五氧化二钒薄膜结构与电致变色效应

采用反应蒸发制备Ｖ２Ｏ５薄膜,用Ｘ射线衍射分析和分光光度计分别测量薄膜晶体结构和光谱特性,利用标准三电极法从锂离子电解质溶液中向Ｖ２Ｏ５薄膜注入锂离子,实验结果表明：刚制备的薄膜为非晶结构,热处理使得膜结晶：Ｖ２Ｏ５薄膜呈较强的阳极电致变色和较弱的阴极电致变色双理效应;     

电子束蒸发氧化钨薄膜电致变色性能的研究

报道了电子束蒸发制备的氧化钨薄膜的电臻变色特性和开关寿命，给出了电极电压和电解浓浓度对氧化钨薄膜电致变色性能的影响。     

电致变色氧化钨薄膜的干法锂化研究

采用电子束加热蒸发金属Ｌｉ对ＷＯ３电致变色薄膜进行干法锂化，利用Ｘ光电子能谱和电化学方法分析不同锂化程度ＷＯ３薄膜的化学组分和电致变色性能。实验表明，当锂化ＷＯ３薄膜中Ｌｉ原子与Ｗ原子的数目比在０．１５左右时有良好的可逆性和着色效率。利用该方法制备了性能良好的单片式导Ｌｉ＋全固态电致变色薄膜器件Ｇｌａｓｓ／ＩＴＯ／ＷＯ３·Ｌｉ／ＬｉＦ·ＡｌＦ３／Ｖ２Ｏ５／Ａｌ。     

NiOxHx能效窗口薄膜的电致变色性

介绍了用于能效窗口的直流溅射氢氧化镍电致变色薄膜的电变色性能。讨论了不同偏置条件下的光透过谱线和循环伏安特性，薄膜厚度与光密度的变化关系，以及不同厚度的电致变色薄膜与光透过度的关系。同时对电色薄膜的时间响应性、光密度变化与注入的电荷密度的联系也进行了研究。     

光电致变色薄膜及其器件

光电致变色器件(Photoelectrochromic device)由染料电池和WO3电致变色薄膜电极组成。本研究采用溶胶一凝胶法分别制备WO3和TiO2纳米薄膜，并组装成光电致变色器件，对不同热处理和薄膜厚度下的器件的光电致变色性能进行测试分析。试验表明用提拉法制成的WO3薄膜和用旋涂法及丝网印刷制成的TiO2薄膜，都具有较好的成膜性，并且由其组装成的器件具有良好的光电致变色效果。     

磁控溅射电致变色非昌态氧化钨薄膜

利用平面磁控反应溅射在具有透明导电膜的玻璃基片上沉积氧化钨膜层。Ｘ射线衍射分析结果表明，基片在室温状态下得到的膜呈非晶态。以０．２Ｎ浓度的ＨＣｌ为电解液，用电化学方法研究了Ｈ注入及抽出后氧化钨膜光学性能的变化及这种变化与膜的制备参数之间的关系。获得了沉积氧化钨近于最佳的工艺条件，在纯氧气氛下，溅射功率密度１．２Ｗ／ｃｍ＾２，溅射气体压强１．４３Ｐａ时，制备的非晶态氧化钨膜，在５０民化学循环后，漂白     

WO_3-SiO_2复合薄膜制备、结构和气致变色性能

采用溶胶 -凝胶法在玻璃衬底上成功制备了具有良好气致变色性能的透明、均匀、附着力强的WO3 SiO2 复合薄膜。讨论了络合剂的量和乙醇与水的比例对溶胶稳定性和成膜均匀性的影响 ,用热重 -差热、X射线衍射、红外光谱分析对薄膜在热处理过程中的结构变化特征进行分析 ,用扫描电镜对薄膜表面微观形貌进行观察 ,初步研究了镀铂薄膜的气致变色性能。研究结果表明 ,溶胶稳定性随着H2 O2 的增加而增加 ,但溶胶成膜均匀性降低 ;增加乙醇与水的比例 ,可提高溶胶的成膜均匀性和溶胶稳定性 ;结构分析和性能测试的结果表明 ,36 0℃热处理的复合薄膜具有高浓度相界 ,氢原子迁移速率高 ,变色响应速率快 ,气致变色性能优于单一组分薄膜     

