掺杂对多晶硅薄膜的影响

该文简要地论述了掺杂对多晶硅薄膜淀积的影响,并就掺杂对多晶硅薄膜淀积率的影响作了一些解释。     

光CVD及其在半导体工艺中的应用

本文介绍了一种低温低压CVD技术——光CVD技术的原理、设备、薄膜淀积及在半导体工艺中的应用.这种技术符合半导体工艺低温化的要求,可能简化目前的半导体器件生产工艺.文中还对该技术的应用前景作了讨论.     

先进的等离子增强化学汽相淀积系统

随着集成电路的制造向着高可靠和微细化方向发展，能低温生长优质薄膜的等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）工艺越来越受到重视。它不仅能满足硅集成电路亚微米级线宽工艺的要求，而且能满足其它电子产品薄膜淀积的要求。本文着重介绍国外一些先进的ＰＥＣＶＤ装置系统。     

低能离子束在薄膜淀积中的应用

本文介绍利用已建成的双束低能离子束薄膜淀积系统,制备Si、Ge、GaN低温外延膜,Si/CoSi_2/Si多层结构膜,以及金刚石多晶膜。     

纳米硅二极管的独特性能

摘要:使用PECVD薄膜淀积技术制成的纳米硅薄膜(nc-Si∶H)具有优异的性能。把纳米硅薄膜淀积在异型的单晶硅衬底上,制成了nc-Si/c-Si异质结二极管。研制成的纳米硅二极管具有许多优于传统硅二极管的独特性能。     

控制薄膜淀积的设备

美国Sycon仪器公司的STS-200型薄膜淀积厚度/速度控制仪具有用于多层复合晶体制备的9流程、99层程序设计。     

a—SiNx：H薄膜对a—Si：H TFT阈值电压的影响

介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜厚增加而增大；增大X－SiNx：H薄膜淀积时NH3／SiH4气体流速比，可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。     

射频等离子体对真空淀积介质膜的光学和结构特性的影响

本文的目的是比较如下一些方法淀积薄膜的化学剂量、密度、耐腐蚀性和光谱漂移。这些方法有:一般的反应蒸发、带有射频等离子体的反应蒸发,以及磁控溅射方法。研究中采用的膜料有一氧化硅、一氧化钛和熔石英等。它们是可见和近红外区多层膜系中常用的材料。实验薄膜淀积A700Q真空镀膜机的简图示于图1,真空     

负离子源及其应用

本文简要介绍了近年研制出的几种主要类型负离子源及其工作原理,重点是等离子溅射型重金属负离子源。概述了这些负离子源在材料科学中的应用前景,如离子注入和薄膜淀积等。     

MEMS中的薄膜制造技术

追述了薄膜淀积技术的历史,按照制备手段对MEMS制造中使用的各种薄膜制造技术进行了大致的分类和对比,介绍了相应的理论研究概况,除了电镀技术之外,MEMS技术基本来自传统的IC制造工艺。     

双态应力薄膜整合的CMOS开关特性与可靠性研究

本文采用优化的多循环离子体增强化学气相薄膜淀积工艺,在不影响器件的热载流子注入(hot-carrier Injection,HCI)和负偏压温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)的前提下,改善半导体器件的开关特性。我们以32nm多晶硅(polycrystalline-Si/SiON)栅极制造工艺生产的半导体器件为测试对象,其核心器件(Core Device)工作电压是1.0V,外围器件(I/O device)工作电压是2.5V。实验结果显示,对比原有的基础工艺(Base Line),优化的SiN薄膜淀积工艺可以使NMOS的开关特性提高2-5%。核心NMOS的HCI寿命增加一倍,核心PMOS NBTI、I/O NMOS HCI和I/O PMOS NBTI与基础工艺条件的结果比较没有明显的退化。     

半绝缘多晶硅薄膜的制备与应用

本文对ＬＰＣＶＤ半绝缘多晶硅（ＳＩＰＯＳ）薄膜工艺进行了研究，分析和讨论了工艺参数对薄膜淀积过程以及性能的影响。并较详细介绍了ＳＩＰＯＳ薄膜在高压功率器件领域的应用。     

粒子沾污与器件性能

粒子沾污是通过对器件的物理、化学影响使器件失效的。物理方面,有对光掩模图形以及薄膜淀积的影响,这些报导是最常见的。然而,化学方面的影响却是难以控制的。直径为零点几微米的粒子能使栅氧化层形成缺陷,从而引起MOS器件的性能严重退化。本文阐述了一些主要的粒子沾污源和器件性能退化的详细机理,并讨论了粒子沾污对成品率和可靠性的影响。     

聚焦离子束装置中的图形发生器

聚焦离子束技术(FIB)是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程于一身的新型微纳加工技术。几十年来,随着关键技术的不断突破和完善,达到了前所未有的发展,所突破的关键技术之一就是图形发生器的使用。     

在线X射线反射率监测系统

X射线技术在薄膜分析中具有重要作用。小角度X射线反射率检测是不透明材料、金属薄膜和多层结构的唯一非破坏性分析方法。但是,一般的薄膜分析X射线系统均为非在线测量,即只能在薄膜淀积工艺完成之后才进行测量。     

MEMS薄膜中的残余应力问题

在制造微电子机械系统(MEMS)的器件的过程中,通常要进行高温的薄膜淀积或生长,因此薄膜中存在的残余应力很多情况下影响着器件结构的特性,有时甚至严重劣化器件的性能。本文以实例具体分析了薄膜残余应力的影响,并介绍了残余应力的起源、产生机制以及控制。     

颗粒对CCD光刻图形完整性的影响分析

分析了薄膜淀积工艺、光刻工艺和刻蚀工艺过程中引入的颗粒对光刻图形完整性的影响。采用三相三次多晶硅工艺,光刻制备沟阻或多晶硅时,颗粒阻碍曝光和刻蚀,引起沟阻或多晶硅连条,使CCD的像元划分和信号电子的定向转移遭受破坏,降低器件成品率。     

聚焦离子束装置中的工件台及控制系统

聚焦离子束技术(FIB)是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程于一身的新型微纳加工技术。几十年来,随着关键技术的不断突破和完善,得到了前所未有的发展,所突破的关键技术之一就是精密工件台的使用。     

Fe_2O_3-SnO_2双层薄膜对氨气敏感特性及其机理研究

本文报道了以Ｆｅ（ＣＯ）５和ＳｎＣｌ４为源，采用ＰＥＣＶＤ技术淀积Ｆｅ２Ｏ３－ＳｎＯ２双层薄膜，将该薄膜淀积在陶瓷管上，对氨气的敏感特性进行了测量，并讨论了敏感机理．     

离化团束淀积和外延简介

本文简要介绍了一种新的薄膜淀积和外延技术——离化团束淀积和外延。文中,概述了离化团束的工作原理、特点及设备情况,介绍了用该技术生成的薄膜的性质及其在微电子学、光学、信息存储等主要范围的应用前景。