固态薄膜可重编程的模拟可变电阻存储器的制造和性能

介绍氧化钨基永久性的电可重编程的可变电阻器作用于电子神经网络的模拟突触记忆联接器。该器件具有类晶体管的多层薄膜器件结构，它是依次由直流溅射和电子束蒸发工艺沉积到一个绝缘衬底，即衬底／Ｎｉ／ＷＯ３／ＳｉＯ／Ｃｒ２Ｏ３／ＳｉＯ／Ａｌ。用电压控制Ｈ＾＋离子可逆地内插和去插到ＷＯ３薄膜来调制电阻。     

磁控溅射镍膜催化生长石墨烯及迁移表征

在Si/SiO2衬底上将磁控溅射镍膜作为催化剂,利用化学气相沉积制备了大面积连续的石墨烯薄膜,得到的石墨烯为1～15层.将石墨烯薄膜迁移到玻璃衬底和Si/SiO2衬底上,测量了薄膜的可见光透过率和薄膜电阻,并讨论了石墨烯作为透明导电电极在光电器件上的应用.     

Cr/SiO_2界面还原反应研究

利用俄歇电子能谱研究了Cr／SiO2薄膜在热处理过程中的界面扩散反应机理、界面反应动力学过程及界面反应产物。研究结果表明，Cr／SiO2体系的界面还原反应主要是Cr与SiO2的反应，其还原反应产物是CrSix和Cr2O3物种。界面还原反应的速度与反应时间的平方根成正比，其界面还原反应过程受Cr向SiO2层的扩散过程所控制，界面还原反应的表观活化能为72．5kJ／mol（约0．75eV）。     

WO3·0.33H2O及其与石墨插层复合材料的光催化性能研究

制备了WO3·0.33H2O及其插层石墨的复合材料(GIW),对材料进行了相应的表征,并比较了WO3·0.33H2O和石墨插层复合材料的光催化性能,发现WO3·0.33H2O石墨插层复合材料在紫外光下具有较之WO3·0.33H2O更优越的光催化性能.通过XRD、XPS、FT-IR、HRTEM等测试手段,分析了WO3·0.33H2O和GIW的晶相、微观结构,结果表明插层材料保持了WO3·0.33H2O的晶相,且WO3·0.33H2O被层状石墨包覆,有利于电子的转移;伏安循环法测试材料的氧化还原电位表明插层材料具有更负的导带位置.     

Na2SiO3-Na2WO4-丙三醇电解液中Na2SiO3对ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化膜形成的影响

电解液组成对微弧氧化陶瓷膜的形成具有重要作用。在Na2SiO3-Na2WO4-丙三醇复合电解液体系下，对ZAlSi12Cu2Mg1合金微弧氧化陶瓷膜的形成进行研究，通过改变Na2SiO3的含量，研究了其对微弧氧化的临界起弧电压、稳定氧化时间、陶瓷膜层厚度、膜层生长速率和陶瓷膜层相组成的影响。结果表明：Na2SiO3含量从6g／L到12g／L变化时，膜层厚度从154μm逐渐增加到174μm；稳定氧化时间由27min缩短为18min；膜层生长速率约从5．70μm／min提高到9．67μm／min；但Na2SiO3含量超过12g／L时，膜层厚度却不再增加了；当Na2SiO3含量为14g／L时，膜层厚度为166μm；当Na2SiO3含量为8g／L时，临界起弧正向电压达385V，负向电压达最低值为27V。XRD分析表明：陶瓷膜层中含有莫来石、SiO2、α-Al2O3和γ-Al2O3相，陶瓷膜层的莫来石、Si02、α-Al2O3和γ—Al2O3相含量随电解液Na2SiO3含量变化而变化。     

Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜的磁控溅射制备及电学性能

采用射频磁控溅射方法以石英玻璃为衬底分别沉积制备出了Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜。X射线衍射表明薄膜展示了明显的ZnO衍射峰和较弱的Ge衍射峰;傅里叶变换红外光谱曲线证明薄膜均具有各自的特征吸收峰;扫描电镜结果显示薄膜为颗粒状团簇结构,并且加入ZnO中间层可以有效的改善Ge层的质量。同时,对所得薄膜材料的电流-电压性能进行了研究,结果发现,Ge/SiO2薄膜的I-V曲线拟合后为斜线,相当于电阻;ZnO/SiO2薄膜为直线,可以认为是绝缘体;Ge/ZnO/SiO2薄膜在-10～10V之间电流电压呈线性关系,其电阻比Ge/SiO2薄膜小,当电压值超过15V之后,电流急剧增加而迅速使薄膜击穿,薄膜导通。     

