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对以PTB7:PC_(70)BM为体系的聚合物太阳电池(BHJ)的阳极修饰层PEDOT:PSS中掺杂聚乙二醇(PEG)的方法进行研究,发现阳极修饰层中掺杂不同浓度的PEG后,器件的各项性能均有所提升。通过电流电压(I-V)测试、电容-电压(C-V)测试、外量子效率(EQE)测试、及不同浓度PEG下PEDOT:PSS的电导率的测量发现,在PEDOT:PSS中掺杂体积比为1%的PEG时,太阳电池器件的填充因子(FF)、短路电流(J_(sc))等有明显提升。其光电转换效率从5.88%升至6.48%,比基础器件提高10%。 相似文献
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首先利用太阳电池光照下的J-V特性,推导短路电流密度Jsc、开路电压Voc与光照面积和总面积的比值AΦ/AT之间的关系,分析利用短路电流密度测量外量子效率EQE(λ)SC的误差来源。并利用J-V特性将开路电压Voc表示的外量子效率EQE(λ)OC与常规利用短路电流密度Jsc表示的外量子效率EQE(λ)SC利用fEQE因子相关联。最后,测量不同面积晶体硅太阳电池的EQE(λ)OC、EQE(λ)SC并与PC1D模拟的EQE(λ)SCPC1D曲线进行对比,得到相应结论。该测试方法对提高太阳电池量子效率测试的准确性具有一定指导意义。 相似文献
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在空穴传输层Spiro-OMeTAD和Ag电极之间引入三氧化钼(MoO3)空穴修饰层,并研究其对空气中刮涂的钙钛矿太阳电池光伏性能的影响,结合导电性测试、稳态光致发光光谱和水接触角测试等探究其影响机制。实验和测试结果表明MoO3可提升空穴传输能力和减小界面电阻,同时对下方的Spiro-OMeTAD及钙钛矿起到保护作用,可减缓空气中水氧侵蚀。基于MoO3界面修饰层的在空气中刮涂制备的钙钛矿太阳电池光电转换效率由15.14%提升至18.30%,尤其是填充因子的平均值由60%提升至76%,电池稳定性得到改善,未封装电池在400 h后仍保持初始效率的90%。 相似文献
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采用预合成法合成铜铟硫(Cu In S2)量子点并将其应用于介孔太阳电池中。利用紫外可见吸收光谱、XRD和TEM等表征手段深入研究氧化物、硫化物、硒化物等不同包覆层对Cu In S2量子点敏化太阳电池性能的影响。结果表明,硫化物包覆层对Cu In S2量子点敏化太阳电池具有较优的性能,尤其是Cd S包覆,电池短路电流密度为13.6 m A/cm2,光电转换效率达到2.67%。最后探索Cu In S2量子点在有机-无机杂化钙钛矿太阳电池中的应用,其作为空穴传输材料,电池效率可达6.57%。 相似文献
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采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系数(α0.8eV)小于2.5cm-1且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜,然而将其应用在微晶硅电池中时,电池性能却有明显差异.通过对微晶硅电池的光、暗态J-V,量子效率(QE)和微区拉曼(Raman)测试发现,微晶硅薄膜中非晶孵化层厚度的不同是引起电池性能差异的主要原因.反应气体总流量较低时沉积的微晶硅薄膜具有较厚的非晶孵化层,阻碍了载流子的输运,使电池的长波光谱响应下降,从而降低了电池的短路电流密度与填充因子;而增加总气体流量,有效减小了微晶硅薄膜中的非晶孵化层的厚度,从而使电池性能得到改善.最后在总气体流量为500sccm时,制备得到沉积速率为1nm/s,效率为7.3%的单结微晶硅太阳电池. 相似文献
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TiO_2/SiO_2双层减反膜在太阳电池上的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
利用二氧化硅(SiO_2)对太阳电池表面的钝化作用,对传统的二氧化钛(TiO_2)单层减反膜进行了改良.基于理论模拟分析了光反射率随膜层(TiO_2/SiO_2)厚度变化规律,结合实验上SiO_2最佳厚度经验值,制备了晶体硅太阳电池(即TiO_2/SiO_2/Si),并和SiN_x/Si结构的晶体硅太阳电池相比较.分别测试了少子寿命、反射率、电性能参数等,结果表明这种改良后的TiO_2减反膜也可以取得很好的减反效果和钝化效果.镀有TiO_2,SiO_2双层膜与SiN_x减反膜绒面晶体硅片的积分反射率分别为4.9%和3.9%;使用以上两种不同减反膜制备的太阳电池的开路电压均可达到0.62V.可见这种TiO_2双层膜有望在将来的生产中得到具体应用. 相似文献
