Cu Cr Ta触头材料的开断性能分析

文章介绍了真空灭弧室触头材料的发展方向和正在开发的Cu Cr Ta触头材料的金相结构和性能分析。对Cu Cr Ta触头材料与Cu W Al Fe、Cu Cr50触头材料进行了对比开断试验。从对比开断试验结果说明Cu Cr Ta触头材料能提高现有Cu W Al Fe和Cu Cr50触头材料的1.28-1.51倍。     

电弧停滞现象对低压开关电器分断的影响

电弧停滞现象是低压开关电器开断过程中的一个重要现象.电弧停滞时间的长短对低压开关电器的开断性能和限流性能有很大的影响,而电弧停滞时间本身受触头区域的磁场、触头开断速度、触头材料、灭弧室结构与器壁材料、触头形状和表面情况等因素的影响.     

电触头材料的制造方法(Ag-WC-石墨系)

银-碳化钨电触头是用粉末冶金法制造成份为银40-70％,碳化钨余量,因为碳化钨比钨难氧化,比银-钨触头接触电阻增加少,而且分断特性好,温升低,广泛应用于大电流分断配电线路的断路器中。但是银-碳化钨触头材料,由于在通断时发生电弧,产生了钨的氧化物,难免使接触电     

近期国内外真空灭弧室的发展动向

三、触头材料的开发真空开关对触头材料具有一定的要求,但对不同用途的真空开关其要求则各有侧重。归纳起来主要有下列几个方面:(1)开断能力;(2)抗熔焊性能;(3)截流水平;(4)耐电压强度。 1.开断能力到目前为止CuCr合金是开断性能较大,适合作真空断路器的触头材料。为了进一     

触头结构对真空灭弧室开断能力影响的试验研究

<正> 真空断路器的灭弧室外形结构,几乎已典型化,而灭弧室中触头的几何形状及触头材料,则相差很大。近几年来,由于触头几何形状设计改变,开断电流有了较大的突破,在实验室中开断能力已达到200kA以上。为了研究触头结构对真空灭弧室的开断能力的影响,我们对几种不同触头结构的真空灭弧室的开断能力,进行了试验研     

低截流值真空开关触头材料

触头是真空开关的关键部件,它直接影响真空开关的各种性能。当前,真空开关触头材料的主要发展趋势是在发展高耐压大开断容量触头的同时,积极研究具有较大开断能力和较高耐压水平的低截流值触头材料,以满足一些特殊电路(如存在感应电动机和     

铜钨电触头用钨粉技术条件(专标)编制说明

一、编制目的我国的铜钨电触头生产已有较长的历史了,它广泛用于大容量油、空气及SF_6断路器上。但仍存在些质量问题,成品率也不高,且最大开断能力亦尚不及国外水平(如220KV级我国铜钨触头最大开断能力为50～63KA,西德DODUCO公司为80～120KA)。除了制造工艺与工装条件的影响外,应该说,没有寻找到最满足铜钨触头性能要求的钨粉是     

高压断路器的触头元件新工艺

触头元器件产品质量的优劣,对于高压断路器来说是至关重要的。随着高压断路器容量不断提高,其中触头元器件用原来铜钨混合粉经压制、烧结、复压工艺已不能满足开断容量的需要,往往表现为烧损严重,飞溅物多,甚至开不断等故障。     

新型真空开关触头材制的特性研究

0引言 真空开关的性能与触头材料密切相关，任何一次触头材料的发展都会引起真空开关性能的提高或改善，触头材料开断能力的提高不仅会大大缩小真空灭弧室的尺寸，而且会使真空开关整机的结构隔更加紧凑，节约金属及其他材料，并可以提高真空开关的可靠性。CuCr是目前广泛应用于真空断路器的触头材料，为了提高开断能力，在其中加入高熔点材料钽。     

低压真空电弧分断性能的研究

低压真空电弧由于开距小，真空金属过零后的金属蒸汽扩散主要以触头吸收为主，其开断性能与高压真空电弧有很大差异，对于低压真空断路器，需要对触头材料和开距进行细致考虑方能发挥真空灭弧室开断电流的优势，同时有效地减少截流值。     

电源电压和触点材料对继电器分断时间的影响

为研究电源电压及不同触点材料对继电器分断时间的影响,利用商用继电器和触点模拟实验装置进行了电接触实验.针对触点分断过程中的弹跳现象,在触点分断时定义了几种时间参数,统计分析了它们随电压升高后的变化规律.结果表明,随着电源电压的提高,继电器分断时间显著增长,分断弹跳主要发生在触点分离初期的微间隙,对分断时间影响很小.在本试验条件下,触点材料 AgNi10、Ag和AgSnO2的分断时间差别很小.     

