Eu(TTA)_3phen/PMMA温敏漆的制备及表征

以三氯化铕、α-噻吩甲酰基三氟丙酮(HTTA)、邻菲罗啉(phen)为原料合成了Eu(TTA)3phen探针分子,将探针分子与甲基丙烯酸甲酯(MMA)混合后进行聚合,获得了Eu(TTA)3phen/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)温敏漆。采用红外光谱(IR)、差热-热重分析(TG-DTA)、荧光光谱对探针分子的结构和形貌及温敏漆温度猝灭性能进行了一系列测试和表征。红外光谱分析表明,探针分子中Eu3+、HTTA、phen间形成了良好的配位键;TG-DTA分析表明,在285℃以下探针分子能够稳定存在。不同温度下荧光光谱表明,随着温度的升高,温敏漆荧光发射强度逐渐减弱,而最强发射峰波长不随温度变化,均在613nm左右,说明温敏漆具有良好的温度猝灭特性。     

不同基质(虫胶及PMMA)温敏漆的制备及性能研究

以三氯化钌、氯化钆、联吡啶为原料制备发光探针分子,将探针分子分别加入到聚甲基丙烯酸甲酯基质(PMMA)和虫胶基质中,获得不同基质的温敏漆样品。对探针分子及2种基质温敏漆样品进行了红外、紫外吸收及荧光光谱测试。红外光谱表明,探针分子中联吡啶的结构未被破坏;紫外吸收光谱表明,虫胶的紫外吸收较强,影响了探针分子对紫外光的吸收,所以虫胶基质温敏漆在620nm的荧光发射较弱,而PMMA对紫外光吸收较弱,所以以PMMA为基质的温敏漆在620nm荧光发射较强,同时PMMA基温敏漆的温度猝灭性能也明显比虫胶基温敏漆好。     

以苯甲酸-联吡啶钌为探针分子的温敏漆的制备及性能研究

以2,2′-联吡啶(bpy)、苯甲酸(BA)和三氯化钌等为原料合成了[Rubpy(BA)_2]~(2+)/PMMA温敏漆。采用傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)、热重-差式扫描量热法(TG-DSC)和紫外吸收光谱法(UV-Vis)以及荧光光谱对样品进行了表征。FTIR和UV-Vis分析表明,探针分子与配体bpy和BA形成了配位键。SEM分析表明,探针分子为片状晶体。TG-DSC分析表明,探针分子在温度低于255℃时稳定存在,具有良好的热稳定性能,其组成通式可表示为Rubpy(BA)_2Cl_2·3H_2O。荧光光谱分析表明,探针分子的最佳激发波长为369nm,最佳发射波长为583nm。[Rubpy(BA)_2]~(2+)/PMMA温敏漆样品的荧光强度随着温度的升高明显降低,说明温敏漆具有良好的温度猝灭性能。     

红色荧光粉YAl3(BO3)4:Eu3+的制备及发光性能研究

以稀土氧化物、硝酸铝和硼酸为原料,高温固相反应制备了单相红色荧光粉YAl3(BO3)4:Eu3+,用X射线衍射和发射光谱对荧光粉末的结构和发光性能进行了分析.研究了煅烧温度、Eu3+掺杂量对其发光性能的影响.结果表明,反应物在1 250 ℃下煅烧可制得单相YAl3(BO3)4:Eu3+晶体,在YAl3(BO3)4:Eu3+晶体中,Eu3+取代了YAl3(BO3)4晶体中Y3+,占据了非对称中心格位.在394 nm的紫外光激发下,YAl3(BO3)4:Eu3+荧光粉具有很强的发光性能,与(Y,Gd)BO3:Eu3+荧光粉相比,最强发射线波长由596 nm变为618 nm,由橙红色光变为红色光,色纯度有了很大提高.Eu3+的最佳掺杂量为8%(物质的量分数).     