Ag／La0.67Sr0.33MnO3/Pt异质结构的电阻开关特性

采用脉冲激光沉积技术在Pt／Ti／SiO2／Si（100）衬底上制备出多晶La0.67Sr0.33MnO3（LSMO）薄膜,对其电脉冲致非挥发可逆电阻开关特性进行研究．结果表明,Ag/LSMO／Pt结构具有明显的室温电脉冲诱发电阻开关特性,且在宽电压脉冲作用下表现出较低的开关电压和较快的变阻饱和速度．由此可见,总脉冲能量或电荷（电流作用）为该结构的电阻开关效应提供驱动力．对Ag／LsMO／Pt结构进行了耐久性测试,表明该结构具有良好的疲劳特性与保持特性,可应用于新型不挥发存储器、传感器及可变电阻等电子元器件的研制     

C3H8O3在ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化膜形成中作用机理的研究

在含Na2SiO38g/L、NaOH 2g/L、Na2WO42g/L、Na2EDTA 2g/L的电解液和正/负向电压取480/130V的条件下,通过改变C3H8O3的含量,对ZAlSi12Cu2Mg1进行微弧氧化处理。研究结果发现,添加C3H8O3可明显地细化电解液中的胶粒,改善微弧氧化膜的致密性和平整性,增加膜层厚度,提高膜层硬度。当C3H8O3的含量由0mL/L增加到10mL/L时,胶粒的平均粒径从10530.6nm几乎线性减小到2615.8nm,膜层氧化物颗粒尺寸变小,致密层所占比例增加,膜层厚度从63μm增加到156μm,膜层硬度提高到894HV;而含量超过10mL/L时,临界起弧正向电压升高至408V。电解液中加入C3H8O3,膜层中除了莫来石相,还出现了α-Al2O3、γ-Al2O3、WO3和SiO2相。     

Bi4Ti3O12铁电薄膜I-V特性的研究

采用溶胶-凝胶工艺(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上成功制备了低漏电流Bi4Ti3O12(BIT)铁电薄膜,对所得样品的漏导行为进行了研究.研究表明,Bi4Ti3O12薄膜的漏电流密度在+3V偏压下低于10-9A/cm2,满足器件应用的要求.在不同场强下薄膜的漏导机制不同,而且正向和负向电场作用下I-V曲线明显不同,正向漏电流明显小于负向漏电流.电压低于2V时,薄膜以欧姆导电机制为主,电压在2～5.4V(加正向电压)或2.2～3.6V(加负向电压)时,BIT薄膜应以Schottky emission导电机制为主;而对于较高的场强下,BIT薄膜以Space-charge limited currents(SCLC)导电机制为主.     

Na2SiO3-Na2WO4电解液体系中丙三醇对ZAlSi12Cu2Mg微弧氧化膜形成的影响

电解液组成是影响微弧氧化陶瓷膜形成重要的因素。在Na2SiO3-Na2WO4复合电解液体系下，对ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化陶瓷膜的形成进行研究，通过改变丙三醇的含量，研究了其对微弧氧化的临界起弧电压、稳定氧化时间和陶瓷膜层厚度的影响。并测定了陶瓷膜的相组成。结果表明：丙三醇含量从0ml／L到10ml／L变化时，临界起弧正向电压由360V逐渐升高至408V；膜层厚度从63μm逐渐增加到156μm；稳定氧化时间由16min延长到26min；XRD分析表明：陶瓷膜层中主要由莫来石、SiO2和α-Al2O3和γ-Al2O3相组成。     

药皮组成物对E5018焊条工艺性能的影响

本文研究了铁粉低氢焊条 E5018药皮中关键成份铁粉,大理石及萤石等对焊条工艺性能的影响。在此基础上研制了 E5018焊条,其备项指标均达到或优于国标 GB5117-85,在1989年全国电焊条质量评比中,其质量居国内领先地位。     

块状纳米银电极的制备及其电极电势的测定

采用双氧水还原法制备出平均粒径不同的纳米银粒子,组装成块状纳米银电极,测定不同粒径纳米银块状电极的电极电势,讨论电极粒度对其电极电势的影响规律,结果表明,双氧水还原法可以制备出不同平均粒径的纳米银粒子,组成块状纳米银电极的纳米粒子的粒度对其电极电势有显著影响,其粒度越小相应的电极电势越低,并且其电极电势与粒径的倒数呈线性关系。     