低操作功真空开关触头材料的研究进展

小型化、高容量、智能化是真空开关发展的趋势,这对开关系统的操动机构提出了新的要求,低操作功真空开关应运而生。小型化、高容量、低操作功真空开关的发展很大程度上决定于触头材料性能的不断提高,低工作压力的真空开关要求触头在保证高的开断能力的同时必须具有低的熔焊倾向。笔者在展望低操作功真空开关开发前景的基础上,综述了低操作功真空开关触头材料的研究成果,提出新一代具有极高抗熔焊性能的CuCr系材料是低操作功真空开关触头的发展方向。     

银基触头材料电弧侵蚀特性及裂纹形成机理分析

利用数字显示时间继电器、交流接触器、断路器以及电阻性负载设计了一个简易的触头材料实验电路。用该实验电路对五种银基触头材料AgCdO(12)，Ag(Sn，m)O，AgZnO(10)，AgNi(10)，AgC(5)根据不同的开断电流、开断次数、闭合压力和配对方式进行了电弧侵蚀实验。根据实验结果得到了一些有实际意义的电弧侵蚀特性曲线。然后根据不同的开断电流及闭合压力对裂纹形貌进行了分析研究。最后，基于数学分析给出了用于判定出现滑移裂纹和热应力裂纹的理论判据。     

基于触头分断/闭合电流波形的电寿命预测

针对触头材料的寿命预测主要基于磨损量和电流的关系,提出一种新的触头材料电寿命诊断预测方法,即通过分合电路操作过程中的电弧电流的时序特征变化来预测剩余寿命.对AgSnO2,AgNi10,AgNi0.15三种触头材料进行了寿命试验,采样了电流、电压信号并分析了分断燃弧时间、接触电阻等参数.     

纳米CuCr50触头材料电弧侵蚀特性

近年来,纳米CuCr触头材料在截流水平、耐压能力等方面的表现优于微晶CuCr触头材料。笔者利用真空触点模拟装置和基于虚拟仪器的电器电寿命测试系统,研究了直流低电压、小电流下的纳米CuCr50触头材料的电弧侵蚀量与分断燃弧时间和触头表面形貌之间的关系,同时采用两种微晶CuCr50触头材料作为对比。利用电光分析天平纳米CuCr50触头材料的侵蚀量,利用电子扫描显微镜测量触头表面形貌。结果表明:纳米CuCr50触头材料的平均分断燃弧时间和侵蚀量均高于两种微晶CuCr50触头材料。纳米CuCr50触头表面Cr颗粒细化及均匀分布,有利于分散电弧。纳米CuCr50阴极触头表面电弧烧蚀比较均匀,而两种微晶CuCr50触头阴极表面电弧局部烧蚀严重,出现明显的凹坑侵蚀。     

塑壳断路器分断角速度非接触式检测方法及其应用

提出了一种基于激光位移传感器非接触式测量塑壳断路器分断过程中动触头角位移、角速度的方法。首先建立一个以动触头杠转动支点为顶点,动触头杠闭合和分断状态所在位置为边的三角形;其次,通过激光位移传感器测量触头分断过程中的直线位移和直线速度,最后,利用所建立的三角形,基于余弦定理将直线位移和直线速度,转换成角位移角速度,实现了对塑壳断路器分断过程中转动变量的无损测量。基于本文所提出的方法,分别测量了NM1-630S-3300额定10A、16A、25A断路器在12倍额定电流下触头的分断的角位移、角速度及分断时间,可以发现不同分断容量断路器,分断角速度与分断时间均不同。容量较大时,触头转动的平均角速度较高。碰撞的角速度增大时,电弧的燃烧时间减小。通过研究断路器分断过程的动态特性,可以从试验的角度研究断路器分断性能,为断路器的优化设计提供评判依据。     

交流接触器触头材料电性能的分析

电触头的性能直接影响着接触器的可靠运行。利用电接触触头材料综合参数测试仪对交流接触器触头材料的性能进行测试。通过试验架台模拟触头在闭合、开启过程中触头的动态变化,得到了打开、闭合时的燃弧能量、时间曲线,接触电阻、弹跳次数和熔焊力曲线。通过试验确定各种因素对交流接触器触头材料性能的影响。     

电磁式接触器智能控制模块设计及试验

电磁式接触器智能控制模块是通过微处理器对电磁式接触器的吸合、吸持、分断全过程进行动态控制,从而大大提高了接触器的性能指标。本文以CJ20-40的电磁式接触器作为试品,在智能控制模块的配合下,进行一系列的相关试验。     

双断点塑壳断路器触头终压力设计

新一代塑壳断路器（MCCB）采用电动斥力型旋转双断点触头结构,较传统单断点MCCB有更高的限流性能和分断能力。针对旋转双断点MCCB的结构特点,采用仿真与试验相结合的方法对MCCB触头终压力进行了设计与分析。利用有限元法与解析法分别计算触头洛伦兹力和霍尔姆力,获得触头所受电动斥力。基于触头电动斥力的计算,实现触头终压力的初步设计,并通过热一电耦合分析计算MCCB的稳态温升,对预设的触头终压力进行校核。     

新型真空灭弧室1/3匝线圈纵磁触头三维磁场仿真

设计了一种新型真空灭弧室线圈式纵向磁场触头结构,这种不对称式结构中,静触头具有两层以串联方式相连接的线圈,而动触头侧无任何线圈,使动触头结构大为简化,机械强度得以加强,而动触头质量的减轻将有利于触头开断速度的提高。利用有限元方法建立三维结构模型并仿真,在电流分别处于峰值和电流过零时,得出静触头表面、触头间隙中心平面和动触头表面上的纵向磁场分布以及纵向磁场的滞后时间。仿真结果表明,该不对称式触头结构具有较强的纵向磁场,电流过零后的剩余磁场小、滞后时间短,且导电回路电阻较小。