Gd~(3+)/Si~(4+)掺杂对LiZnPO_4:Eu~(3+)荧光粉发光性能的影响

采用高温固相法制备了LiZnPO4:Eu3+红色荧光粉,分别研究了Eu3+掺量、Eu3+和Gd3+共掺杂以及SiO2掺杂对材料发光性能的影响。结果表明:在395nm近紫外光激发下,发射光谱峰值位于593nm,属于Eu3+的5D0→7F1辐射跃迁;激发光谱由200~280nm的宽带和310~500nm的一系列尖峰组成,分别对应于O2–→Eu3+电荷迁移带和Eu3+的f→f能级跃迁吸收,主激发峰位于395nm左右,与近紫外发光二极管(NUV-LED)的发射光谱(360~410nm)匹配。Eu3+最佳掺杂摩尔分数为12%,超过12%后发生浓度猝灭现象,浓度猝灭机理为电多极–电多极相互作用。掺杂Gd3+、SiO2使Eu3+在593nm处的发射分别增强了107%、105%。LiZnPO4:Eu3+是适合NUV-LED管芯激发的白光发光二极管用高亮度橙红色荧光粉。     

稀土离子掺杂的氯硼酸锶发光材料的合成及光谱性质

通过高温固相法制备了Sr2B5O9Cl:XEu2+:(0.05-X)Eu3+:YTb3+荧光体,讨论了煅烧温度及掺杂稀土离子Eu3+和Tb3+的浓度对荧光体的发光性能的影响。结果表明,Eu3+和Tb3+的最佳掺入量分别为5%和9%,最佳制备温度是900℃,稀土离子Eu2+、Eu3+和Tb3+掺杂的硼酸锶具有良好的发光性能。     

稀土离子掺杂的氯硼酸锶发光材料的合成及光谱性质

通过高温固相法制备了Sr2B5O9Cl:XEu2+:(0.05-X)Eu3+:YTb3+荧光体,讨论了煅烧温度及掺杂稀土离子Eu3+和Tb3+的浓度对荧光体的发光性能的影响。结果表明,Eu3+和Tb3+的最佳掺入量分别为5%和9%,最佳制备温度是900℃,稀土离子Eu2+、Eu3+和Tb3+掺杂的硼酸锶具有良好的发光性能。     

LED用的Gd2(MoO4)3:Eu3+红色荧光粉的制备和性能研究

本文利用液相沉积法合成白光LED用的Gd2(MoO4)3:Eu3+红色荧光粉,利用X射线衍射、荧光光谱以及扫描电镜进行系列表征,系统研究掺杂离子浓度、退火温度等条件对Gd2(MoO4)3:Eu3+荧光粉的发光性能影响。结果表明:当pH=7,退火温度为1100℃,Gd:Eu摩尔比例为1.8:0.2时,所合成的荧光粉为正交晶系的类白钨矿结构Gd2(MoO4)3化合物(20-0408),荧光粉在395 nm左右有高的激发效率,发射主峰位置位于615 nm是近紫外LED中一种比较有应用价值的红色荧光粉。     

新型稀土-β-二酮配合物的合成与表征

以噻吩甲酰三氟丙酮(HTTA)和2,2′-联二吡啶(BIPY)为配体,采用乙醇-水溶液析出法合成了稀土-β-二酮配合物Ln(TTA)3BIPY(Ln=Gd、Sm、La),其中La(TTA)3BIPY、Gd(TTA)3BIPY未见报道。通过元素分析、MS、IR、UV及热重分析对配合物进行了表征和分析,分析表明:配体HTTA以烯醇式异构体形式与金属离子相螯合,受螯合效应影响,配体的IR、UV特征吸收峰均发生红移,配合物在300~400nm近紫外区有强烈的电子吸收,起始分解温度高于250℃,失重迅速、显著。     

掺杂铽的稀土酒石酸配合物的合成及其荧光性能研究

采用溶液反应法合成了掺杂铽的稀土酒石酸配合物Ln2 -xTbxL3(Ln =Y、La、Gd) ,通过元素分析、X射线粉末衍射及红外光谱等对其组成进行了表征 ,测定了该系列配合物的荧光光谱。实验结果表明 ,该系列配合物的组成为Ln2 -xTbxL3·6H2 O(Ln =Y、La、Gd) ,该掺杂配合物比单纯配合物Tb2 L3 具有更好的发光性能 ,而且当x =0 .7～ 1.5时 ,该掺杂配合物的发光最强。据此探讨同多核稀土酒石酸配合物及杂多核稀土酒石酸配合物发光机理     