腐蚀介质中不同深处混凝土/钢筋界面电极电位分布的测量方法

由于混凝土的隔离和高绝缘性,常规的电化学技术、微探针扫描技术均难于获得在腐蚀介质的浸泡下混凝土/钢筋界面电极电位分布;更难测得不同深处混凝土/钢筋界面电位分布。本文提出用阵列电极法:将不同深处混凝土/钢筋界面的钢筋分为不同深处的点电极。结合电子技术和微机控制技术,获得不同深处混凝土/钢筋界面电位分布图的立体信息。结果表明:不同深处混凝土/钢筋界面腐蚀优先发生在混凝土覆盖较浅的部位。     

Electrochemical degradation of chlorobenzene on boron-doped diamond and platinum electrodes

In this paper the electrochemical degradation of chlorobenzene (CB) was investigated on boron-doped diamond (BDD) and platinum (Pt) anodes, and the degradation kinetics on these two electrodes was compared. Compared with the total mineralization with a total organic carbon (TOC) removal of 85.2% in 6 h on Pt electrode, the TOC removal reached 94.3% on BDD electrode under the same operate condition. Accordingly, the mineralization current efficiency (MCE) during the mineralization on BDD electrode was higher than that on the Pt electrode. Besides TOC, the conversion of CB, the productions and decay of intermediates were also monitored. Kinetic study indicated that the decay of CB on BDD and Pt electrodes were both pseudo-first-order reactions, and the reaction rate constant (k_s) on BDD electrode was higher than that on Pt electrode. The different reaction mechanisms on the two electrodes were investigated by the variation of intermediates concentrations. Two different reaction pathways for the degradation of CB on BDD electrode and Pt electrode involving all these intermediates were proposed.     

Transparent organic bistable memory devices using a low resistance transparent electrode

Pure polymer-based transparent organic bistable memory devices (TOBDs) were developed using transparent WO₃/Ag/WO₃(WAW) as a low resistance electrode. A device structure of indium tin oxide/polyphenylenevinylene/Al/WAW was used for the fabrication of TOBDs. PPV, as an active organic material without metal nanoparticles, was spin coated on a WAW electrode, which was followed by the deposition of an Al/WAW layer on PPV for bistability in PPV OBDs. PPV based transparent OBDs showed a high transparency and on/off ratio of 53% and 1000, respectively.     

锂离子电池正极负极材料研究进展

近年来,锂离子电池因其优异的特性,发展十分迅速。锂离子电池的优异性能与电池的材料选择,材料的制备工艺等密切相关,可以说,锂离子电池的性能,很大程度上取决于电池的正负极材料以及电解质和隔膜材料的选择和制备。基于这种的重要性,本文对目送２锂离子电池的正极和负极材料的研究进展进行了综合评述。     

TiB_2-ZrB_2沉积层铜电极点焊镀锌钢的失效过程

为了探讨TiB_2-ZrB_2沉积层铜电极点焊镀锌钢时的失效机理,采用自制电火花设备在铜表面沉积了TiB_2-ZrB_2层。通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和显微硬度测试等表征方法,对比分析了无沉积层电极与TiB_2-ZrB_2沉积层电极点焊镀锌钢时的失效机理。结果表明:TiB_2-ZrB_2沉积层大致可提高电极寿命4倍左右;TiB_2-ZrB_2沉积层电极点焊过程中在力和热的作用下,沉积层内部首先产生裂纹,随后脱落,随着焊接的持续,镀锌钢中的Zn元素会填充进来,为与Cu的合金化反应创造了条件;在沉积层完整性受到破坏后,TiB_2-ZrB_2沉积层电极无论是塑性变形速度,还是Cu与Zn间的合金化程度都会加剧,进而加速了失效。     

汽车氧传感器材料的研究

论述了管式汽车氧传感器材料的选择问题,指出电极保护层趋向于以镁铝尖晶石(MgAl2O4)为主要原料;电解质大多采用YSZ;电极材料渐渐由贵金属偏向于金属陶瓷复合电极,一些半导体金属氧化物也表现出一定的应用前景,但仍处于研究阶段。     

FFC法制备海绵钛的TiO2电极行为研究

本文采用分析纯TiO2粉体、粘结剂及造孔剂制备了TiO2电极。通过水煮法测定所制备电极的孔隙率,同时还分析了其物相组成。在此基础上,采用不同电极组装方式进行了电解实验,对电解后的产物进行了X射线衍射仪分析。研究结果表明,所研制的TiO2电极孔隙率达到50%以上;烧结后的电极成份几乎都是金红石型TiO2;在确定的电极组装方式下进行电解实验,能够获得较大的电解电流,而且电解产物含钛量达到98%（w）以上。     

PTC半导瓷用欧姆接触电极的研究

制备了六种不同玻璃的铝电极浆料，研究了这些玻璃料对接触电阻的影响。结果表明，含ＮＯ．２玻璃料的烧渗铝电极试样显现出低的接触电阻和良好的抗老化特性。