁导率虚部在高频下得到抑制,剩余损耗降低,导致磁芯功率损耗单调减小。     

渗Dy处理对烧结NdFeB磁体结构与磁性能的影响

在工业生产线上制备35H、40H烧结钕铁硼磁体,应用DyF_3粉末作为镝源,进行渗镝处理试验。应用比较高的渗镝处理温度、比较长的渗镝处理时间有利于提高渗镝处理磁体的内禀矫顽力;在一定的渗镝处理温度和时间条件下,随着磁体厚度减小,渗镝处理磁体的内禀矫顽力明显提高。在1218 K保持2 h而进行渗镝处理,3.0 mm厚度40H磁体的内禀矫顽力上升幅度达到406.7 kA/m,其剩磁下降0.0187 T;而3.0 mm厚度35H磁体的内禀矫顽力上升363.8 kA/m,其剩磁下降幅度为0.0198 T。SEM与EDAX分析结果表明,Dy元素扩散进入富稀土晶界相中,并存在于主相晶粒表面区域,从而使渗镝处理磁体内禀矫顽力大幅度上升,同时其剩磁仅略微下降。     

HDDR Nd2Fe14B磁粉微结构和磁性能研究

采用未经均匀化热处理的SC(Strip casting)合金铸片为原料制备HDDR磁粉,着重研究了HDDR工艺的歧化阶段和缓慢脱氢阶段的氢气压强对Nd2Fe4B磁粉微结构和磁性能的影响.研究表明:合适的歧化压强(Pd)和缓慢脱氢压强(Psd)不仅有利于磁粉各向异性的获得,同时也有利于磁粉微结构的优化和磁性能的改善.磁粉...