铕配合物-醇酸树脂复合体系的荧光性能

合成了稀土铕配合物Eu(OC3H7)β2,并与醇酸树脂掺杂,考察不同β二酮如α-噻吩甲酰三氟丙酮(HT-TA)和二苯甲酰甲烷(HDBM)对复合体系荧光性能的影响。结果表明,掺杂配合物Eu(OC3H7)(DBM)2或Eu(DBM)3的醇酸树脂主要呈现位于460 nm附近醇酸树脂荧光发射峰;而掺杂Eu(OC3H7)(TTA)2配合物,在380 nm激发下发射很强的Eu3 离子5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4)跃迁红色特征荧光。     

稀土掺杂Eu(TTA)_3phen的制备及其发光性能的研究

本文用回流冷凝法,以氧化铕、噻吩甲酰三氟丙酮为基本原料合成Eu(TTA)3phen有机发光配合物。该配合物的激发光谱为310 nm,发射光谱为612 nm。本文发现该配合物掺杂Gd~(3+)、Tb~(3+)、Y~(3+)、La~(3+)、Ho~(3+)、Sm~(3+)、Pr~(3+)稀土离子使其发光强度明显提高,其中掺杂40%Gd~(3+)离子形成的配合物发光强度最大,是Eu(TTA)3phen配合物的1.31倍。     

Eu~(3+)掺杂Gd_2(WO_4)_3荧光材料的合成及性能研究

以钨酸钠溶液和稀土硝酸盐溶液为原料,采用水热法合成技术制备前驱体颗粒,经后续900℃煅烧能够获得结晶性良好、分散性良好的Gd2-xEux(WO4)3荧光颗粒,在此基础上,采用XRD、PLE/PL对材料的合成及荧光性能等进行一系列表征。分析结果表明:Eu3+的掺杂并未改变钨酸钆的结构,在246 nm W-O电荷迁移带(CTB)的激发下,Gd2-xEux(WO4)3荧光粉于617 nm(Eu3+的5D0→7F2)处呈现优异的红光发射,并得到Gd2(WO4)3:Eu3+的猝灭浓度为30at%,与理论计算值一致。     

Ca3(VO4)2:Eu3+的燃烧合成及光致发光

以稀土氧化铕、偏钒酸铵、硝酸钙为原料,以尿素作燃烧剂,采用燃烧法合成了Ca3(VO4)2:Eu3+.利用XRD,SEM,荧光分光光度计对其结构、形貌和发光性能进行了表征,并探讨其实际应用的可能性.结果表明,燃烧法合成的稀土Eu3+掺杂ca3(VO4)2荧光粉颗粒规则、均一,发射主峰位于614.0 nm,是现有PDP商品(Y,Gd)BO3:Eu3+红色荧光粉的良好替代品.     

萘酰亚胺树枝状聚（胺-酯）荧光材料的合成及性能

以乙二胺(EDA)、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)和1,8-萘二甲酸酐为原料,合成了萘酰亚胺树枝状聚(胺-酯)(PAE-1,8-NL),产率为32.79%。用IR和1HNMR表征了它的结构。通过紫外-可见吸收光谱、荧光光谱等手段对PAE-1,8-NL及加入稀土金属离子(La3+、Nd3+、Dy3+、Gd3+、Eu3+)或质子的各种溶液的光物理性能进行研究。结果表明,PAE-1,8-NL在氯仿-乙醇(体积比1∶1)稀溶液中在激发波长为335 nm激发下产生两处荧光峰370 nm和386 nm,分别归属为萘单体荧光峰和分子内萘基-萘基激基缔合物荧光峰;稀土金属离子或质子与PAE-1,8-NL内部的胺络合后,对萘单体荧光峰影响不大,而对激基缔合物荧光强度产生规律性的变化。PAE-1,8-NL溶液的荧光强度随稀土金属离子浓度的增大先增强后减弱;随H+浓度的增大而增强;随稀土金属离子和H+浓度的增大先增强后减弱。     

