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相似文献
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1.
SiGe/Si HBT作为单片微波集成电路中的有源元件,在截止频率,增益,噪声等方面相对于GaAs器件有很大的优势。本文结合本单位在SiGe材料和器件、电路等方面做过的工作,对实现SiGe单片微波集成电路的一些理论和技术要点作了阐述。  相似文献   

2.
研究了0.18μm SiGe BiCMOS中的核心器件SiGe HBT的关键制造工艺,包括集电极的形成、SiGe基区的淀积、发射极窗口的形成、发射极多晶的淀积、深孔刻蚀等,指出了这些制造工艺的难点和问题,提出了解决办法,并报导了解决相关难题的实验结果。  相似文献   

3.
钱文生  段文婷  刘冬华 《微电子学》2012,42(4):569-571,575
介绍了一种超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的器件结构及制作工艺。该器件增大了N型赝埋层到有源区的距离,采用厚帽层锗硅基区及低浓度发射区的制作工艺,以提高SiGe HBT的击穿电压;在基区和发射区之间利用快速热处理提高工艺稳定性,并使HBT的电流增益(β)恢复到原来水平,以弥补厚帽层锗硅基区及低发射区浓度造成的电流增益降低。基区断开时,发射区到集电区的击穿电压(BVCEO)提高至10V,晶体管特征频率达到20GHz。  相似文献   

4.
叙述了SiGe/Si异质结双极晶体管的工作原理以及一种双台面结构的逆向制造方法。  相似文献   

5.
SiGe HBT高频噪声特性研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
对SiGe HBT的高频噪声进行了模拟.频率f、载流子正向延迟时间τF、集电极电流等因素都对高频噪声有影响.当频率高于高频转角频率时,最小噪声系数NFmin随着频率的增大而线性增大,而不是与f2成正比关系,且NFmin随着集电极电流的增大先减小后增大.结果表明,噪声最小时的最佳偏置电流所对应的特征频率fT并不是最大特征频率,约为最大特征频率的50%.  相似文献   

6.
由于发射结(EB结)价带存在着能量差ΔEv,电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定,给HBT设计带来了更大的自由度。为减小基区电阻和防止低温载流子冻析,可增加基区浓度。但基区重掺杂导致禁带变窄,禁带变窄的非均匀性产生的阻滞电场使基区渡越时间增加,退桦了频率特性,特别是在低温下更为严重。  相似文献   

7.
探索利用反应离子刻蚀(RIE)和湿法腐蚀Si1-xGex合金材料的工艺条件.对两种腐蚀方法的利弊进行了对比,找出腐蚀Si1-xGex合金材料的实用化途径,并且解决了不同Ge含量的Si1-xGex合金材料的腐蚀速度控制.  相似文献   

8.
Si/SiGe/Si双异质结晶体管异质结势垒效应(HBE)研究   总被引:10,自引:2,他引:10  
张万荣  曾峥 《电子学报》1996,24(11):43-47
本文研究了不同温度下Si/SiGe/Si双异质结晶体管异质结势垒效应,研究发现,集电结处价带能量差△Ev越大,HBE越明显,在给定的△Ev下,随着温度的降低,HBE越显著。  相似文献   

9.
为有效控制生产成本,减少工艺步骤,提出了在SiGe工艺中,用SiGe异质结双极型晶体管(HBT)代替传统二极管来实现静电放电(ESD)保护的方案。通过设计不同的HBT器件的版图结构,以及采取不同的端口连接方式,对HBT单体结构防护ESD的能力强弱和其寄生电容大小之间的关系进行了比较分析,并从中找出最优化的ESD解决方案。应用于实际电路中的验证结果表明,此方案在ESD防护能力达到人体模型(HBM)2 kV的基础上,I/O(IN/OUT输入输出)端口的寄生电容值可以做到200 fF以下,且此电容值还可通过HBT串联模式进一步降低。  相似文献   

10.
分析了不同温度下超薄基区 Si Ge HBT中载流子温度及扩散系数随基区结构参数的变化 ,并给出了实验比较  相似文献   

11.
在Si/SiGe/SiHBT与Si工艺兼容的研究基础上,对射频Si/SiGe/SiHBT的射频特性和制备工艺进行了研究,分析了与器件结构有关的关键参数寄生电容和寄生电阻与Si/SiGe/Si HBT的特征频率fT和最高振荡频率fmax的关系,成功地制备了fT为2.5CHz、fmax为2.3GHz的射频Si/SiGe/SiHBT,为具有更好的射频性能的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。  相似文献   

12.
SiGe/Si HBT离子注入自对准的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了离子注入技术自对准制作SiGe/SiHBT的方法,分析了对器件特性的影响。  相似文献   

13.
从模拟和实验两方面研究了SiGe/Si HBT发射结中pn结界面和SiGe/Si界面的相对位置对器件的电流增益和频率特性的影响.发现两界面偏离时器件性能会变差.尤其是当pn结位于SiGe/Si界面之前仅几十?就足以产生相当高的电子寄生势垒,严重恶化器件的性能.据此分析了基区B杂质的偏析和外扩对器件的影响以及SiGe/Si隔离层的作用.  相似文献   

14.
Si/ SiGe/ Si HBT 的直流特性和低频噪声   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
在对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺的研究基础上,研制成功低噪声Si/SiGe/Si HBT,测试和分析了它的直流特性和低频噪声特性,为具有更好的低噪声性能的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。  相似文献   

15.
通过优化设计SiGe/SiHBT的纵向参数,找到一种低温工艺方法,研制出了在液氮温度下电流增益达到26000的高增益异质结晶体管。  相似文献   

16.
基区杂质外扩对SiGe/Si HBT低温特性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
SiGe/Si HBT的基区杂质在工艺过程中外扩到发射区和收集区,使得低温增益下降,提出采用适当厚度的隔离层的方法,使HBT电流增益在低温下增长。  相似文献   

17.
周卫  刘道广  严利人 《微电子学》2006,36(5):552-558
经过二十年的发展,SiGe HBT技术已经广泛应用于微波/射频通讯领域。它的快速发展首先得益于外延技术的提高,其次是它与硅工艺完全兼容,特别是与CMOS工艺兼容的特性,以及微波/射频通讯市场的巨大需求。文章简要回顾了SiGe HBT的发展过程,认为SiGe技术今后将成为混合信号通讯系统SOC集成的技术平台。  相似文献   

18.
详细地阐述了高频大功率SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT)设计中的一些主要问题,主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等.并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议.  相似文献   

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