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采用碘三离子(I3-)作为提升钙钛矿太阳电池性能的界面修饰材料,对钙钛矿体相及上层空穴传输材料的接触界面进行修饰和改性,钝化光活性层上表面缺陷,以优化光电转换器件的转换效率。由反溶剂法和后处理的形式,制备平面异质结电池,运用该界面钝化策略改善后的器件效率达到18.9%,且电池的稳定性也得到增强,600 h后仅有5%的性能衰减。通过物相和光电性质等表征与测试,系统地研究电池的形貌及性能参数,探究不同浓度的I3-对器件性能的影响作用和机理。研究发现,该缺陷钝化策略对钙钛矿膜层进行处理后,能有效改善钙钛矿材料的结晶性,减少其表面陷阱态缺陷,降低钙钛矿与空穴传输层的载流子界面传输势垒,且I3-与钙钛矿能形成钝化层,起到隔绝水氧的作用,使其稳定性得到改善。 相似文献
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在n-Si与金属电极之间插入电子选择性材料Ca和Cs_2CO_3、LiF_x,可有效降低接触电阻和界面复合,该文研究Ca和Cs_2CO_3、LiF_x作为背场在氧化钨金属多层膜(WAW)/n-Si太阳电池中对电池性能和稳定性的影响。3种电子选择性材料中,2 nm的LiF_x对电池转换效率的提升最高,稳定性最好。对WAW/n-Si/LiF_x太阳电池R_s的各部分组成进行提取和分析,表明LiF_x/n-Si的接触电阻和LiF_x/Ag接触电阻仅占总串联电阻的0.2%,背场工艺得到最佳的优化。将LiF_x做为背场应用于氧化钒金属多层膜背接触晶体硅(MLBC)太阳电池中,达到19.02%的转换效率,而且用环氧树脂封装的MLBC太阳电池放置在空气中表现出极好的稳定性。 相似文献
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普通固体太阳电池可以为生活和生产供电,为了解决夜晚和阴雨天的供电问题,它还需要与蓄电池组连用。这种太阳电池系统的致命弱点是使用寿命短。新型液体太阳电池能完满地解决夜晚和阴雨天的供电问题。它和固体太阳电池好似一对孪生姊妹,也是由半导体材料制造的。把这种半导体浸泡在装有化学溶液的电池槽中,作为太阳电池的一个电极,即光电极板。在光照作用下,光电极板表面发生化学反应,生产出的电子经外电路流到反电极中,从而对负载做功。电子从反电极进入电解液,这样就完成了一个周期的循环。电池材料不同,电子的流动方向也不同(可能是由反电极经外电路流人光电极)。电池槽内电解液既 相似文献
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运用由美国宾州大学开发的AMPS-1D计算机模拟软件,模拟了在最佳缓冲层和无缓冲层的情况下,太阳电池的各性能参数随本征层厚度的变化、太阳电池的J-V特性和量子效率以及不同晶化率的本征活性层对太阳电池各性能参数和量子效率的影响.模拟结果表明:在最佳缓冲层100nm时,太阳电池的各性能参数比无缓冲层时有所提高;随着本征层晶化率Xc的增大,太阳电池的量子效率QE在长波段有明显提高;本征层晶化率高的太阳电池,具有较高的短路电流.Jsc,低的开路电压Voc、转换效率Eff和填充因子FF. 相似文献
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针对临近空间特有的紫外和臭氧(UV/O_3)综合环境,以柔性聚酰亚胺衬底非晶硅薄膜太阳电池为研究对象,通过设计紫外(UV)单因素和UV/O_3综合因素恒定加速试验,利用AM0电特性测试、光学透光率测试、扫描电镜和傅里叶变换红外光谱分析(FTIR)检测技术研究分析电池性能变化特征及引起变化的机理。研究结果表明柔性聚酰亚胺衬底非晶硅薄膜太阳电池在为期30 d的UV辐射(加速因子为2)以及UV/O_3综合环境(加速因子为5)作用下,电池转换效率明显下降,电池上表面最外层有机封装材料发生碳化分解,表面损伤严重。臭氧与紫外环境共存条件下,对电池的影响表现为协同作用和相互竞争机制。 相似文献
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研究硅基异质结太阳电池的表面钝化层对电池性能的影响,主要工作包括:1)对比非晶硅本征层a-Si:H(i)与非晶硅氧本征层a-Si Ox:H(i)对c-Si界面的钝化效果的作用,及其对电池性能的影响;2)研究不同a-Si:H(i)厚度对电池性能的影响;3)不同沉积速率a-Si:H(i)对c-Si界面的钝化效果和电池性能的影响,并对不同沉积速率的a-Si:H(i)膜层做了H原子含量等分析。通过该征钝化层工艺的优化,最终在156 mm×156 mm厚度200μm的n型硅片上获得效率为20.90%的硅基异质结太阳电池,和在100μm厚度的硅片上得到转化效率为20.44%的可弯曲电池。 相似文献
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<正>据物理学家组织网5月29日报道,美国莱斯大学的化学工程师拉斐尔·维尔杜兹寇和宾夕法尼亚州立大学的化学工程师安立奎.戈麦斯领导的研究团队,研制出了一款基于大块共聚物(能自我组装的有机材料可以自主形成不同的层)的太阳能电池,尽管新电池的光电转化效率仅为3%,但仍然高于其他用聚合物作为活性材料的电池。研究人员表 相似文献