高效红色荧光粉Li1-xAlSiO4+x:xEu3+的制备与发光性能研究

以碳酸锂、氧化铝、二氧化硅、Eu2O3为原料，采用传统高温固相法在较低温度下制备Eu3+离子掺杂LiAlSiO4红色荧光粉，并通过XRD、SEM和光致发光光谱分别对其晶体结构，粉体形貌和发光性能进行表征。结果表明：Eu3+离子掺杂浓度低于15%时，样品为单一基质；样品可以被近紫外350~420nm波段高效激发，最强激发峰位置位于394nm，发射光谱呈现出Eu3+的特征峰，谱带峰值位置在593 nm、616 nm，分别对应于Eu3+的5D0→7F1、5D0→7F2特征跃迁。最强发射对应的掺杂摩尔百分含量为12%，浓度猝灭的发生主要是因为四极-四极（q-q）相互作用，CIE坐标为（0.6464，0.3526），可应用于近紫外芯片激发LED用红色荧光粉。     

掺杂铽的稀土酒石酸配合物的合成及其荧光性能研究

采用溶液反应法合成了掺杂铽的稀土酒石酸配合物Ln2-xTbxL3(Ln=Y,La,Gd)，通过无素分析，X射线粉末衍射及红外光谱等对其组成进行了表征，测定了该系统配合的荧光光谱，实验结果表明，该系列配合物的组成为Ln2-xTbxl3.6H2O(Ln=L,La,Gd），该掺杂配合物比单纯配合物Tb2L3具有更好的发光性能，而且当x=0.7-1.5时，该掺杂配合物的发光最强，据此探讨同多核稀土酒石酸配合物及杂多核烯土酒石酸配合物发光机理。     

Eu~(3+)掺杂的红色荧光粉制备及荧光性能研究

利用溶胶凝胶法制备了Eu3+掺杂的Y2O3荧光粉。考察了Y2O3:Eu3+的制备条件,进行了物相表征,研究了Y2O3:Eu3+的荧光性能。结果表明,在612 nm波长监测下,Y1.98O3:Eu3+0.02的激发光谱为300~550 nm,最大激发峰值位于466 nm,归属于Eu3+的7F0→5D2的跃迁。在466 nm波长激发下,Y2O3:Eu3+的发射光谱为550~700 nm,最大发射峰值位于612 nm,归属于Eu3+的5D0→7F2的跃迁主峰。Eu3+的掺杂量为x=0.02,p H=1时Y2O3:Eu3+荧光粉可以得到最强的红光荧光粉。     

钆或镧掺杂YAG:Ce~(3+)粉体的制备及其发光性能研究

以硝酸铝、氧化钇、氧化钆、氧化镧及硝酸铈为原料,尿素为燃烧剂,硝酸为溶剂,采用低温燃烧法制备了Gd3+或La3+掺杂YAG∶Ce3+粉体。利用XRD、光谱分析等分析方法研究了热处理温度、Gd3+或La3+掺杂量等因素对粉体的晶体结构、激发光谱和发射光谱的影响。结果表明:随Gd3+或La3+掺杂量的增加,粉体的发射光谱峰值红移幅度增大,发射强度略有降低,掺杂Gd3+粉体的发射光谱峰值最大红移18nm;掺杂La3+粉体的发射光谱峰值最大红移14nm。     

白光LED用蓝色荧光粉Sr10（PO4）6Cl2:Eu2+合成及其光谱特性

本文采用传统的高温固相法合成白光LED用Sr10(PO4)6Cl2:Eu2+蓝色荧光粉,利用X-射线粉末衍射和荧光光谱进行表征。实验结果表明,在紫外近紫外区(200～400 nm)激发下荧光粉发射光谱主峰位于447 nm。当灼烧温度为1000℃,Eu2+掺杂浓度为0.12,SrCl2.6H2O添加量过量20%,发光强度最高。与商业近紫外LED芯片发射相匹配,是一种优秀的近紫外白光LED用的蓝色荧光粉。