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电信业务运营支持系统(BOSS)融合了业务支撑系统(BSS)与运营支撑系统(OSS),是一个综合的业务运营和管理平台,是电信运营商一体化信息资源共享的支持系统,它主要由计费、结算、营业、账务和客户服务等部分组成。 相似文献
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我国电信市场开放和竞争格局形成以后,各大电信运营商为了提高经营管理和服务水平,适应业务发展,纷纷构建各自的OSS/BSS系统,中国移动改造建设了新一代业务运营支撑系统(BOSS)、中国联通启动了综合营帐及信息管理系统、新组建的中国电信和中国网通以及其他运营商也提出了OSS/BSS系统的新概念和新构想,一些系统供应商也根据市场需求,制定适合运营商多业务需求的新一代OSS/BSS解决方案,以求共赢。 相似文献
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新一代OSS/BSS系统规划中的企业视点 总被引:2,自引:0,他引:2
从OSS/BSS系统体系结构重要性的角度出发,在分析TMF的eTOM运营流程分析模型的基础上,阐述了新一代OSS/BSS体系结构的企业视点,阐明了OSS/BSS在电信支撑系统中的“位置”。 相似文献
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竞争呼唤新一代OSS系统。电信市场竞争的日益白热化,以及伴随着资本市场的萎缩.使国外很多运营商的发展遭受到有史以来最致命的打击。到去年第三季度.仅在美国就有85个二级运营商(CLECs)宣告破产,其中有46家企业已经完成拍卖。美国Worldcom的财务丑闻、Quest电信公司的CEO被炒,还有环球电讯等一系电信巨头们所面临的困境或窘境.究其根源,是由于激烈的竞争使电信公司不得不相信“规模就是效益”. 相似文献
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为帮助电信运营商在与OTT运营商的竞合中赢得主动权,文章通过分析通讯行业发展趋势,结合OSS/BSS领域的最新技术能力,为运营商指明在OSS/BSS层面需要着力把控的三个重要发展方向:1)提高快速、动态响应用户需求和新商业模式的能力,2)具备与用户、合作方、网络实时交互的能力,3)简单、灵活的OSS/BSS架构体系。 相似文献
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电信网络是信息化社会的基础设施,IT支撑系统是电信运营企业的基础设施.从全球看,电信运营企业的信息化投资的突出特点是:力度很大,重点突出.从国内看,近十年来在经历了拆分、重组、上市等一系列变迁之后,包括中国联通在内的各电信运营企业为了在差异化、个性化和多元化的市场竞争中取胜,也积极加大对IT支撑系统的投资力度,特别是加大以业务支撑系统(BSS)为核心的生产和经营性IT支撑系统的投资,以达到提高企业运营效率,改善客户服务和体验过程的目的. 相似文献
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本根据电信行业OSS/BSS建设的经验,同时结合有线电视网络的实际,对有线电视网络业务运营支撑系统所涉及的主要方面:基本概念、现状、组成、采用的主流技术、体系结构、基础平台、标准、基本模型和框架等进行详细的分析和阐述。 相似文献
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首先介绍了基于IN和基于OSS/BSS实现PPS的流程及业务特点,然后从业务功能的完整性、新业务功能开发的及时性、资费政策的灵活性、成本效益和防欺诈能力等方面对这两种技术方案进行了分析、对比。 相似文献
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基于J2EE构建多层分布式物资管理信息系统 总被引:4,自引:2,他引:2
分布式对象和WWW技术在构建分布式企业计算环境中发挥着越来越重要的作用。分布式对象可以从不同的平台获得封装的企业逻辑,而WWW技术则为终端用户提供了强大的信息集成和交互能力。J2EE应用基于网络技术为企业应用系统提供一个具有高度可移植性和兼容性的安全平台。本文从应用系统总体结构入手,首先描述了基于J2EE企业平台的多层分布式体系结构,然后结合某单位物资管理信息系统的功能及其结构设计,详细分析了该管理信息系统在J2EE平台上的实现过程。 相似文献
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New investigations are presented here on a high-density and DRAM-like high-speed non-volatile memory (NVM) application of unified RAM (URAM). For a high-density application of URAM, multiple data storage is demonstrated with a multi-dual cell (MDC). Because each NVM state can be split by programming with a one-transistor (1T) DRAM without a capacitor, the total number of memory states can be doubled. Furthermore, a high-speed DRAM-level NVM scheme is proposed for the joint operation of 1T DRAM buffer programming and NVM post-background programming. The MDC and the proposed scheme are unique URAM properties that can extend the application range of memory devices. 相似文献
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采用射频磁控溅射法在ITO玻璃表面沉积了一层15 nm左右的SnO2薄膜。利用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪、场发射电子显微镜及紫外–可见–近红外光谱仪分析了所制薄膜的电学性质、表面形貌和光学性质。结果表明,在300~600℃退火后镀有SnO2覆盖层的ITO(SnO2/ITO)薄膜具有相对好的热学稳定性。在600℃退火后,ITO薄膜的方阻和电阻率分别为88.3Ω/□和2.5×10–3.cm,而此时,SnO2/ITO薄膜的方阻和电阻率仅为43.8Ω/□和1.2×10–3Ω.cm。最后,阐述了SnO2覆盖层提高ITO薄膜热稳定性的机制。 相似文献