磁控溅射电致变色非晶态氧化钨薄膜

利用平面磁控反应溅射在具有透明导电膜的玻璃基片上沉积氧化钨膜层。Ｘ射线衍射分析结果表明，基片在室温状态下得到的膜呈非晶态。以０．２Ｎ浓度的ＨＣｌ为电解液，用电化学方法研究了Ｈ＋注入及抽出后氧化钨膜光学性能的变化及这种变化与膜的制备参数之间的关系。获得了沉积氧化钨膜近于最佳的工艺条件。在纯氧气氛下，溅射功率密度１．２Ｗ／ｃｍ２，溅射气体压强１．３Ｐａ时，制备的非晶态氧化钨膜，在５０次电化学循环后，漂白态与着色态的可见光透射率之差约为０．５７，其电化学循环的变色寿命也长。光电子能谱（ＸＰＳ）分析表明，Ｈ＋注入后着色态膜内出现了Ｗ５＋、Ｗ４＋。对电致变色机理也作了讨论。     

氧化钨薄膜电致变色状态下物相组份及表面形貌变化的研究

通过对直流磁控溅射方法得到ＷＯｘ膜层的电化学和光学性能测试，以及ＸＰＤ和ＳＴＭ的物相，形貌分析，发现该ＷＯｘ膜层具有良好的电致变色性能，原始沉积态ＷＯｘ膜层为非晶态，其着退色状态仍在非晶特性，而晶ＷＯｘ膜层在着色态和退色态之间发生物相组份的可逆变化，且表面形貌有很大差异。     

Fe膜硫化合成不同厚度的FeS2薄膜组织结构与电学性能

对热蒸镀的不同厚度纯Fe膜进行硫化处理,制备了厚度在70~600nm范围内变化的FeS2薄膜,研究了薄膜厚度对FeS2薄膜组织结构和电学性能的影响。结果表明,虽然不同厚度的FeS2薄膜晶格点阵畸变度不同,但晶粒均较为细小。较厚的薄膜表面更为平整并且组织更为均匀。随薄膜厚度增加,载流子浓度下降而迁移率上升。当膜厚超过400nm后,载流子浓度上升而迁移率下降。在膜厚约为130nm时,电导率出现极大值。     

WO_3/TiO_2薄膜在光催化降解溴酚蓝方面的应用

采用溶胶-凝胶法,在玻璃珠表面涂覆均匀透明的WO3/TiO2薄膜并制成光催化反应器,对水溶液中溴酚蓝(BPB)的光催化降解进行了研究.采用XRD对催化剂进行了表征,讨论了催化剂的组成、煅烧温度、溴酚蓝的起始浓度、pH值、光照时间等因素对光催化反应活性的影响.实验结果表明:当ω(WO3)=3%,煅烧温度为500℃,[BPB]=20 mg/L,pH=8.1,光照时间为10h,溴酚蓝的脱色率可达95.1%.     

由氧化层厚度估算化学反应扩散掺杂量的研究

在化学反应扩散制备ｐ／ｎ结的过程中，伴随生成的ＳｉＯ２薄膜的厚度与扩散进入硅中的掺杂量有确定的关系（ＱＳｉ＝ｃｄ），由此可由氧化层厚度简便地估算扩散掺杂量。     

氮化锆薄膜腐蚀和摩擦性能的研究

采用磁控溅射沉积在金属或玻璃基体表面上的氮化锆薄膜，具有良好的抗腐蚀和耐摩擦性能，摩擦系数小，显微硬度高达２１９５ｋ／ｍｍ＾２，是一种性能优良的功能薄膜材料。     

太阳电池中EVA胶层的性能研究

对ＥＶＡ胶膜在太阳电池中的粘接密封与交联固化作用１及对可见光谱的增透与吸收紫外光的功能作用进行了研究。     

CIGS电池缓冲层CdS的制备工艺及物理性能

在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中,化学沉积CdS半导体薄膜,薄膜的厚度与搅拌强度有很大关系,表明薄膜的生长速度是由OH-和SC(NH2)2的扩散传质为控制步骤。CdS薄膜的电阻率在104~105Ω.cm之间。CdS薄膜的晶格在乙酸胺浓度较小时,为六方晶和立方晶混合结构;乙酸胺浓度较大时,为立方晶结构。利用六方晶与立方晶混合的CdS制备的CIGS太阳电池,光电转换效率最大可达12.1%,3.5×3.6cm2小面积组件为6.6%。立方相CdS制备的最佳电池效率达到12.17%。两种晶相结构的CdS薄膜对CIGS太阳电池的性能影响没有明显的差别。